沒有看到別人的計算公司，我大概這么算的。

比如1000W220V,有效電流為4.5A,效率0.9的話就要5A,峰值是5*1.4=7A,最小M=0.8的話。脈沖電流=7/0.8=8.75A.如果峰值功率加倍的話，電流可以選擇17A的MOS。

謝謝大俠賜教，還有一個問題想請教，3-5KW以上的逆變器H橋用MOS管，還是IGBT呢？

IGBT要負壓關斷，幫畫個圖好嗎？用SG3525   50hz  ， 在此謝過。 

還有DC升壓AC（未整流）用指針萬用表或數字萬用表測得多少值為準？

看了很多貼都是整流濾波后315V DC  如果做方波后級會不會接負載瞬間電壓過高而燒壞電器？

首先計算管子上需要承受的電流，I = W / U，比如做1000W的逆變器，輸出交流220V ，那么平均電流大約在5A，

然后去選擇管子，MOSFET有項指標叫Id，比如IRF840的管子Id為8A，IRFP460的管子的Id為20A，這樣表面看貌似1000W的逆變器采用IRF840也勉強可以勝任，IRFP460則綽綽有余，這時我們還要計算管子的耗散功率，就是發熱情況

所以要考慮管子的導通阻抗，比如IRF840的導通阻抗Rds(on)是0.85歐，那么在管子上產生的發熱功率是5*5*0.85 = 20W，而且還不考慮開關損耗帶來的發熱，那么肯定是要炸管的；如果采用IRFP460，導通阻抗Rds(on)是0.27歐，那么發熱功率是5*5*0.27 =6.75W，那么加個大一點的散熱片還是可以完成的

在MOSFET選型時,Rds(on)是一個重要指標，需要考慮系統的散熱能力，選擇適合的管子，我見過很多人說管子明明可以承受多少多少電流，但最后還是燒管，其中很多都是沒有考慮管子的發熱情況