Vds波形何來？

大家好！我想和大家討論一下反激中mosfet關斷時結合RCD吸收電路Vds的波形！

我的理解：當mos關斷后，漏感電流給mos漏源電容充電，當Vds電壓上升到Vin+Vc時，RCD電路導通，漏感電流給電容C充電。此時Vds波形電壓就被鉗位在Vin+Vc。

這只是我很粗略的理解。我觀測Vds波形，還會有一個振蕩。對于其中的過程，真的不太理解。希望前輩們可以詳細的講解一下。非常感謝！

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zhaobo53521808

LV.4

2011-07-26 22:09

實際上，RCD就是為了吸收Vpeak的過高尖峰，當然它的缺點就是會影響機子的整體效率（又吸收就有功率損耗嘛！）。

至于你提到的問題，不妨用簡單的邏輯式表達：f=1/2pie*根號(L*C);

其中的f就是你所提及的前面多個振蕩的平均頻率；L就是你圖示的漏感；C近視為你RCD中的電容。所以你就可以不難理解他們之間的關系了。

我前面提到的RCD功耗可以表達為：P=1/2*C*V^2*F,了解這點，對你以后如何提高機子效率有一丁點的幫助。

再想想：RCD中的R，C和f會是什么關系呢？

呵呵～

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gaohq

LV.8

2011-07-26 22:33

@zhaobo53521808

實際上，RCD就是為了吸收Vpeak的過高尖峰，當然它的缺點就是會影響機子的整體效率（又吸收就有功率損耗嘛！）。至于你提到的問題，不妨用簡單的邏輯式表達：f=1/2pie*根號(L*C);其中的f就是你所提及的前面多個振蕩的平均頻率；L就是你圖示的漏感；C近視為你RCD中的電容。所以你就可以不難理解他們之間的關系了。我前面提到的RCD功耗可以表達為：P=1/2*C*V^2*F,了解這點，對你以后如何提高機子效率有一丁點的幫助。再想想：RCD中的R，C和f會是什么關系呢？呵呵～

我以前一直認為那個振蕩是L跟開關管的Cds之間振蕩的呢？

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