設(shè)計(jì)一款20W日光燈電源
隔離方案
輸入電壓:AC85-265V
輸入頻率:50-60Hz
輸入功率:20W
輸出電壓:60-70V
輸出電流:0.285A
效率:0.86
功率因數(shù):≥0.98以上
電流總諧波:≤10%
設(shè)計(jì)一款20W日光燈電源
隔離方案
輸入電壓:AC85-265V
輸入頻率:50-60Hz
輸入功率:20W
輸出電壓:60-70V
輸出電流:0.285A
效率:0.86
功率因數(shù):≥0.98以上
電流總諧波:≤10%
(轉(zhuǎn)載)MT7930 電源驅(qū)動(dòng)板常見問題及解決方法,
1. MT7930 的有源 PFC 及恒流原理
MT7930 是一款單級(jí) APFC(有源 PFC)及 CC(恒流)的 LED 驅(qū)動(dòng)芯片。BOM 少,成本低,設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,保護(hù)功能齊全。
由于輔助繞組的電壓波形在功率 MOS 管關(guān)斷期間與輸出電壓成比例關(guān)系,因此 MT7930通過(guò)對(duì)輔助繞組的電壓波形進(jìn)行檢測(cè)來(lái)對(duì)輸出電流、電壓進(jìn)行間接檢測(cè)。然后第 4 腳 COMP腳的外接補(bǔ)償電容,對(duì)高開關(guān)頻率的輸出電流進(jìn)行長(zhǎng)程平均(濾波周期小于 10ms,也即是小于市電經(jīng)過(guò)全橋整流后的 10ms 周期)。該長(zhǎng)程平均值再與內(nèi)部的參考電平(400mV)進(jìn)行比較,從而產(chǎn)生 PWM 控制波形對(duì)功率 MOS 管進(jìn)行控制。從而達(dá)到恒流輸出的目的。由于 MT7930 是采用平均電流模式來(lái)對(duì)輸出電流進(jìn)行恒流,因此輸出電流與輸入電壓,輸出電壓均無(wú)關(guān),同時(shí)也對(duì)變壓器電感不敏感。MT7930 通過(guò) COMP 腳(第 4 腳)的補(bǔ)償電容進(jìn)行長(zhǎng)程平均,因此 COMP 腳上的電壓信號(hào)在一個(gè)正弦波周期內(nèi)基本保持不變。而 MT7930 內(nèi)部正是通過(guò) COMP 腳的電壓來(lái)控制源邊的開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間。當(dāng)輸入市電的電壓確定后,COMP 腳的平均電壓就確定了,也即是開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間確定了,因此源邊的峰值電流就會(huì)跟隨輸入正弦波電壓變化而變化(源邊峰值電流
= I P _ PK =Vin · sin(ùt )· Ton
Lp
式中 Lp 為源邊電感,Ton 為導(dǎo)通時(shí)間。Lp 和 Ton 確定了,
源邊峰值電流就隨著輸入的正弦電壓變化而變化)。這樣源邊電流就隨著輸入電壓變化而變化,高 PF 值就達(dá)到了。從上面的說(shuō)明可以看出,COMP 腳的補(bǔ)償電容越大,系統(tǒng)的平均時(shí)間越長(zhǎng),則 COMP 腳的電壓信號(hào)越穩(wěn)定,即開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間越恒定,就可以達(dá)到更高的 PF 值。但 COMP 電容越大,系統(tǒng)的環(huán)路響應(yīng)也就越慢,同時(shí),啟動(dòng)的時(shí)間也越長(zhǎng)(因?yàn)?/span> COMP 腳要花更長(zhǎng)的時(shí)間達(dá)到穩(wěn)定值)。因此 COMP 腳電容也不是越大越好,一般取值在 470nF ~ 1uF,680nF 是一個(gè)比較好的折中值。
2. 線性調(diào)整率差或負(fù)載調(diào)整率差
(1) 如果變壓器的空閑時(shí)間不夠,會(huì)造成線性調(diào)整率差,尤其是在 AC85V 輸入時(shí),測(cè)量 MOS 漏極波形在導(dǎo)通前的振鈴信號(hào)的時(shí)間(即最小空閑時(shí)間),這段時(shí)間需要大于 2uS 或周期的 10%;
(2) Comp 腳的電容小到 pF 量級(jí);
(3) MOS 管柵極是否有二極管;
(4) 檢查 MOS 管柵極的驅(qū)動(dòng)二極管方向是否正確;如果方向錯(cuò)誤,則會(huì)導(dǎo)致 Io 隨 AC 電壓的升高而升高,Io 可能變化 50mA 以上;
(5) 檢查 PCB 排版,主要有以下幾個(gè)方面:
輔助供電電容和 CS 腳的緩沖電阻靠近芯片放置;
芯片 Dsen 引腳與 GND 間的電容和電阻靠近芯片放置;
變壓器的“正”端(電壓交變點(diǎn))走線盡量短而粗,且遠(yuǎn)離芯片的 Dsen 腳和 CS
腳,使其不受干擾;
(6) AC 輸入端的串聯(lián)阻抗大,如串聯(lián)的差模電感、共模電感、熱敏電阻等的阻抗太大;
(7) 輔助繞組是否夾繞在初次級(jí)之間;
(8) 變壓器的干擾:如果變壓器離 Dsen 腳走線和 CS 腳走線距離太近,則會(huì)干擾導(dǎo)通時(shí)間和周期;
此時(shí),應(yīng)該在變壓器安裝完成后,再加一層外屏蔽銅箔,銅箔需要接初級(jí) GND;
(9) MOS 管的 Rds_on太大;
(10) MOS 管的 Ciss 太大;
(11) 在計(jì)算表格中,“MOS 管的導(dǎo)通壓降”取值太小,需根據(jù)高溫時(shí)的壓降來(lái)取值;
(12) 芯片的 Dsen引腳與芯片的GND引腳間電容值大于33pF
3. 輸出電流偏低
(1) MOS管漏極檢流電阻的地與芯片的地之間的走線要短而寬!
(2) 用示波器觀察芯片的CS腳波形是否異常的尖脈沖干擾,如有,檢查PCB走線。
4. 高溫或老化時(shí)輸出電流下降,常溫下正常
(1) 在高溫時(shí) MOS管的導(dǎo)通電阻Rds_on會(huì)增大,在120℃時(shí)會(huì)是常溫25℃的一倍,
如果MOS 管的質(zhì)量不好,在120℃時(shí)其Rds_on會(huì)增大更多,影響輸出電流;
(2) 變壓器飽和:磁芯在高溫的飽和磁通密度會(huì)下降,在設(shè)計(jì)變壓器時(shí)最大飽和磁
通密度 Bmax的取值需小于0.3;
(3) 輸出二極管為肖特基二極管且散熱不好;
(4) 使用劣質(zhì)磁芯,劣質(zhì)磁芯在高溫時(shí)最大飽和磁通密度Bmax下降得過(guò)低,標(biāo)準(zhǔn)的
磁芯此值在100℃時(shí)為 0.39,在120℃時(shí)為0.35。
5. 不恒流
(1) 芯片 Comp引腳的電容值太小;
(2) PCB 布線不好,Dsen腳和CS腳受到干擾;
(3) 輔助繞組與次級(jí)繞組耦合不好,改善變壓器繞法,使其兩繞組緊挨著繞制,輔
助繞組疏繞,最好多股細(xì)線并繞平鋪疏繞。
6. 開機(jī)燒 MOSFET
(1) MOS管漏極的檢流電阻計(jì)算是否合理;
(2) 變壓器電感量是否合理;
(3) MOS管柵極是否被拉高。
7. PF值低
(1) 芯片的 comp腳電容值太小;
(2) 若只在高溫時(shí)偏低或者電源工作一段時(shí)間后功率因數(shù)值偏低,則此電容熱穩(wěn)定
性差,請(qǐng)使用穩(wěn)定性好的NPO或X7R 系列瓷片電容。
(提高功率因數(shù)值也會(huì)降低THD諧波失真)
8. 啟動(dòng)時(shí)間長(zhǎng) @ AC85V、輸出有電解的方案中
STP腳的啟動(dòng)電阻值給芯片供電電容的充電時(shí)間長(zhǎng)導(dǎo)致;
(1) 減小 STP腳的啟動(dòng)電阻值,但總電阻值不能低于300kΩ;
(2) 減小電容芯片供電電容的容量,但也不能太小,要保證一次啟動(dòng)成功,一般可
選4.7uF~22uF電解電容,或選10uF~33uF貼片電容。
(3) MOS管的柵極 Ciss電容大,需要啟動(dòng)電阻和VDD供電電容提供更多的能量,這種情況需加大VDD供電電容值。
9. 效率偏低
(1) MOS管柵極是否有二極管
(2) 輸出電流波形低頻紋波大,需加大輸出電容量
(3) 變壓器是三明治繞法嗎?
(4) AC 輸入端的串聯(lián)阻抗大,如串聯(lián)的差模電感、共模電感、熱敏電阻等的阻抗太大;
(5) 次級(jí)整流二極管是否為低壓降的快恢復(fù)型;
(6) MOS管的體電阻Rds_on太大
(7) 初級(jí)繞組吸收電路電阻值小、電容值大。
10. 開路限壓
Dsen腳兩電阻的比值大會(huì)導(dǎo)致開路輸出電壓高;
如果比值太小,不能兼容最高輸出電壓,同時(shí)如果輸出使用延時(shí)時(shí)間比較長(zhǎng)的電子負(fù)載
時(shí),在電子負(fù)載還沒有正式進(jìn)入正常工作狀態(tài)電源會(huì)進(jìn)入開路保護(hù)模式;
11. 短路保護(hù)功能失效
(1) Dsen腳兩電阻的比值過(guò)小;
(2) 芯片的 Dsen 引腳與芯片的 GND 引腳間的信號(hào)受到其它信號(hào)的干擾,使其在輸
出短路的情況下,Dsen腳檢測(cè)的電壓高于200mV,請(qǐng)檢查PCB走線;
(3) 芯片的 Dsen 引腳與芯片的 GND 引腳間電容有,且不小于 22pF,且靠近芯片放
置,此電容不能太大,一般取值22pF;
(4) 在高溫時(shí)短路保護(hù)功能失效,檢查芯片的 Dsen 引腳與芯片的 GND 引腳間電容
值是22pF是否是熱穩(wěn)定性好的NPO或者 X7R 類型;