在張占松老師的開關原理及設計一書中，在講解RCD吸收時，有這樣寫道在反激作用時。嵌位電壓提供
一個附加強制電壓值來驅動電能進入副邊電感，有沒有大俠分析下MOS關斷后，勵磁電感電流和漏感電流
的作用在MOS輸出電容和RCD吸收電容上面的過程，以及吸收電容上的電壓如何對能量傳遞產(chǎn)生影響的？？