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LED驅動的3-5W方案中使用13003的BJT耐壓問題

 在IW1678的應用中使用13003的BJT代替MOS管子作為功率開關此三極管的VCE為400V。但是265V的電壓整流之后就有375V請問此三極管如何能夠在此電路中正常工作。請高人幫忙解答。
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iwatt-szl
LV.7
2
2011-09-09 09:42

 

iW16XX芯片內部5腳與GND之間有一個Mosfet [M1],當外部BJT關斷,Ib=0的時候,芯片內部MOSFET[M1]是導通的。因此對于BJT來講,此時相當于B和E極短路,Vces=Vcbo=700V,因此耐壓是足夠的。

 

 

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2011-09-09 11:51
@iwatt-szl
[圖片] iW16XX芯片內部5腳與GND之間有一個Mosfet[M1],當外部BJT關斷,Ib=0的時候,芯片內部MOSFET[M1]是導通的。因此對于BJT來講,此時相當于B和E極短路,Vces=Vcbo=700V,因此耐壓是足夠的。 [圖片] 
頂下!學習了!
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scwangpan
LV.4
4
2011-09-10 23:56
@與你同在
頂下!學習了!

學習了。多謝賜教

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scwangpan
LV.4
5
2011-09-11 00:20
@iwatt-szl
[圖片] iW16XX芯片內部5腳與GND之間有一個Mosfet[M1],當外部BJT關斷,Ib=0的時候,芯片內部MOSFET[M1]是導通的。因此對于BJT來講,此時相當于B和E極短路,Vces=Vcbo=700V,因此耐壓是足夠的。 [圖片] 

謝謝上面FAE的回復。但是我仔細想來還是覺得有疑問。試想兩個穩壓管并聯。一個12V一個40V電壓一定是到了12V之后就會導通12V的穩壓管從而使40V的穩壓管被12V的穩壓管短路。兩個耐壓不一樣的原件并聯一定是電壓超過低耐壓的原件的時候擊穿低耐壓原件。

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scwangpan
LV.4
6
2011-09-14 11:45
@iwatt-szl
[圖片] iW16XX芯片內部5腳與GND之間有一個Mosfet[M1],當外部BJT關斷,Ib=0的時候,芯片內部MOSFET[M1]是導通的。因此對于BJT來講,此時相當于B和E極短路,Vces=Vcbo=700V,因此耐壓是足夠的。 [圖片] 
與你同在請再指點一下。
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iwatt-szl
LV.7
7
2011-09-15 11:46
@scwangpan
與你同在請再指點一下。

這個問題要根據三極管內部結構研究。。。

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scwangpan
LV.4
8
2011-09-19 10:27
@iwatt-szl
這個問題要根據三極管內部結構研究。。。
請不吝賜教!
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iwatt-szl
LV.7
9
2011-09-19 16:15
@scwangpan
請不吝賜教!

請看以下解釋:

 

1. 三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。

2. 請認真查看晶體管的規格書和特性:

  

VCBO的電壓是在IB=0時達成。

C為集電極,B為基極,OCB以外的電極Open的意思,

VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:

Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;

Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;

Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。

3. 結合以上情況,

  

 

iwattIC內部有一個MosfetM1

TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的BE結就會短路

而根據晶體管的特性,

VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO

這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。

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scwangpan
LV.4
10
2011-10-05 10:07
@iwatt-szl
請看以下解釋:[圖片] 1.三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。2.請認真查看晶體管的規格書和特性:[圖片]  VCBO的電壓是在IB=0時達成。C為集電極,B為基極,O為C、B以外的電極Open的意思,VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,測VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。3.結合以上情況, [圖片]  因iwatt的IC內部有一個Mosfet(M1)在TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的B,E結就會短路而根據晶體管的特性,當VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。

非常感謝iwatt-szl的耐心講解。使我受益匪淺。謝謝了!

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zj7800018
LV.4
11
2012-02-23 21:19
@iwatt-szl
請看以下解釋:[圖片] 1.三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。2.請認真查看晶體管的規格書和特性:[圖片]  VCBO的電壓是在IB=0時達成。C為集電極,B為基極,O為C、B以外的電極Open的意思,VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,測VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。3.結合以上情況, [圖片]  因iwatt的IC內部有一個Mosfet(M1)在TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的B,E結就會短路而根據晶體管的特性,當VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。

感謝iwatt-szl的解釋,我終于明白了開關電源中可以用13003的道理了。

 

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2012-04-13 21:45
@iwatt-szl
[圖片] iW16XX芯片內部5腳與GND之間有一個Mosfet[M1],當外部BJT關斷,Ib=0的時候,芯片內部MOSFET[M1]是導通的。因此對于BJT來講,此時相當于B和E極短路,Vces=Vcbo=700V,因此耐壓是足夠的。 [圖片] 

多謝賜教,

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z379872260
LV.5
13
2012-06-09 18:04
@一點點藍
多謝賜教,
學習了
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qjp370
LV.4
14
2012-06-21 13:21
@iwatt-szl
請看以下解釋:[圖片] 1.三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。2.請認真查看晶體管的規格書和特性:[圖片]  VCBO的電壓是在IB=0時達成。C為集電極,B為基極,O為C、B以外的電極Open的意思,VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,測VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。3.結合以上情況, [圖片]  因iwatt的IC內部有一個Mosfet(M1)在TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的B,E結就會短路而根據晶體管的特性,當VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。
bq 人才
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2012-12-05 14:28

我找你找的好苦啊

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鋼鐵俠
LV.3
16
2013-05-22 13:35
@iwatt-szl
請看以下解釋:[圖片] 1.三極管有兩個PN結,C-B之間有一個PN結,B-E之間有一個PN結。2.請認真查看晶體管的規格書和特性:[圖片]  VCBO的電壓是在IB=0時達成。C為集電極,B為基極,O為C、B以外的電極Open的意思,VCBO---基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓下面分別說明一下三極管各個電壓的測量方法:Vcbo----C-B結之間的電壓,O表示在測VCBO時將發射極懸空,測C-B在規定漏電流時的電壓;Vceo----C-E之間的電壓,測量時將基極懸空;Vces----C-E之間的電壓,S表示Short的意思,測VCES時是將基極與發射極短接,測C-B在規定漏電流時的電壓;由于這時B-E結沒有電壓,而PN結導通需要有一個電壓才能導通,所以這時B-E結沒有導通,發射極E上就沒有電流。等效于C-B結的耐壓(VCBO)。因此理論上VCES≈VCBO是說得通的。另外實際測試的結果也是這樣。3.結合以上情況, [圖片]  因iwatt的IC內部有一個Mosfet(M1)在TOFF瞬間時,M1導通短路,那么晶體管的B,E結就會短路而根據晶體管的特性,當VBE=0時,我們使用的是VCES而非VCEO,此時VCES≈VCBO這種情況不能等效成兩個穩壓管并聯。

回復很詳細。

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