6. 計算CCM模式時初級峰值電流：

7. 確定磁芯的△B：

采用JFE EE16 MB1H磁芯，其Ae=19.2mm2

MB1H磁芯材質特性如下：

由表中可得：

在100℃時，飽和磁通密度Bs=460mT，剩余磁通密度Br=80mT。

為了防止磁芯出現瞬態飽和效應，一般會預留部分余量，所以磁通密度取85%，則：

△B=0.85*（460-80）=323mT=0.323T

8. 計算初級線圈匝數：

9. 計算次級線圈匝數：

次級匝數為9.2Ts，可取9Ts或10Ts。

10. 計算次級線圈直徑：

考慮到次級線圈匝數較少，電流密度Js可稍取大些，一般取4~6A/mm2，這里取j=6A/mm2，則：

取標準規格線徑0.65mm

11. 確認BOBBIN繞組結構和次級匝數：

次級0.65mm的三重絕緣線實際外徑為0.85mm，

從圖中可以看出，EE1614的BOBBIN幅寬為8.7mm，考慮到進出線需彎折和增加鐵氟龍套管，需預留約1Ts繞線空間則可繞線匝數為：

即可繞線匝數為9Ts，取次級匝數Ns=9Ts

12. 代算初級線圈匝數：

在線圈匝數取整的同時，需使初次級具有相同的安匝數。

根據次級調整后的初級匝數為：

13. 計算反饋線圈匝數：

PWM IC 供電電壓定義15V，反饋整流二極管采用普通硅整流二極管，取其正向導通壓降VD=1.1V，則：

14. 計算初級線圈輸入有效值電流：

15. 計算初級線圈直徑：

考慮到初級線圈匝數較多，且線包內部散熱不佳，取電流密度Jp=4A/mm2，則：

16. 確認BOBBIN繞線空間：

Vcc電流較小,NV線徑取0.1mm，屏蔽繞組線徑同樣取0.1mm，0.1mm的漆包線外徑為0.12mm；

絕緣Tape采用0.025mm后的麥拉膠帶，每組線圈繞外加一層Tape，最外層加強絕緣采用2層Tape;

則繞線結構如下圖：

繞線占用BOBBIN最小深度為：

0.20+0.20+0.025+0.12+0.025+0.85+0.025+0.12+0.025+0.20+0.20+0.025+0.12+0.025+0.025=2.185mm

EE1614 BOBBIN側視圖如下：

可以看出其可容納繞線深度為：

2.185mm < 3.075mm,即繞線結構OK。

到此，此變壓器設計算是完成。

其中，有2點需要注意：

1. 以上計算出來的電感量為零界模式時電感量，若需要工作在DCM模式，則適當減小此電感量；若需要電路工作在CCM模式，可稍增大此電感量；但需要考慮到磁芯飽和問題。

2. 對于△B取值，有條件的情況下建議取磁通密度的60%~75%

完。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。