計算是這么計算，只是做個參考，以實際測量值為準。

至于計算值為什么和測試值不相符，個人認為是電路實際的寄生參數，器件誤差引起的，這些公式是在理想條件下得出的，所以會出現這些現象！

其實很簡單，MOS管的耐壓85%減去最高輸入電壓再減去個30的振鈴電壓除以你的輸出電壓加二極管電壓就是N

不需要過度吹毛求疵

,我也是這樣估算。

但繞組的卷線狀態一定要好，盡量三明治。否則30的尖峰都不止。

實際運用中，AC-DC的尖峰比DC-DC的更難搞。

依據你這種算法,應該得出的是最大匝比吧.

相對于效率來說,是匝比大效率高還是匝比小效率高呢?

這個不能一概而論，還要看其他的一些條件的限制情況

一般來說D大，效率高的說法是正確的

但我從公式推導和實際對比測試,卻發現是占空比小的效率高呢.

如占空比小,其匝數比就小.匝比小,相對來說變壓器的漏感就小,漏感小后,MOS管RCD吸收電路和肖特基RC吸收電路的損耗相對來說就要小.

同時,占空比小,MOS管的Vds電壓低,有利于MOS管的成本.肖特基的峰值電流和有效值電流相對較小.這就明顯的降低了肖特基的損耗.  電路的損耗主要來自于變壓器;MOS管,肖特基和吸收電路.從以上分析,占空比小對MOS管,肖特基和吸收電路都有利.

對于反激電路來說,占空比大效率較高的說法,是怎么得出的呢?有沒有較詳細的解說,這個問題一直困擾著我.

這個問題要詳細分析的話，比較復雜，要假設的量實在太多

但從峰值電流這個角度分析，D大的話，效率確實要高，而且實際測試也是這樣的

這個公式成立的前提是在CCM或CRM工作模式下。

不清楚你的電源是否是這個狀態。另外，反射電壓高，和你的變壓器的漏感以及RCD吸收電路的參數取值有一定的關系。

就是一句，具體問題具體分析

對的。

任何現象的背后，都有其物理的必然。我們要做的就是去找出表面現象背后的本質。

公式只不過是對一些定律的總結，工程計算中的公式，有很多是對模型或計算作了簡化處理的。如果搞的太細，會遇到很多困難的。

RCD吸收電路的參數取值合理不？RCD吸收電路的參數取值不合理的話，你測量的Vor就不能真正反映變壓器匝比n

實測波形很重要，但也不要總認為側出來的就都是真理。也要看所測電路是否合理

D大的話，效率確實要高

能不能從公式上或其它方面說明這個問題呢?為什么D大,效率高?

RCD電路對Vor有影響嗎?RCD只是對因漏感產生的尖峰電壓的大小有影響吧

有影響的，RCD的C和R不合理的話，他會消耗掉部分Vor；當然也可以不能消耗全部的漏感能量，讓你誤以為Vor大

這個應該看開關頻率以及所選的mos管

開關頻率高Mos內阻低，開關損耗占大頭那么Vor小點效率會高些。

但是一般來說，對于100k以內的開關頻率而且使用一般的mos管，其導通損耗還是占大頭，就是說Vor大些其占空比大些初級電流有效值低些效率就高些。

請問V-DCMIN一般是如何確定的?