我做了一款高電壓輸入的電源，要求隔離8KV。方案是采用SG3525半橋工作方式，輸出DC220V，主回路反饋18V，，副回路帶載，以達到隔離要求。
在調試中，發現加帶60W負載時，開關管溫升小于20度。而空載時卻發熱嚴重。波形如下圖：
黃和藍色為驅動波形，帶負壓。綠色為線圈兩側波形，可見在死區時間內電壓并沒有回復，直到另一管開通而導致開關損耗過大。
2000V高壓取能
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@世界真奇妙
我們的功率單元用的是1700V的IGBT，所以直流側取能電壓只有一半。用1600V管子做就可以了。
是呀，900V取能用反激或雙管反激即可，但更高電壓下取能則有如下問題：
1 隔離不好處理，要穩壓就要有反饋，而現階段隔離高的線性光耦沒有大于DC5000V的。
2 在高壓輸入下，占空比處于較小的狀態，如采用MOS管還好一點（MOS高耐壓的較少）
如用IGBT則在較小占空比下IGBT上升沿還沒有完全打開就處于關斷狀態，（1800V以上 時較為明顯）。
3 正常變壓器用膠帶隔離后，長期工作時，有一定局放現象產生。必須采用更好隔離的變壓器（如多槽骨架）工藝上有一定因難。
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@北方人
是呀，900V取能用反激或雙管反激即可，但更高電壓下取能則有如下問題：1隔離不好處理，要穩壓就要有反饋，而現階段隔離高的線性光耦沒有大于DC5000V的。2在高壓輸入下，占空比處于較小的狀態，如采用MOS管還好一點（MOS高耐壓的較少） 如用IGBT則在較小占空比下IGBT上升沿還沒有完全打開就處于關斷狀態，（1800V以上時較為明顯）。3正常變壓器用膠帶隔離后，長期工作時，有一定局放現象產生。必須采用更好隔離的變壓器（如多槽骨架）工藝上有一定因難。
1. 隔離耐壓是AC5000V，如TLP421（1分鐘），不是DC5000V。
2.MOSFET最高耐壓有4000V1A的，是IXYS的產品，市場上沒有，必須直接找代理商，供貨周期較長。
3.變壓器繞制必須加檔墻，應該不難處理。
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