溫馨提示：8月份開(kāi)始，我司大部分產(chǎn)品如ST9435A,STP4435，STC4606，STN4828等都有不同程度的降價(jià)，歡迎垂詢，預(yù)祝合作愉快！！
聯(lián)系人 賀生 13684977366
司坦森 MOS管 降價(jià)通知！！！
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司坦森集成電路是一家臺(tái)系、專業(yè)場(chǎng)效應(yīng)MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)生產(chǎn)商
全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.
原廠供應(yīng)。性價(jià)比優(yōu)厚。
主推料號(hào)：
ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…
ST3400,ST3401，3402….ST3413…
STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…
STC4606,STN4828(專用inverter)
STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10
STP3052。。。(TO-252/251)
……
原廠現(xiàn)貨，歡迎來(lái)電垂詢!
司坦森集成電路
http//www.stansontech.com
Tel:13684977366 賀 生
QQ:595639271
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@stanson_tech
司坦森集成電路是一家臺(tái)系、專業(yè)場(chǎng)效應(yīng)MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)生產(chǎn)商全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.原廠供應(yīng)。性價(jià)比優(yōu)厚。主推料號(hào)：ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…ST3400,ST3401，3402….ST3413…STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…STC4606,STN4828(專用inverter)STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10STP3052。。。(TO-252/251)……原廠現(xiàn)貨，歡迎來(lái)電垂詢!司坦森集成電路http//www.stansontech.comTel:13684977366賀 生QQ:595639271
場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）由于具有如下優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動(dòng)電路中，這些優(yōu)點(diǎn)主要是：
（1）場(chǎng)效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，從而有較高的開(kāi)關(guān)速度。
（2）具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)和二次擊穿，同時(shí)它具有正的溫度系數(shù)，容易并聯(lián)使用，可以解決大電流問(wèn)題。
（3）具有較高的開(kāi)啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設(shè)計(jì)和調(diào)試帶來(lái)很大的方便。
（4）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動(dòng)功率小，而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。
詳情請(qǐng)聯(lián)絡(luò) 賀生 13684977366
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@stanson_tech
場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）由于具有如下優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動(dòng)電路中，這些優(yōu)點(diǎn)主要是： （1）場(chǎng)效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，從而有較高的開(kāi)關(guān)速度。 （2）具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)和二次擊穿，同時(shí)它具有正的溫度系數(shù)，容易并聯(lián)使用，可以解決大電流問(wèn)題。 （3）具有較高的開(kāi)啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設(shè)計(jì)和調(diào)試帶來(lái)很大的方便。 （4）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動(dòng)功率小，而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。詳情請(qǐng)聯(lián)絡(luò)賀生13684977366
最后，對(duì)MOS管及柵極驅(qū)動(dòng)器在PDP驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用作一些總結(jié)：
（1）在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對(duì)減少MOS管的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要。
（2）柵極驅(qū)動(dòng)器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用，柵極驅(qū)動(dòng)電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
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@stanson_tech
最后，對(duì)MOS管及柵極驅(qū)動(dòng)器在PDP驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用作一些總結(jié)： （1）在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對(duì)減少M(fèi)OS管的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要。 （2）柵極驅(qū)動(dòng)器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用，柵極驅(qū)動(dòng)電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
培訓(xùn)繼續(xù)啊。。。
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@mfkddd2
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司坦森MOS管原廠生產(chǎn)廠家本司誠(chéng)招代理分銷商。有意向的朋友請(qǐng)電話聯(lián)系，聯(lián)系人：賀生 電話 13684977366。。 產(chǎn)品系列 2301 2302 2305 2306 2307 3400 3401 3401 9435 4953 6848 8835 8433 5853 4606 9926 4920 4435 8205 等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電腦周邊.MP3. MP4. DVB. DVD,應(yīng)用領(lǐng)域，ＬＣＤ顯示器，ＬＣＤ ＴＶ，便攜式ＤＶＤ，車載ＤＶＤ，筆記本電腦，ＰＤＡ，電源，穩(wěn)壓器，逆變器，高壓條 適配器 數(shù)碼相機(jī),電子游戲機(jī).電子玩具等多重?cái)?shù)碼產(chǎn)品
ST2301 替代 SI2301 AO3423 FDN302 FDN342P FDN338P APM2301 APM2313 APM2323 STM2309
ST2302 替代 SI2302 TN0200T FDN339AN FDN371N FDN335N APM2314 APM2324
ST2303 替代 SI2303 SI2307 SI2323 AO3405 AO3409 AO3421 FDN360P FDN358P FDN352AP APM2307
ST2304 替代 SI2304 SI2306 AO3406 AO3404 NDS355AN APM2306
ST2305 替代 SI2305
ST2341 替代 AO3415
ST2342 替代 AO3416 AO3420
ST3400 替代 AO3400
ST3401 替代 AO3401
ST3407 AO3407
ST3413 SI2321 AO3413 AO3419
ST3414 SI2412 SI3418 AO3414 APM2300 APM2312
ST3403 SI2341 SI2307 AO3403
ST3402 SI2316 AO3402 AO3418 FDV303N FDN359AN FDN361AN
ST7400 AO7400 AO7410
ST1413 SI1303 SI1307 APM1401STN423 APM1402
ST1443 SI1304 SI1302
ST1413A SI1413DH AO7411 AO7415 FDG326P
ST1423A SI1410DH AO7408 FDG329N
ST1433A SI1433DH AO7405 AO7405 FDG316P
STP1013 SI1013
STN1012 SI1012
STP4953 替代 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953
STC4539 替代 SI4539 APM4542
STN4440 替代 AO4440
ST9435 SI9435 SI 4431 AO4405 FDS 9435
STP9437 AO4403
STP4435 SI4431 SI4435 SI4425 AO4411 AO4415 FDS8435 FDS4435 FDS6675
STP9527
STN4412 SI4412 S4416 SI9410 AO4412 AO4414
STN4426
STN4346 SI4362 SI7442 SI4404 SI4888 AO4404
STN 4392 SI4346 AO4430
STN4402 SI4420 SI4882 SI4820 SI4894 AO4420 AO4422 AO4466 FDS 6630A FDS6614A FDS6680 FDS6924 IRF7413
STN4546
STN4526
STN4436 STN4850
STN4440 AO4440
STP4953 SI4953 AO4803 FDS8958 APM4953
STP4803
STN4920 SI4920 AO4812
STN4828 SI4900 AO4828
STN9926
STN6303 SI912 AO7800 FDC6335 FDC6303
STN6561 AO6802 FDC6561
STN6562 AO6800 FDC6561
STP6308 SI1913 AO7801 FDC6308
STP6506 SI4447 SO4443 FDC6506
STP6507 AO6801 FDC6506
STC4539 SI4539 APM4542
STC4614 SI4567 AOS4614
STC4527
STC6601 SI3590 AO6601 FDC6432
STC6602 SI3552 AO6602 FDC6333
STC6604 SI3586 SI3588 AO6604 FDC6420 FDC6327 APM2701C
STC6332 SI1563 AO7600 FDC6332
ST8835 SG6848 LD7535
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臺(tái)灣大電流MOS管 聯(lián)系人 賀生 13684977366
溝槽式場(chǎng)效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)
| Part No. | TYPE | VDSS | VGS | VTH | IDS | RDS(Max) | PD | Package | Data Sheet | |||||
| Min | Max | 25°C | 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | 5.0V | 25°C | ||||||
| V | V | V | V | A | m Ω | m Ω | m Ω | m Ω | m Ω | W | ||||
| STN454D | N | 40 | 20 | 1.0 | 3.0 | 10 | 25 | 27 | - | - | - | 50 | TO-251/TO-252 |  |
| STP413D | P | 40 | 20 | 0.8 | 2.5 | 12 | 36 | 52 | - | - | - | 50 | TO-251/TO-252 | |
| STN4189D | P | 40 | 20 | 1.0 | 3.0 | 12 | 18 | 23 | - | - | - | TO-251/TO-252 | |
|
STN4186D |
N | 40 | 20 | 1.0 | 3.0 | 35 | 13 | 15 | - | - | - | TO-251/TO-252 | |
|
| STP6635GH | P | 30 | 20 | 1.0 | 3.0 | 40 | 20 | 36 | 60 | TO-251/TO-252 | |
|||
| STP3052D | P | 30 | 20 | 1.0 | 3.0 | 25 | 45 | 50 | 60 | TO-251/TO-252 | |
|||
| STN442D | N | 60 | 20 | 1.0 | 3.0 | 37 | 24 | 31 | - | - | - | 62 | TO-251/TO-252 | |
| STP601D | P | 60 | 20 | 1.0 | 3.0 | 30 | 20 | 27 | - | - | - | 60 | TO-251/TO-252 | |
STN4130 |
N | 60 | 20 | 1.0 | 3.0 | 30 | 40 | 50 | - | - | - | 60 | TO-251/TO-252 | |
| STN4110 | N | 60 | 20 | 1.0 | 3.0 | 40 | 10 | 12 | - | - | - | 60 | TO-251/TO-252 | |
| STN8882D | N | 30 | 20 | 1.0 | 3.0 | 60 | 5 | 7 | - | - | - | 100 | TO-251/TO-252 | |
| STN410D | N | 30 | 12 | 0.8 | 1.6 | 15 | 40 | 50 | - | - | - | 60 | TO-251/TO-252 | |
| STN4102 | N | 30 | 20 | 1.0 | 3.0 | 15 | 32 | 40 | - | - | - | 60 | TO-251/TO-252 | |
| STN484D | N | 30 | 20 | 1.0 | 2.5 | 30 | 8 | 13 | 60 | TO-251/TO-252 | |
|||
| ST13P10 | P | 100 | 20 | 2.0 | 4.0 | 13 | 130 | - | - | - | - | 66 | TO-251/TO-252 | |
| ST16N10 | N | 100 | 20 | 2.0 | 4.0 | 12 | 160 | - | - | - | - | 79 | TO-251/TO-252 | |
| ST12N10D | N | 100 | 20 | 1.0 | 3.0 | 12 | 170 | 190 | - | - | - | 79 | TO-251/TO-252 | |
| ST36N10D | N | 100 | 20 | 1.0 | 3.0 | 36 | 40 | 42 | - | - | - | 80 | TO-251/TO-252 | |
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@司坦森集成電路
臺(tái)灣大電流MOS管聯(lián)系人賀生13684977366溝槽式場(chǎng)效電晶體Trench_MOSFET(TO-251/TO-252)PartNo.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageDataSheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAmΩmΩmΩmΩmΩWSTN454DN40201.03.0102527---50TO-251/TO-252[圖片]STP413DP40200.82.5123652---50TO-251/TO-252[圖片]STN4189DP40201.03.0121823---TO-251/TO-252[圖片]STN4186DN40201.03.0351315---TO-251/TO-252[圖片]STP6635GHP30201.03.040203660TO-251/TO-252[圖片]STP3052DP30201.03.025455060TO-251/TO-252[圖片]STN442DN60201.03.0372431---62TO-251/TO-252[圖片]STP601DP60201.03.0302027---60TO-251/TO-252[圖片]STN4130N60201.03.0304050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4110N60201.03.0401012---60TO-251/TO-252[圖片]STN8882DN30201.03.06057---100TO-251/TO-252[圖片]STN410DN30120.81.6154050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4102N30201.03.0153240---60TO-251/TO-252[圖片]STN484DN30201.02.53081360TO-251/TO-252[圖片]ST13P10P100202.04.013130----66TO-251/TO-252[圖片]ST16N10N100202.04.012160----79TO-251/TO-252[圖片]ST12N10DN100201.03.012170190---79TO-251/TO-252[圖片]ST36N10DN100201.03.0364042---80TO-251/TO-252[圖片]
危機(jī)、機(jī)遇，從來(lái)都是并存的！！！
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溝槽式場(chǎng)效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)
| Part No. | TYPE | VDSS | VGS | VTH | IDS | RDS(Max) | PD | Package | Data Sheet | |||||
| Min | Max | 25°C | 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | 5.0V | 25°C | ||||||
| V | V | V | V | A | m Ω | m Ω | m Ω | m Ω | m Ω | W | ||||
| STN454D | N | 40 | 20 | 1.0 | 3.0 | 10 | 25 | 27 | - | - | - | 50 | TO-251/TO-252 | |
| STP413D | P | 40 | 20 | 0.8 | 2.5 | 12 | 36 | 52 | - | - | - | 50 | TO-251/TO-252 | |
| STN4189D | P | 40 | 20 | 1.0 | 3.0 | 12 | 18 | 23 | - | - | - | TO-251/TO-252 | |
|
STN4186D |
N | 40 | 20 | 1.0 | 3.0 | 35 | 13 | 15 | - | - | - | TO-251/TO-252 | |
|
| STP6635GH | P | 30 | 20 | 1.0 | 3.0 | 40 | 20 | 36 | 60 | TO-251/TO-252 | |
|||
| STP3052D | P | 30 | 20 | 1.0 | 3.0 | 25 | 45 | 50 | 60 | TO-251/TO-252 | |
|||
| STN442D | N | 60 | 20 | 1.0 | 3.0 | 37 | 24 | 31 | - | - | - | 62 | TO-251/TO-252 | |
| STP601D | P | 60 | 20 | 1.0 | 3.0 | 30 | 20 | 27 | - | - | - | 60 | TO-251/TO-252 | |
STN4130 |
N | 60 | 20 | 1.0 | 3.0 | 30 | 40 | 50 | - | - | - | 60 | TO-251/TO-252 | |
| STN4110 | N | 60 | 20 | 1.0 | 3.0 | 40 | 10 | 12 | - | - | - | 60 | TO-251/TO-252 | |
| STN8882D | N | 30 | 20 | 1.0 | 3.0 | 60 | 5 | 7 | - | - | - | 100 | TO-251/TO-252 | |
| STN410D | N | 30 | 12 | 0.8 | 1.6 | 15 | 40 | 50 | - | - | - | 60 | TO-251/TO-252 | |
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|||
| ST13P10 | P | 100 | 20 | 2.0 | 4.0 | 13 | 130 | - | - | - | - | 66 | TO-251/TO-252 | |
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| ST12N10D | N | 100 | 20 | 1.0 | 3.0 | 12 | 170 | 190 | - | - | - | 79 | TO-251/TO-252 | |
| ST36N10D | N | 100 | 20 | 1.0 | 3.0 | 36 | 40 | 42 | - | - | - | 80 | TO-251/TO-252 | |
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臺(tái)灣大電流MOS管聯(lián)系人賀生13684977366溝槽式場(chǎng)效電晶體Trench_MOSFET(TO-251/TO-252)PartNo.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageDataSheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAmΩmΩmΩmΩmΩWSTN454DN40201.03.0102527---50TO-251/TO-252[圖片]STP413DP40200.82.5123652---50TO-251/TO-252[圖片]STN4189DP40201.03.0121823---TO-251/TO-252[圖片]STN4186DN40201.03.0351315---TO-251/TO-252[圖片]STP6635GHP30201.03.040203660TO-251/TO-252[圖片]STP3052DP30201.03.025455060TO-251/TO-252[圖片]STN442DN60201.03.0372431---62TO-251/TO-252[圖片]STP601DP60201.03.0302027---60TO-251/TO-252[圖片]STN4130N60201.03.0304050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4110N60201.03.0401012---60TO-251/TO-252[圖片]STN8882DN30201.03.06057---100TO-251/TO-252[圖片]STN410DN30120.81.6154050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4102N30201.03.0153240---60TO-251/TO-252[圖片]STN484DN30201.02.53081360TO-251/TO-252[圖片]ST13P10P100202.04.013130----66TO-251/TO-252[圖片]ST16N10N100202.04.012160----79TO-251/TO-252[圖片]ST12N10DN100201.03.012170190---79TO-251/TO-252[圖片]ST36N10DN100201.03.0364042---80TO-251/TO-252
真芯無(wú)限！！！
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@司坦森集成電路
臺(tái)灣大電流MOS管聯(lián)系人賀生13684977366溝槽式場(chǎng)效電晶體Trench_MOSFET(TO-251/TO-252)PartNo.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageDataSheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAmΩmΩmΩmΩmΩWSTN454DN40201.03.0102527---50TO-251/TO-252[圖片]STP413DP40200.82.5123652---50TO-251/TO-252[圖片]STN4189DP40201.03.0121823---TO-251/TO-252[圖片]STN4186DN40201.03.0351315---TO-251/TO-252[圖片]STP6635GHP30201.03.040203660TO-251/TO-252[圖片]STP3052DP30201.03.025455060TO-251/TO-252[圖片]STN442DN60201.03.0372431---62TO-251/TO-252[圖片]STP601DP60201.03.0302027---60TO-251/TO-252[圖片]STN4130N60201.03.0304050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4110N60201.03.0401012---60TO-251/TO-252[圖片]STN8882DN30201.03.06057---100TO-251/TO-252[圖片]STN410DN30120.81.6154050---60TO-251/TO-252[圖片]STN4102N30201.03.0153240---60TO-251/TO-252[圖片]STN484DN30201.02.53081360TO-251/TO-252[圖片]ST13P10P100202.04.013130----66TO-251/TO-252[圖片]ST16N10N100202.04.012160----79TO-251/TO-252[圖片]ST12N10DN100201.03.012170190---79TO-251/TO-252[圖片]ST36N10DN100201.03.0364042---80TO-251/TO-252
首先，來(lái)做一個(gè)實(shí)驗(yàn)，把一個(gè)MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會(huì)出現(xiàn)什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會(huì)導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢？因?yàn)槲腋緵](méi)有加驅(qū)動(dòng)電壓，MOS怎么會(huì)導(dǎo)通？用下面的圖，來(lái)做個(gè)仿真：
去探測(cè)G極的電壓，發(fā)現(xiàn)電壓波形如下：
G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會(huì)導(dǎo)通，這是因?yàn)镸OSFET的寄生參數(shù)在搗鬼。
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@stanson_tech
場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）由于具有如下優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動(dòng)電路中，這些優(yōu)點(diǎn)主要是： （1）場(chǎng)效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，從而有較高的開(kāi)關(guān)速度。 （2）具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)和二次擊穿，同時(shí)它具有正的溫度系數(shù)，容易并聯(lián)使用，可以解決大電流問(wèn)題。 （3）具有較高的開(kāi)啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設(shè)計(jì)和調(diào)試帶來(lái)很大的方便。 （4）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動(dòng)功率小，而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。詳情請(qǐng)聯(lián)絡(luò)賀生13684977366
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深圳市金萬(wàn)順電子有限公司
電話：0755-83214597
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@司坦森集成電路
首先，來(lái)做一個(gè)實(shí)驗(yàn)，把一個(gè)MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會(huì)出現(xiàn)什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會(huì)導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢？因?yàn)槲腋緵](méi)有加驅(qū)動(dòng)電壓，MOS怎么會(huì)導(dǎo)通？用下面的圖，來(lái)做個(gè)仿真：[圖片]去探測(cè)G極的電壓，發(fā)現(xiàn)電壓波形如下：[圖片]G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會(huì)導(dǎo)通，這是因?yàn)镸OSFET的寄生參數(shù)在搗鬼。
最后，對(duì)MOS管及柵極驅(qū)動(dòng)器在PDP驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用作一些總結(jié)：
（1）在Vdss、Id、Pd等參數(shù)滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數(shù)對(duì)減少MOS管的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要。
（2）柵極驅(qū)動(dòng)器起著電平轉(zhuǎn)換和隔離作用，柵極驅(qū)動(dòng)電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
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@司坦森集成電路
司坦森MOS管原廠生產(chǎn)廠家本司誠(chéng)招代理分銷商。有意向的朋友請(qǐng)電話聯(lián)系，聯(lián)系人：賀生電話13684977366。。產(chǎn)品系列2301230223052306230734003401340194354953684888358433585346069926492044358205等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電腦周邊.MP3.MP4.DVB.DVD,應(yīng)用領(lǐng)域，ＬＣＤ顯示器，ＬＣＤ ＴＶ，便攜式ＤＶＤ，車載ＤＶＤ，筆記本電腦，ＰＤＡ，電源，穩(wěn)壓器，逆變器，高壓條適配器數(shù)碼相機(jī),電子游戲機(jī).電子玩具等多重?cái)?shù)碼產(chǎn)品ST2301替代SI2301AO3423FDN302FDN342PFDN338PAPM2301APM2313APM2323STM2309ST2302替代SI2302TN0200TFDN339ANFDN371NFDN335NAPM2314APM2324ST2303替代SI2303SI2307SI2323AO3405AO3409AO3421FDN360PFDN358PFDN352APAPM2307ST2304替代SI2304SI2306AO3406AO3404NDS355ANAPM2306ST2305替代SI2305ST2341替代AO3415ST2342替代AO3416AO3420ST3400替代AO3400ST3401替代AO3401ST3407AO3407ST3413SI2321AO3413AO3419ST3414SI2412SI3418AO3414APM2300APM2312ST3403SI2341SI2307AO3403ST3402SI2316AO3402AO3418FDV303NFDN359ANFDN361ANST7400AO7400AO7410ST1413SI1303SI1307APM1401STN423APM1402ST1443SI1304SI1302ST1413ASI1413DHAO7411AO7415FDG326PST1423ASI1410DHAO7408FDG329NST1433ASI1433DHAO7405AO7405FDG316PSTP1013SI1013STN1012SI1012STP4953替代SI4953AO4803FDS8958APM4953STC4539替代SI4539APM4542STN4440替代AO4440ST9435SI9435SI4431AO4405FDS9435STP9437AO4403STP4435SI4431SI4435SI4425AO4411AO4415FDS8435FDS4435FDS6675STP9527STN4412SI4412S4416SI9410AO4412AO4414STN4426STN4346SI4362SI7442SI4404SI4888AO4404STN4392SI4346AO4430STN4402SI4420SI4882SI4820SI4894AO4420AO4422AO4466FDS6630AFDS6614AFDS6680FDS6924IRF7413STN4546STN4526STN4436STN4850STN4440AO4440STP4953SI4953AO4803FDS8958APM4953STP4803STN4920SI4920AO4812STN4828SI4900AO4828STN9926STN6303SI912AO7800FDC6335FDC6303STN6561AO6802FDC6561STN6562AO6800FDC6561STP6308SI1913AO7801FDC6308STP6506SI4447SO4443FDC6506STP6507AO6801FDC6506STC4539SI4539APM4542STC4614SI4567AOS4614STC4527STC6601SI3590AO6601FDC6432STC6602SI3552AO6602FDC6333STC6604SI3586SI3588AO6604FDC6420FDC6327APM2701CSTC6332SI1563AO7600FDC6332ST8835SG6848LD7535聯(lián)系人：賀生13684977366QQ595639271回復(fù)2帖
各位兄弟們大家好我是來(lái)自萬(wàn)國(guó)高科電子有限公司的鄭萍，我公司主要是做一些 中 高 低壓的mos管 暢銷應(yīng)用管及各參數(shù)的二極管 如肖特 基快恢復(fù) tvs 主要代理的牌子有一下幾個(gè)品牌 AOS美國(guó)萬(wàn)代 仙童 st ir 強(qiáng)茂 等品有需要的各位兄弟可聯(lián)系我，以下是我的聯(lián)系方式
AOS代理全系列場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET：
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鄭萍
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★本公司鄭重承諾所提供（AOS 美國(guó)萬(wàn)代）產(chǎn)品.均為進(jìn)口原裝正品★
產(chǎn)品參數(shù)資料：
產(chǎn)品應(yīng)用：
ME（松木）產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA顯卡、STB機(jī)頂盒、主板、鋰電池保護(hù)（PCM/BP）等產(chǎn)品，應(yīng)用型號(hào)參考如下：
鋰電池保護(hù)應(yīng)用：
SO-8： ME4336 ME4346,ME4348,ME4384,ME4410,ME4411,ME4413D,ME4936,ME4946,ME4946A,ME4948,
鋰電池保護(hù)應(yīng)用：
SO-8： ME4336 ME4346,ME4348,ME4384,ME4410,ME4411,ME4413D,ME4936,ME4946,ME4946A,ME4948,
ME4953,ME4970...
SOT-23：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,
SOT-23：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,
ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A,ME2347,ME2349D...
TSSOP-8：ME6913D,ME6914D,ME6970,ME6972,ME6968ED...
數(shù)碼相機(jī)(SOT23)：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306 ,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,
TSSOP-8：ME6913D,ME6914D,ME6970,ME6972,ME6968ED...
數(shù)碼相機(jī)(SOT23)：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306 ,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,
ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A...
手機(jī):ME3424,ME3433D,ME3443,ME3446,ME3460,ME3481,ME3941D,ME3500,ME3502,ME3585,
ME3587,ME3902,ME3946,ME3948,ME3981....
主板：ME10N03,ME10P03,ME10N06,ME12P04,ME12N04,ME15N06D4,ME20N03,ME30N03,ME32N04,
主板：ME10N03,ME10P03,ME10N06,ME12P04,ME12N04,ME15N06D4,ME20N03,ME30N03,ME32N04,
ME40N03,ME45P04,ME60N03,ME60N04,
ME70N03,ME70N30S,ME70P04,ME75N03,ME75N80CD
LCD B/L（Inverter）：ME4920,ME4922,ME4925,ME4936,ME4946...
MP3/PMP：ME1302AT3,ME1303,ME1304AT3,ME1308,ME1403D,ME1413D,ME1472,ME2301,ME2302.
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LCD B/L（Inverter）：ME4920,ME4922,ME4925,ME4936,ME4946...
MP3/PMP：ME1302AT3,ME1303,ME1304AT3,ME1308,ME1403D,ME1413D,ME1472,ME2301,ME2302.
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@hkguoda
[圖片]★本公司鄭重承諾所提供（AOS美國(guó)萬(wàn)代）產(chǎn)品.均為進(jìn)口原裝正品★ 產(chǎn)品參數(shù)資料： [圖片] 產(chǎn)品應(yīng)用： ME（松木）產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA顯卡、STB機(jī)頂盒、主板、鋰電池保護(hù)（PCM/BP）等產(chǎn)品，應(yīng)用型號(hào)參考如下：鋰電池保護(hù)應(yīng)用：SO-8： ME4336ME4346,ME4348,ME4384,ME4410,ME4411,ME4413D,ME4936,ME4946,ME4946A,ME4948,ME4953,ME4970...SOT-23：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A,ME2347,ME2349D...TSSOP-8：ME6913D,ME6914D,ME6970,ME6972,ME6968ED...數(shù)碼相機(jī)(SOT23)：ME2301,ME2302,ME2303,ME2306,ME2307,ME2308,ME2312,ME2314,ME2316,ME2318,ME2319,ME2320D,ME2323D,ME2345A...手機(jī):ME3424,ME3433D,ME3443,ME3446,ME3460,ME3481,ME3941D,ME3500,ME3502,ME3585,ME3587,ME3902,ME3946,ME3948,ME3981....主板：ME10N03,ME10P03,ME10N06,ME12P04,ME12N04,ME15N06D4,ME20N03,ME30N03,ME32N04,ME40N03,ME45P04,ME60N03,ME60N04,ME70N03,ME70N30S,ME70P04,ME75N03,ME75N80CDLCDB/L（Inverter）：ME4920,ME4922,ME4925,ME4936,ME4946...MP3/PMP：ME1302AT3,ME1303,ME1304AT3,ME1308,ME1403D,ME1413D,ME1472,ME2301,ME2302. 聯(lián)系方式：以上為部分型號(hào).需要更多型號(hào)請(qǐng)聯(lián)系以下方式：深圳市金萬(wàn)順電子有限公司地址:深圳市福田區(qū)中航路國(guó)利大廈A座2705室聯(lián)系人:陳先生電話:0755-83214597-8004QQ:1796889185傳真:0755-23805801QQ:1796889185
PDP驅(qū)動(dòng)電路是一種高壓開(kāi)關(guān)電路，電壓幅值負(fù)幾十伏到正幾百伏左右，工作頻率100~233kHz，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)選型對(duì)PDP的畫(huà)面質(zhì)量尤為重要。
在基于“開(kāi)關(guān)”的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)完成后，需要解決兩個(gè)問(wèn)題：一是選擇合適的MOS管替代驅(qū)動(dòng)電路中的“開(kāi)關(guān)”，二是進(jìn)行MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
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MOS管存在兩種轉(zhuǎn)換過(guò)程：一是導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程，二是關(guān)斷轉(zhuǎn)換過(guò)程。
右圖為MOS管導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程的示意圖，導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程分為4個(gè)區(qū)間，Vgs－t曲線是單調(diào)遞增的，對(duì)應(yīng)于MOS管柵極電容的充電過(guò)程，區(qū)間Ⅲ的平臺(tái)是由于MOS管的密勒電容引起的。可以看出，區(qū)間Ⅱ和Ⅲ的電壓與電流重疊，是MOS管導(dǎo)通過(guò)程功耗最大的區(qū)域。
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@hkguoda
代理AOS美國(guó)萬(wàn)代，MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝正品，低價(jià)實(shí)惠！AO3400(A)AO3401(A)AO3402A03403AO3406AO3407AO3409AO3413AO3414AO3415AO3416AO3418AO3422AO3423AO4403AO4407AAO4409AO4419AO4435AO4466AO4468AO4459AO4606AO4803AAO4828AO4842AO6409AO8822AO8810AO9926BAOD403AOD442AOD480AOD452ALAOD484AOD464AOD409AOD407AOD4132AO7600AO7800AOZ1094AI(AOZ1014AI)AOZ1016AI本公司承諾只做代理原裝正品，不做國(guó)產(chǎn)和假貨!需要原裝正品AOS系列的朋友請(qǐng)聯(lián)系：深圳市金萬(wàn)順電子有限公司電話：0755-83214597地址：福田區(qū)中航路國(guó)利大廈A座2705
假日綜合癥。。。
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@mfkddd2
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場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）由于具有如下優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于PDP驅(qū)動(dòng)電路中，這些優(yōu)點(diǎn)主要是：
（1）場(chǎng)效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，從而有較高的開(kāi)關(guān)速度。
（2）具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)和二次擊穿，同時(shí)它具有正的溫度系數(shù)，容易并聯(lián)使用，可以解決大電流問(wèn)題。
（3）具有較高的開(kāi)啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設(shè)計(jì)和調(diào)試帶來(lái)很大的方便。
（4）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動(dòng)功率小，而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。
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@司坦森集成電路
真芯無(wú)限！！！
MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí)，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。
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@司坦森集成電路
MOS管存在兩種轉(zhuǎn)換過(guò)程：一是導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程，二是關(guān)斷轉(zhuǎn)換過(guò)程。 右圖為MOS管導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程的示意圖，導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程分為4個(gè)區(qū)間，Vgs－t曲線是單調(diào)遞增的，對(duì)應(yīng)于MOS管柵極電容的充電過(guò)程，區(qū)間Ⅲ的平臺(tái)是由于MOS管的密勒電容引起的。可以看出，區(qū)間Ⅱ和Ⅲ的電壓與電流重疊，是MOS管導(dǎo)通過(guò)程功耗最大的區(qū)域。
第一步：選用N溝道還是P溝道
為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎?span>P溝道MOSFET，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。
要選擇適合應(yīng)用的器件，必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓，以及在設(shè)計(jì)中最簡(jiǎn)易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不會(huì)失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會(huì)隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要。設(shè)計(jì)人員必須在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)測(cè)試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個(gè)變化范圍，確保電路不會(huì)失效。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī)或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。
詳情請(qǐng)咨詢 賀生 13684977366
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@司坦森集成電路
第一步：選用N溝道還是P溝道為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOSFET，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOSFET，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。要選擇適合應(yīng)用的器件，必須確定驅(qū)動(dòng)器件所需的電壓，以及在設(shè)計(jì)中最簡(jiǎn)易執(zhí)行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不會(huì)失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會(huì)隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要。設(shè)計(jì)人員必須在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)測(cè)試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個(gè)變化范圍，確保電路不會(huì)失效。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī)或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。詳情請(qǐng)咨詢賀生13684977366
第二步：確定額定電流
第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結(jié)構(gòu)而定，該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設(shè)計(jì)人員必須確保所選的MOSFET能承受這個(gè)額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。
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@司坦森集成電路
第二步：確定額定電流第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結(jié)構(gòu)而定，該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設(shè)計(jì)人員必須確保所選的MOSFET能承受這個(gè)額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。
元芳，你怎么看？？？
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@司坦森集成電路
元芳，你怎么看？？？
培訓(xùn)繼續(xù)：
選好額定電流后，還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會(huì)越小；反之RDS(ON)就會(huì)越高。對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，這就是取決于系統(tǒng)電壓而需要折中權(quán)衡的地方。對(duì)便攜式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì)，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。
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@司坦森集成電路
培訓(xùn)繼續(xù)：選好額定電流后，還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOSFET在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會(huì)越小；反之RDS(ON)就會(huì)越高。對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，這就是取決于系統(tǒng)電壓而需要折中權(quán)衡的地方。對(duì)便攜式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì)，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。
本司代理華晶和美國(guó)FIRST福斯特MOS管、二三極管等，詳情請(qǐng)咨詢 張生QQ2223092631
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@humanpco
本司代理華晶和美國(guó)FIRST福斯特MOS管、二三極管等，詳情請(qǐng)咨詢 張生QQ2223092631
第四步：決定開(kāi)關(guān)性能
選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOSFET的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=(Eon+Eoff)×開(kāi)關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最大。
基于開(kāi)關(guān)性能的重要性，新的技術(shù)正在不斷開(kāi)發(fā)以解決這個(gè)開(kāi)關(guān)問(wèn)題。芯片尺寸的增加會(huì)加大柵極電荷；而這會(huì)使器件尺寸增大。為了減少開(kāi)關(guān)損耗，新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運(yùn)而生，旨在減少柵極電荷。舉例說(shuō)，SuperFET這種新技術(shù)就可通過(guò)降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開(kāi)關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下可靠地工作。
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@司坦森集成電路
司坦森MOS管原廠生產(chǎn)廠家本司誠(chéng)招代理分銷商。有意向的朋友請(qǐng)電話聯(lián)系，聯(lián)系人：賀生電話13684977366。。產(chǎn)品系列2301230223052306230734003401340194354953684888358433585346069926492044358205等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電腦周邊.MP3.MP4.DVB.DVD,應(yīng)用領(lǐng)域，ＬＣＤ顯示器，ＬＣＤ ＴＶ，便攜式ＤＶＤ，車載ＤＶＤ，筆記本電腦，ＰＤＡ，電源，穩(wěn)壓器，逆變器，高壓條適配器數(shù)碼相機(jī),電子游戲機(jī).電子玩具等多重?cái)?shù)碼產(chǎn)品ST2301替代SI2301AO3423FDN302FDN342PFDN338PAPM2301APM2313APM2323STM2309ST2302替代SI2302TN0200TFDN339ANFDN371NFDN335NAPM2314APM2324ST2303替代SI2303SI2307SI2323AO3405AO3409AO3421FDN360PFDN358PFDN352APAPM2307ST2304替代SI2304SI2306AO3406AO3404NDS355ANAPM2306ST2305替代SI2305ST2341替代AO3415ST2342替代AO3416AO3420ST3400替代AO3400ST3401替代AO3401ST3407AO3407ST3413SI2321AO3413AO3419ST3414SI2412SI3418AO3414APM2300APM2312ST3403SI2341SI2307AO3403ST3402SI2316AO3402AO3418FDV303NFDN359ANFDN361ANST7400AO7400AO7410ST1413SI1303SI1307APM1401STN423APM1402ST1443SI1304SI1302ST1413ASI1413DHAO7411AO7415FDG326PST1423ASI1410DHAO7408FDG329NST1433ASI1433DHAO7405AO7405FDG316PSTP1013SI1013STN1012SI1012STP4953替代SI4953AO4803FDS8958APM4953STC4539替代SI4539APM4542STN4440替代AO4440ST9435SI9435SI4431AO4405FDS9435STP9437AO4403STP4435SI4431SI4435SI4425AO4411AO4415FDS8435FDS4435FDS6675STP9527STN4412SI4412S4416SI9410AO4412AO4414STN4426STN4346SI4362SI7442SI4404SI4888AO4404STN4392SI4346AO4430STN4402SI4420SI4882SI4820SI4894AO4420AO4422AO4466FDS6630AFDS6614AFDS6680FDS6924IRF7413STN4546STN4526STN4436STN4850STN4440AO4440STP4953SI4953AO4803FDS8958APM4953STP4803STN4920SI4920AO4812STN4828SI4900AO4828STN9926STN6303SI912AO7800FDC6335FDC6303STN6561AO6802FDC6561STN6562AO6800FDC6561STP6308SI1913AO7801FDC6308STP6506SI4447SO4443FDC6506STP6507AO6801FDC6506STC4539SI4539APM4542STC4614SI4567AOS4614STC4527STC6601SI3590AO6601FDC6432STC6602SI3552AO6602FDC6333STC6604SI3586SI3588AO6604FDC6420FDC6327APM2701CSTC6332SI1563AO7600FDC6332ST8835SG6848LD7535聯(lián)系人：賀生13684977366QQ595639271回復(fù)2帖
11.11你脫光了嗎？？？
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@司坦森集成電路
第四步：決定開(kāi)關(guān)性能選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOSFET的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=(Eon+Eoff)×開(kāi)關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最大。基于開(kāi)關(guān)性能的重要性，新的技術(shù)正在不斷開(kāi)發(fā)以解決這個(gè)開(kāi)關(guān)問(wèn)題。芯片尺寸的增加會(huì)加大柵極電荷；而這會(huì)使器件尺寸增大。為了減少開(kāi)關(guān)損耗，新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運(yùn)而生，旨在減少柵極電荷。舉例說(shuō)，SuperFET這種新技術(shù)就可通過(guò)降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開(kāi)關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下可靠地工作。
基于開(kāi)關(guān)性能的重要性，新的技術(shù)正在不斷開(kāi)發(fā)以解決這個(gè)開(kāi)關(guān)問(wèn)題。芯片尺寸的增加會(huì)加大柵極電荷；而這會(huì)使器件尺寸增大。為了減少開(kāi)關(guān)損耗，新的技術(shù)如溝道厚底氧化已經(jīng)應(yīng)運(yùn)而生，旨在減少柵極電荷。舉例說(shuō)，SuperFET這種新技術(shù)就可通過(guò)降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開(kāi)關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開(kāi)關(guān)頻率下可靠地工作。
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