01 基本概念
請先閱讀熱設計詳細文章：IC與器件的熱設計
著重了解以下的幾個概念：
① 工作結溫Tj（Operating Junction Temperature Range）工作狀態時內核溫度，一般的IC結溫范圍在（-40~125℃）或（-40~80℃）。
② 環境熱阻系數（θJA）指內核到外部環境（空氣）的熱阻系數。
③ 封裝熱阻系數（θJC）指內核到封裝表面的熱阻系數。
④ φJT-內核到封裝上表面中心點的熱阻。
Tj==Ta+( θJA × P ) = Tc+( θJC × P )=Tt+（φJT x P）,其中Ta為環境溫度，Tc為封裝表面溫度，Tt為封裝表面中心點的溫度，P為IC耗散功率，即結溫等于環境溫度+環境中熱阻系數*功率，或者等于封裝表面溫度+內核到封裝表面熱阻系數數*功率,或者等于封裝表面中心點溫度+內核到封裝上表面中心點的熱阻*功率。
02 LDO的熱性能與什么有關？
由基本概念我們可以得出：LDO的熱性能與封裝、功率、運行環境溫度有關。下面我們舉例分析。
我們以薩科微公司的AMS1117-3.3為例，其數據手冊提供的封裝熱阻系數如下：
圖1 SOT-89封裝
可以看出不同的封裝熱阻系數不同，由Tj==Ta+( θJA × P )得出，相同功率下，熱阻系數越小，內核溫度越低，也就越安全。同理可以得出，功率越小、環境溫度越低內核越安全。
03 如何進行熱設計？
例如，TO-252封裝的AMS1117-3.3輸入電壓5V，輸出功率1A，如上圖他的θJA為125℃/W，則其消耗功率P=（5-3.3）*1=1.7W，溫升=θJA × P=125*1.7=212.5℃，即在常溫下內核溫度等于212.5+25=237.5℃，遠高于其內核最高溫度125℃，意味著LDO會損壞。反過來計算，I=（內核最高溫度-空氣溫度）/空氣熱阻/壓差Vdrop，即在5V輸入電壓、常溫環境下，長時間輸出電流不能大于（125-25）/125/（5-3.3）=0.47A，即電流不能超過0.47A。
考慮到PCB空間，實際可能使用體積比TO-252更小的SOT223或SOT89封裝，此時的長時間工作電流要更小，需要權衡使用。
以上是用θJA 估算的熱性能參數，實際上另外還有多種方式，但由于很多數據手冊并不會給出φJT或θJC參數，所以用θJA更方便，如果數據手冊給出了另外的參數，可以點擊參考：IC與器件的熱設計來計算，會更精確。
04 LDO發熱影響哪些參數？
① 負載調整率
發熱會影響LDO的負載調整率
② 反饋引腳FB的消耗電流
發熱會影響LDO反饋引腳（FB或者ADJ）的消耗電流，即會影響最終的輸出電壓準確度。
③ 電壓調整率（線性調整率）
發熱會影響LDO的線性調整率
④ 壓差Vdrop
發熱會影響LDO的壓差Vdrop，參考前一篇文章
⑤ 地電流、關斷電流、關斷電流
LDO電流相關概念后面文章介紹
05 如何提高LDO的熱性能？
①選擇合適的封裝，在PCB空間允許的情況下盡量選取大封裝LDO。
②降低輸入與輸出壓差，在滿足LDO最低工作壓降的情況下，可以在電源Vin與LDO輸入引腳之間串聯一個功率合適的電阻消耗部分電壓。同理也可以串聯一個二極管。當然無論串聯電阻還是二極管，他們自身的功率耗散也是要考慮的。
圖2 串聯1Ω電阻消耗1W功率
③ 有必要的情況下可以在LDO表面貼裝散熱器。
④ 做好PCB散熱，LDO布局時遠離其他發熱器件；增大LDO接地平面、Vin、Vout平面的面積