VGS電壓超高

最近做了一個(gè)用RCC方式工作的12V充電器，發(fā)現(xiàn)一個(gè)很有趣的問題。220V輸入空載時(shí)MOS管VGS電壓峰值達(dá)到30V，負(fù)載時(shí)峰值電壓能達(dá)到45V，MOS管采用的是2N60、變壓器是EE22。但在充電時(shí)多正常，輸出1.3A時(shí)老化一個(gè)星期MOS管溫度只有一點(diǎn)微熱、變壓器也差不多溫度，一點(diǎn)也不燙，空載老化一星期也一樣。這樣高的VGS電壓MOS管卻沒事，我自已也搞糊涂了特來請(qǐng)教大家。

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zq2007

LV.11

2012-02-16 20:47

樓主，你的電路圖呢？

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houran77

LV.6

2012-02-16 22:45

建議在mos管的門極加鉗位二極管或修改變壓器參數(shù)，高的門極電壓，mos管沒壞，只能代表管子現(xiàn)在耐的住，但是不一定安全。

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zq2007

LV.11

2012-02-17 13:09

@houran77

建議在mos管的門極加鉗位二極管或修改變壓器參數(shù)，高的門極電壓，mos管沒壞，只能代表管子現(xiàn)在耐的住，但是不一定安全。

GS間加一個(gè)電阻試試。

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rainever

LV.8

2012-02-17 16:41

搞不好是你的probe problem啦

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fsxqw

LV.9

2012-02-17 17:01

@rainever

搞不好是你的probeproblem啦

RCC用MOS做功率管的話還是建議VGS電壓適當(dāng)提高點(diǎn)，但是樓主35V的峰值太危險(xiǎn)了，萬(wàn)一來料參數(shù)變化了怎么辦啊？

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世界真奇妙

2012-02-17 20:00

離“死亡”不遠(yuǎn)了。記住MOSFET的VGS長(zhǎng)期可靠工作電壓是小于20V，短時(shí)極限耐壓可能超過50V。就像一個(gè)薄膜電容長(zhǎng)期可靠工作電壓是DC630V，短時(shí)極限耐壓可能超過DC1500V。

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ivwsyu

LV.2

2012-02-17 21:18

其實(shí)問題已經(jīng)解決了，就是在G到GND之間加了一個(gè)小電容。但另我想不通的是連續(xù)工作了20天左右也沒有問題，更奇怪的是空載和負(fù)載后MOS管和變壓器一點(diǎn)也不熱。我把電壓限制在24V左右MOS管反到有點(diǎn)溫度。望各位高手不吝賜教，小第這幾天為這事頭疼了好幾天還是想不明白。

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