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【問】UCC28610疑問

UCC28610是一款全新概念的高可靠性AC-DC小功率反激變換器控制IC,結合了級聯式工作,可以使效率,可靠性及系統成本都得到改善。是如何實現的?
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javike
LV.12
2
2012-08-09 11:57

給你個詳細資料看看,里面對這個問題講的很詳細:

級聯式控制的綠色模式反激變換控制IC 

UCC28610集成的低壓MOS開關有90毫歐RSDON,以此檢測電流及驅動高壓MOSFET強制跟蹤快速的內部低壓驅動器,

高壓MOS中的漏柵充電不影響關斷速度,因為柵極接到一個低阻抗的直流源,級聯結構以非常快的速度關斷HVMOSFET,使其開關損耗降低。

級聯驅動電路對高速電壓增益是很好的,這種拓樸能有超過100MHZ的小信號帶寬,并展示出高頻振鈴,

高頻振鈴會導致EMI問題,在某些場合形成破壞性,次間隔期間會立即跟隨的開和關的瞬態,

尤其是易感染振蕩。為防止或解決此問題,見應用部分:解決高頻振鈴。

級聯拓樸執行唯一的起動順序,其快速而低損耗從AC線路或整流濾波的AC線路起動,

偏置用一個低水平的流出電流。如圖5,這個電流給一個小VGG電容充電(CVGG)。

并上升到高壓MOS的柵極,VGG端在此時段將典型地驅動大約6微安電流。

允許BULK偏置電流很小,給VGG電容充電,高壓MOSFET作為源極跟隨器,

一旦VGG達到HVMOSFET的閾值電壓,則HVMOSFETDRV電壓帶起來,

VGG繼續上升,在此期間UCC28610處在UVLO及使能PWM信號為低,

于是開啟VDD開關將VDD接到DRV,允許VDDHVMOSFET的源極上升,

并給CDD充電,一個外部的肖特基二極管D1需接在DRVVDD之間,

這個二極管旁路潛在的高開關電流,除非流過內部VDD開關的體二極管。

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2012-08-09 12:02

這個是內部實現了,如果你要去做芯片,可以深入研究。呵呵。

它應該是通過檢測磁復位來實現的。

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zvszcs
LV.12
4
2012-08-09 12:24
@yangyixian
這個是內部實現了,如果你要去做芯片,可以深入研究。呵呵。它應該是通過檢測磁復位來實現的。

UCC28610 使 AC / DC 消費產品電源解決方案的性能和可靠性達到了一個新的水平。

一種 PWM 調制算法用于調整開關頻率和初級電流 (primary current),并在整個工作范圍內保持不連續或轉換模式操作。 通過與一種共發-共基放大器架構相結合,這些創新較之傳統的反激式架構在效率、可靠性及系統成本方面實現了改進。

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2012-08-09 12:33
@zvszcs
UCC28610使AC/DC消費產品電源解決方案的性能和可靠性達到了一個新的水平。一種PWM調制算法用于調整開關頻率和初級電流(primarycurrent),并在整個工作范圍內保持不連續或轉換模式操作。通過與一種共發-共基放大器架構相結合,這些創新較之傳統的反激式架構在效率、可靠性及系統成本方面實現了改進。
  • 共發-共基放大器配置可實現完全集成的電流控制方案,無需使用外部檢測電阻器
  • 利用共發-共基放大器配置 (cascode configuration) 實現了快速啟動和低待機功耗
  • 用于在整個工作范圍內實現最優效率的頻率及峰值電流調制
  • 綠色環保模式 (GM) 突發開關脈沖群改善了無負載時的效率
  • 高級過流保護功能可限制 RMS 輸入及輸出電流
  • 芯片手冊是最好的解釋資料了~綠色環保模式反激式控制器 

     

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    aczg01987
    LV.10
    6
    2012-08-09 12:43
    @javike
    給你個詳細資料看看,里面對這個問題講的很詳細:[圖片]級聯式控制的綠色模式反激變換控制IC UCC28610集成的低壓MOS開關有90毫歐RSDON,以此檢測電流及驅動高壓MOSFET,強制跟蹤快速的內部低壓驅動器,高壓MOS中的漏柵充電不影響關斷速度,因為柵極接到一個低阻抗的直流源,級聯結構以非常快的速度關斷HVMOSFET,使其開關損耗降低。級聯驅動電路對高速電壓增益是很好的,這種拓樸能有超過100MHZ的小信號帶寬,并展示出高頻振鈴,高頻振鈴會導致EMI問題,在某些場合形成破壞性,次間隔期間會立即跟隨的開和關的瞬態,尤其是易感染振蕩。為防止或解決此問題,見應用部分:解決高頻振鈴。級聯拓樸執行唯一的起動順序,其快速而低損耗從AC線路或整流濾波的AC線路起動,偏置用一個低水平的流出電流。如圖5,這個電流給一個小VGG電容充電(CVGG)。并上升到高壓MOS的柵極,VGG端在此時段將典型地驅動大約6微安電流。允許BULK偏置電流很小,給VGG電容充電,高壓MOSFET作為源極跟隨器,一旦VGG達到HVMOSFET的閾值電壓,則HVMOSFET將DRV電壓帶起來,隨VGG繼續上升,在此期間UCC28610處在UVLO及使能PWM信號為低,于是開啟VDD開關將VDD接到DRV,允許VDD隨HVMOSFET的源極上升,并給CDD充電,一個外部的肖特基二極管D1需接在DRV和VDD之間,這個二極管旁路潛在的高開關電流,除非流過內部VDD開關的體二極管。
    黃工每次都不給一點機會讓我們拿金牌,黃工的帖子永遠那么的給力
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