計算過程：
初級跟輔助是不是T數一樣啊
這個圖做出來上機燒MOS管。。MOS熱，求高手指教
正激變壓器這樣設計方法可行？有圖，有真相，正激第一次做
全部回復(7)
正序查看
倒序查看
@ZZZYL
變壓器計算全錯了，如果是反澂這種計算方法還可以，正激就大錯了。一是正激副邊不是一個儲能電感，不適應用此式子算副邊匝數，二是反射電壓也不適用此式。原邊53T差不多,副邊應至少11T。
看一下人家的計算方法對不：
Input：Uin=220VAC，50HZ，
Output：Uout=32VDC，Io=3A，輔助輸出±15V，輔助供電：10V
Po=110W
f=65KHZ，η=80%，Dmax=0.4
計算過程：
Uinmin=1.2*0.8*Uin=211V Uinmax=1.4*1.2*Uin=370V
T=1/f=15.4μs
Ton=Dmax*T=6.16μs； Toff=T-Ton=9.24μs
Pin=Po/η=137.5W
副邊匝數：
設B=0.2，磁芯EI40Ae=148mm2
Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T
反射電壓：
Uor=Uinmin*Dmax/（1-Dmax）=141V
匝比：
N=Uor/（Uout+Ud）=141/33=4.27
原邊匝數：
Np=N*Ns=4.27*11≈47T
輔助輸出副邊匝數Nf=Np/（Uor/15V）≈5T
輔助供電：Np/（Uor/10V）≈4T
原邊感量計算：
設輸出30W時進入臨界模式，則此時的原邊平均電流
Iavg=（Pocrm/η）/Uinmin=0.178A
由于Iavg=0.5*Dmax*Ipkcrm，所以Ipkcrm=2*Iavg/Dmax=0.89A
臨界電感儲能：Wlcrm=（Pocrm/η）/f=577μJ
由于Wlcrm=0.5*Lcrm*Ipkcrm2，故可求出Lcrm=2*Wlcrm/Ipkcrm2=1.457mH
滿載原邊峰值電流的計算：
平均電流Ia=Pin/Uinmin=0.65A
開關管導通時的電流增量δI=Ia*T/Ton=1.625A
CCM下，設Ipk2=3Ipk1，則δI=Ipk2-Ipk1=2*Ipk1，故Ipk1=δI/2=0.8125A
Ipk2=3Ipk1=2.4375A
線徑選擇：電流密度取4.5A/mm2，趨膚深度h=75/√f=0.29mm，故線徑<2*h=0.58mm
所以原邊電流有效值為Iprsm=√[（Ipk12+Ipk22+Ipk1*Ipk2）*D/3]=1.07A則線截面積為Sp=Iprsm/4.5=0.238mm2
同理副邊電流有效值為Isrsm=4.47A則線截面積Ss=Isrsm/4.5=0.994mm2
由以上可算出，原邊線徑0.41mm*2，副邊0.55mm*5
實際繞制變壓器的Lp=1580μH；Lr=21μH
所以RCD吸收的能量Wlr=0.5*Lr*Ipk22=62.38μJ,功率為Plr=Wlr*f=4.055W
設RCD電容兩端電壓等于反射電壓的2倍則R>（2Uor）2/4.2=19.6K
C=T/R約取589pF
MOS管是SSP6N90A, 6A，900V
Np=(Ui*Dmax)/(Ae*Bmax*f)
Ui:最低輸入電壓,V
Dmax:最低輸入電壓時的最大占空比,一般為0.2-0.4;
Ae:變壓器磁芯有效截面積;m^2
Bmax:最高溫度下磁芯的最大磁通密度,一般鐵氧體為0.16-0.2T;
0
回復
@chenhaijun9797
看一下人家的計算方法對不：Input：Uin=220VAC，50HZ，Output：Uout=32VDC，Io=3A，輔助輸出±15V，輔助供電：10VPo=110Wf=65KHZ，η=80%，Dmax=0.4 計算過程：Uinmin=1.2*0.8*Uin=211V Uinmax=1.4*1.2*Uin=370VT=1/f=15.4μsTon=Dmax*T=6.16μs； Toff=T-Ton=9.24μsPin=Po/η=137.5W 副邊匝數：設B=0.2，磁芯EI40Ae=148mm2Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T 反射電壓：Uor=Uinmin*Dmax/（1-Dmax）=141V 匝比：N=Uor/（Uout+Ud）=141/33=4.27 原邊匝數：Np=N*Ns=4.27*11≈47T 輔助輸出副邊匝數Nf=Np/（Uor/15V）≈5T輔助供電：Np/（Uor/10V）≈4T原邊感量計算：設輸出30W時進入臨界模式，則此時的原邊平均電流Iavg=（Pocrm/η）/Uinmin=0.178A由于Iavg=0.5*Dmax*Ipkcrm，所以Ipkcrm=2*Iavg/Dmax=0.89A臨界電感儲能：Wlcrm=（Pocrm/η）/f=577μJ由于Wlcrm=0.5*Lcrm*Ipkcrm2，故可求出Lcrm=2*Wlcrm/Ipkcrm2=1.457mH滿載原邊峰值電流的計算：平均電流Ia=Pin/Uinmin=0.65A開關管導通時的電流增量δI=Ia*T/Ton=1.625ACCM下，設Ipk2=3Ipk1，則δI=Ipk2-Ipk1=2*Ipk1，故Ipk1=δI/2=0.8125AIpk2=3Ipk1=2.4375A 線徑選擇：電流密度取4.5A/mm2，趨膚深度h=75/√f=0.29mm，故線徑（2Uor）2/4.2=19.6KC=T/R約取589pFMOS管是SSP6N90A, 6A，900VNp=(Ui*Dmax)/(Ae*Bmax*f)Ui:最低輸入電壓,VDmax:最低輸入電壓時的最大占空比,一般為0.2-0.4;Ae:變壓器磁芯有效截面積;m^2Bmax:最高溫度下磁芯的最大磁通密度,一般鐵氧體為0.16-0.2T;
"Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T"這里不明白。按我看到的書不是這樣算的。NS=(Uo+Vf+VL)*Np/(Vin*D)=17.6=18T,
輔助繞組=8T。真搞不懂!
0
回復
@chenhaijun9797
看一下人家的計算方法對不：Input：Uin=220VAC，50HZ，Output：Uout=32VDC，Io=3A，輔助輸出±15V，輔助供電：10VPo=110Wf=65KHZ，η=80%，Dmax=0.4 計算過程：Uinmin=1.2*0.8*Uin=211V Uinmax=1.4*1.2*Uin=370VT=1/f=15.4μsTon=Dmax*T=6.16μs； Toff=T-Ton=9.24μsPin=Po/η=137.5W 副邊匝數：設B=0.2，磁芯EI40Ae=148mm2Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T 反射電壓：Uor=Uinmin*Dmax/（1-Dmax）=141V 匝比：N=Uor/（Uout+Ud）=141/33=4.27 原邊匝數：Np=N*Ns=4.27*11≈47T 輔助輸出副邊匝數Nf=Np/（Uor/15V）≈5T輔助供電：Np/（Uor/10V）≈4T原邊感量計算：設輸出30W時進入臨界模式，則此時的原邊平均電流Iavg=（Pocrm/η）/Uinmin=0.178A由于Iavg=0.5*Dmax*Ipkcrm，所以Ipkcrm=2*Iavg/Dmax=0.89A臨界電感儲能：Wlcrm=（Pocrm/η）/f=577μJ由于Wlcrm=0.5*Lcrm*Ipkcrm2，故可求出Lcrm=2*Wlcrm/Ipkcrm2=1.457mH滿載原邊峰值電流的計算：平均電流Ia=Pin/Uinmin=0.65A開關管導通時的電流增量δI=Ia*T/Ton=1.625ACCM下，設Ipk2=3Ipk1，則δI=Ipk2-Ipk1=2*Ipk1，故Ipk1=δI/2=0.8125AIpk2=3Ipk1=2.4375A 線徑選擇：電流密度取4.5A/mm2，趨膚深度h=75/√f=0.29mm，故線徑（2Uor）2/4.2=19.6KC=T/R約取589pFMOS管是SSP6N90A, 6A，900VNp=(Ui*Dmax)/(Ae*Bmax*f)Ui:最低輸入電壓,VDmax:最低輸入電壓時的最大占空比,一般為0.2-0.4;Ae:變壓器磁芯有效截面積;m^2Bmax:最高溫度下磁芯的最大磁通密度,一般鐵氧體為0.16-0.2T;
正激不是用反射電壓算吧？
0
回復
@chenhaijun9797
看一下人家的計算方法對不：Input：Uin=220VAC，50HZ，Output：Uout=32VDC，Io=3A，輔助輸出±15V，輔助供電：10VPo=110Wf=65KHZ，η=80%，Dmax=0.4 計算過程：Uinmin=1.2*0.8*Uin=211V Uinmax=1.4*1.2*Uin=370VT=1/f=15.4μsTon=Dmax*T=6.16μs； Toff=T-Ton=9.24μsPin=Po/η=137.5W 副邊匝數：設B=0.2，磁芯EI40Ae=148mm2Ns=（Uout+Ud）*Toff/（BAe）=（32+1）*9.24/（0.2*148）=10.3≈11T 反射電壓：Uor=Uinmin*Dmax/（1-Dmax）=141V 匝比：N=Uor/（Uout+Ud）=141/33=4.27 原邊匝數：Np=N*Ns=4.27*11≈47T 輔助輸出副邊匝數Nf=Np/（Uor/15V）≈5T輔助供電：Np/（Uor/10V）≈4T原邊感量計算：設輸出30W時進入臨界模式，則此時的原邊平均電流Iavg=（Pocrm/η）/Uinmin=0.178A由于Iavg=0.5*Dmax*Ipkcrm，所以Ipkcrm=2*Iavg/Dmax=0.89A臨界電感儲能：Wlcrm=（Pocrm/η）/f=577μJ由于Wlcrm=0.5*Lcrm*Ipkcrm2，故可求出Lcrm=2*Wlcrm/Ipkcrm2=1.457mH滿載原邊峰值電流的計算：平均電流Ia=Pin/Uinmin=0.65A開關管導通時的電流增量δI=Ia*T/Ton=1.625ACCM下，設Ipk2=3Ipk1，則δI=Ipk2-Ipk1=2*Ipk1，故Ipk1=δI/2=0.8125AIpk2=3Ipk1=2.4375A 線徑選擇：電流密度取4.5A/mm2，趨膚深度h=75/√f=0.29mm，故線徑（2Uor）2/4.2=19.6KC=T/R約取589pFMOS管是SSP6N90A, 6A，900VNp=(Ui*Dmax)/(Ae*Bmax*f)Ui:最低輸入電壓,VDmax:最低輸入電壓時的最大占空比,一般為0.2-0.4;Ae:變壓器磁芯有效截面積;m^2Bmax:最高溫度下磁芯的最大磁通密度,一般鐵氧體為0.16-0.2T;
你這個還是反激的算法。其實不管正激還是反激，原邊都要抗衡電源電壓，所以原邊匝數計算是一樣的，不同的只是次級，正激次級是感應電壓，感應電壓是以匝數成正比，但正激次級的感應電壓不等于輸出電壓，因有個濾波電慼，一個周期內次級感應電壓的平均值等于輸出電壓(不考慮二極管壓降)，故V0=VsTon/T=VsDT/T=DVs，則Vs=V0/D。而Vs=NsVin/Np，則Ns=VsNp/Vin=VoNp/VinD，若輸入電壓最低時，則占空比最大，再考慮管壓降則，Ns=(Vo+Vdf)Np/VinminDmax。反激時則不是感應電壓，而是次級線圈進行磁復位時的放電電壓，不考慮二極管的壓降則這個放電電壓等于輸出電壓Vo。開關管導通時，磁芯中磁通量增加，其增加量為VinTon/Np=VinDT/Np，開關管關閉時，次級線圈放電復位，磁芯中磁通量減少，其減少量為VoTb/Ns=Vo(T-Tb)/Ns=Vo(1-D)T/Ns。Tb為次級的放電時間，處在電流連續模式或臨界模式Tb=T-Ton。我們假設處于這兩種模式下。磁通的增加量等于其減少量VinDT/Np=Vo(1-D)T/Ns，則Ns=NpVo(1-D)/VinD。
0
回復
