目前DDR最新的版本是DDR5，對于之前的版本DD1~DDR4區別上不大，核心的功能管腳基本保持一致。

我們先了解一下DDR1~DDR5的一些主要的區別，如下表所示：

從上表可以看得出來，DDR1~DDR5最大的區別在于工作電壓，越來越低了，說明功耗越做越低了。DDR的管腳定義在大體上來看可以分為6組。

（1）電源管腳和GND管腳主要分為VDD和VDDQ已經對應的地管腳VSS和VSSQ。VDD:核心電壓，對應的負極是VSS(參考電位)VDDQ:I/O電壓，對應的負極是VSSQ（參考電位）

（2）數據相關信號線DQ[0:N]:數據傳輸線，全部為雙向數據線，負責讀寫數據。DQS/DQS#:差分數據選通信號（同樣是雙向），主要用于同步數據采樣。DM/DBI:數據掩碼（DDR1~DDR3）,或者數據總線反轉（DDR4）其中:DM:寫入數據時能屏蔽無效的數據。    DBI:在DDR4中主要用于優化整體功耗和信號的完整性。

（3）地址線與Bank選擇線A[0:N]:地址總線（包括行地址和列地址），其中DDR1是14位地址（A0~A13），DDR4為17位地址(A0~A16)。BA[0:M]:Bank地址，用于選擇存儲體。其中DDR1一共有4個Bank，DDR4有高達16個Bank，4個Bank Group。BG[0:K]:Bank Group地址。

（4）控制信號CS#:片選信號，選擇需要操作的芯片。RAS#/CAS#/WE#:行列地址選通與寫使能控制。ODT:片上終端使能，動態調整終端電阻，可以起到改善信號完整性的作用。CKE:時鐘使能管腳，用于控制時鐘信號（如低功耗模式時）RESET#:硬件復位信號，低電平有效。

（5）時鐘信號CK/CK#:差分系統時鐘，上升/下降沿均觸發數據操作。CK_t/CK_c:增強差分時鐘命名。

（6）其他VREF：參考電壓，用于數據接收端的電平判定。ZQ:外部校準管腳，調整驅動強度與終端電阻。一般連接240Ω電阻到VSSQ，電阻建議用高精度的。TEN/ALERT#:溫度傳感器與錯誤報警輸出管腳（僅在DDR5上有）。