2011即將逝去，在這一年大家都經歷了許多新新事物，我也在歲末再次將高頻機一舉攻下4500W。
這個帖子里的機器是對各個元件的性能的一種考驗，目的是嚴重能在極端條件下，機器具備應有的性能，而不會產生
致命的炸管的目的。

本貼的目的1，將這個東西發出來，是為了驗證一些芯片的性能情況；

本貼的目的2，將這個東西發出來，讓大家多提一些寶貴意見，以及改進的情況，因為一個人要聽得到別人的優良建議，
才能讓自己提高，讓自己設計水平提高，讓自己設計出來的產品品質提高！

本貼的目的3，希望不要引來吵架和叫罵聲，呵呵。

這次的機器里的控制核心板是和工頻機的核心板一模一樣，也就是說，一套控制板兼容高頻機，和工頻機的電路結構，
只需要更改2-3個元件即可高頻，工頻機互相使用，所有的保護模式自動完成。

在這個帖子里展示的是高頻機的部分，至于工頻部分我的另外一個帖子里頭已經全部提及，主芯片都是采用TDS1093，有興趣的朋友
可以先看看工頻機的：http://bbs.dianyuan.com/topic/708783  ，這個帖子里頭的高頻機控制板也是和工頻的機的一樣，
稍后發出照片大家就能明白了。

下面先來看看照片，在接下來的部分，我會一一分解每個部分，以及每個部分為何需要這樣做，有些地方，可能有人看起來
覺得會是多余的，但是如果你是一個行業人士，并且每天摸逆變，你就知道為何要這么做了。

• AUSU1: FDA50N50長時間可以負載2500W阻性，風冷情況下，4500W需要改IGBT，后續會陸續更新高難度的IGBT單管上去實現4500W，由于感性負載非常麻煩，到時候會更新感性負載情況，現有的配置，負載2P空調是沒有問題，極限測試。
• AUSU2: IRFP260,2對，DC48V輸入，搭載EE65主變，完美支持2500W功率運行，長時間運行風冷足夠，要支持4500W連續運行，需要IXTQ96N20  3對使用開環推挽軟開關，板上已經預留好3個位置來實現，次級諧振電容，初級2個MOSFET  D-S直接的電容。在2500W內完全沒有必要采用軟開關，圖中的我就沒有采用。
• 采用全隔離設計，特別是H橋，我采用了完全獨立的輔助電源驅動高壓MOSFET，因為后面需要采用200A 600V左右的IGBT單管，所以我也采用了負壓電路，有了這個，不論是MOSFET，還是高壓IGBT，都可以通殺了。
• 采用完善的短路檢測，對于容性負載和感性負載都做了參數優化，抗沖擊能力已經做到我想要的水平了。

主板全照：

輸入側：

輸出側：

升壓MOSFET:

SG3525：

高壓電解：

EE65主變：

控制側：

FDA50N50，高壓MOSFET牛管，非常強悍！

第二道輔助電源部分：

風扇智能控制部分：

LC濾波部分：

一級共模濾波部分：

最后來張控制板照片，兄弟們對比之前的那個工頻機器的帖子里頭的控制，是否是一樣的呢？

后續更新測試情況，至于波形問題，那個已經不是重點了，因為做一個THD小于3%的漂亮波形對于這個來說已經不是任何難度了。（我加了一級共模濾波是為了讓THD指標更加優化一點）