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低壓大電流場效應MOS管 司坦森集成電路?。?！

 

Tel:13684977366 賀 生

QQ:595639271

 

司坦森集成電路是一家臺系、專業場效應MOSFET設計開發生產商

全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.

原廠供應。性價比優厚。

主推料號：

ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…

ST3400,ST3401，3402….ST3413…

STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…

STC4606,STN4828(專用inverter)

STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10

STP3052。。。(TO-252/251)

……

原廠現貨，歡迎來電垂詢!

司坦森集成電路

http//www.stansontech.com

Tel:13684977366 賀  生

QQ:595639271

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2012-06-07 13:22
物料齊全，總有一款適合你。。。
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2012-06-12 09:49
@stanson_tech
物料齊全，總有一款適合你。。。
標準做到全面，服務做到無限?。。?/div>
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2012-06-14 13:45
打醬油。。。
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2012-06-18 10:20
 
場效應管（MOSFET）由于具有如下優點而廣泛應用于PDP驅動電路中，這些優點主要是：
　?。?/b>1）場效應管是多數載流子導電，不存在少數載流子的存儲效應，從而有較高的開關速度。
　?。?/b>2）具有較寬的安全工作區而不會產生熱點和二次擊穿，同時它具有正的溫度系數，容易并聯使用，可以解決大電流問題。
　?。?/b>3）具有較高的開啟電壓，即閾值電壓，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力，給電路設計和調試帶來很大的方便。
　?。?/b>4）由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅動功率小，而且驅動電路簡單。
詳情請聯絡  賀生  13684977366
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2012-06-20 09:42

培訓繼續。。。

等離子電視（PDP）是利用惰性氣體放電產生的真空紫外線VUV，激發低能熒光粉發光來實現彩色圖像顯示的。PDP工作需要驅動電路產生高壓脈沖來驅動屏體電極。PDP驅動電路中存在大量的功率開關器件，并要求功率開關器件有極快的開關速度（包括由導通轉向截止的過渡時間Toff，和由截止轉向導通的過渡時間Ton），以及大電流、高耐壓的要求。
司坦森 賀生 13684977366
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2012-06-25 10:06
@stanson_tech
培訓繼續。。。等離子電視（PDP）是利用惰性氣體放電產生的真空紫外線VUV，激發低能熒光粉發光來實現彩色圖像顯示的。PDP工作需要驅動電路產生高壓脈沖來驅動屏體電極。PDP驅動電路中存在大量的功率開關器件，并要求功率開關器件有極快的開關速度（包括由導通轉向截止的過渡時間Toff，和由截止轉向導通的過渡時間Ton），以及大電流、高耐壓的要求。司坦森賀生13684977366

選用MOS管必須參考的幾大參數指標：

1）耐壓BVdss(V)
（2）最大直流漏電流Id(A)
（3）漏源導通電阻Rds(on)(Ω或mΩ)
（4）漏極功耗Pd(W)
（5）輸入電容Ciss(pF)
（6）上升時間tr(ns)　導通時間ton(ns)　下降時間tf(ns)
　　  關斷時間toff(ns)　反向恢復時間trr(ns)
（7）柵極總電荷Qg(nC)
（8）溝道溫度Tch（℃）　結溫度Tj（℃）
（9）微分電壓dv/dt(V/ns)
（10）熱阻Rthck(K/W
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2012-06-27 13:25
@stanson_tech
選用MOS管必須參考的幾大參數指標：1）耐壓BVdss(V)（2）最大直流漏電流Id(A)（3）漏源導通電阻Rds(on)(Ω或mΩ)（4）漏極功耗Pd(W)（5）輸入電容Ciss(pF)（6）上升時間tr(ns)　導通時間ton(ns)　下降時間tf(ns)　　 關斷時間toff(ns)　反向恢復時間trr(ns)（7）柵極總電荷Qg(nC)（8）溝道溫度Tch（℃）　結溫度Tj（℃）（9）微分電壓dv/dt(V/ns)（10）熱阻Rthck(K/W
 
通過以上對MOS管轉換過程的分析，得出對MOS管柵極驅動電路的要求：
　?。?/b>1）柵極驅動電路的延遲時間要小，有助于減少柵壓Vgs的上升時間。
　?。?/b>2）柵極驅動電路的輸出峰值電流要大，大的峰值電流可以大大縮短密勒電容的充放電時間，從而縮短平臺的持續時間。
　?。?/b>3）柵極驅動電壓的變化率dv/dt要大，以便縮短柵壓Vgs的上升或下降時間。
　　滿足上述要求的柵極驅動電路，能夠加快MOS管的轉換過程，減少電壓Vds與電流Id的重疊區域，有助于減少MOS管的開關損耗。也就是說，柵極驅動電路是影響MOS開關損耗的外界因素，而性能優良的MOS是獲得低開關損耗和導通損耗的內在因素。
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2012-07-02 09:28
@stanson_tech
選用MOS管必須參考的幾大參數指標：1）耐壓BVdss(V)（2）最大直流漏電流Id(A)（3）漏源導通電阻Rds(on)(Ω或mΩ)（4）漏極功耗Pd(W)（5）輸入電容Ciss(pF)（6）上升時間tr(ns)　導通時間ton(ns)　下降時間tf(ns)　　 關斷時間toff(ns)　反向恢復時間trr(ns)（7）柵極總電荷Qg(nC)（8）溝道溫度Tch（℃）　結溫度Tj（℃）（9）微分電壓dv/dt(V/ns)（10）熱阻Rthck(K/W
期待下一節培訓跟上?。?！
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2012-07-05 10:37
@stanson_tech
期待下一節培訓跟上！??！

培訓繼續。。。

理想的柵極驅動器是高速開關和高峰值電流兩者的結合，而高性能的MOS管，能夠減少對柵極驅動器的要求，簡化柵極驅動電路的設計，優良的柵極驅動電路與高性能的MOS管相結合，才能制作出高性能的PDP驅動電路。
　　目前，柵極驅動電路有現成的專用IC（柵極驅動器），如IR產的IR2110S、IXYS產的IX6R11S3等。
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2012-07-06 14:09
@stanson_tech
 通過以上對MOS管轉換過程的分析，得出對MOS管柵極驅動電路的要求：　　（1）柵極驅動電路的延遲時間要小，有助于減少柵壓Vgs的上升時間。　?。?）柵極驅動電路的輸出峰值電流要大，大的峰值電流可以大大縮短密勒電容的充放電時間，從而縮短平臺的持續時間?！　。?）柵極驅動電壓的變化率dv/dt要大，以便縮短柵壓Vgs的上升或下降時間?！　M足上述要求的柵極驅動電路，能夠加快MOS管的轉換過程，減少電壓Vds與電流Id的重疊區域，有助于減少MOS管的開關損耗。也就是說，柵極驅動電路是影響MOS開關損耗的外界因素，而性能優良的MOS是獲得低開關損耗和導通損耗的內在因素。
相當給力！
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2012-07-09 11:19
@stanson_tech
物料齊全，總有一款適合你。。。
搜索。。。；。
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2012-07-11 10:46
 
最后，對MOS管及柵極驅動器在PDP驅動電路中的應用作一些總結：
　?。?/b>1）在Vdss、Id、Pd等參數滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數對減少MOS管的導通損耗和開關損耗至關重要。
　?。?/b>2）柵極驅動器起著電平轉換和隔離作用，柵極驅動電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
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2012-07-13 09:34
@stanson_tech
 最后，對MOS管及柵極驅動器在PDP驅動電路中的應用作一些總結：　　（1）在Vdss、Id、Pd等參數滿足要求的前提下，Rds(on)、trr、Ciss、Qg等參數對減少MOS管的導通損耗和開關損耗至關重要?！　。?）柵極驅動器起著電平轉換和隔離作用，柵極驅動電路至少能提供2A以上的峰值輸出電流，還要有高速的電壓變化率（dv/dt）。
培訓還有不？？？
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2012-07-16 09:36
@stanson_tech
期待下一節培訓跟上?。?！
期待奧運、。。。
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2012-07-17 15:12
@stanson_tech
培訓繼續。。。理想的柵極驅動器是高速開關和高峰值電流兩者的結合，而高性能的MOS管，能夠減少對柵極驅動器的要求，簡化柵極驅動電路的設計，優良的柵極驅動電路與高性能的MOS管相結合，才能制作出高性能的PDP驅動電路?！　∧壳?，柵極驅動電路有現成的專用IC（柵極驅動器），如IR產的IR2110S、IXYS產的IX6R11S3等。
原裝正品、假一賠十。。。
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2012-07-23 11:15
@stanson_tech
 通過以上對MOS管轉換過程的分析，得出對MOS管柵極驅動電路的要求：　?。?）柵極驅動電路的延遲時間要小，有助于減少柵壓Vgs的上升時間?！　。?）柵極驅動電路的輸出峰值電流要大，大的峰值電流可以大大縮短密勒電容的充放電時間，從而縮短平臺的持續時間?！　。?）柵極驅動電壓的變化率dv/dt要大，以便縮短柵壓Vgs的上升或下降時間?！　M足上述要求的柵極驅動電路，能夠加快MOS管的轉換過程，減少電壓Vds與電流Id的重疊區域，有助于減少MOS管的開關損耗。也就是說，柵極驅動電路是影響MOS開關損耗的外界因素，而性能優良的MOS是獲得低開關損耗和導通損耗的內在因素。
秋盹。。
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2012-07-26 09:37
@stanson_tech
培訓還有不？？？
培訓繼續啊。。。
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