磁芯最大工作磁感應(yīng)強(qiáng)度Bm取值太小了吧？一般小功率的設(shè)計(jì)，磁芯最大工作磁感應(yīng)強(qiáng)度不能小于0.25T,因?yàn)檫@樣會過于浪費(fèi)，取值0.3T以上的話，你的初級匝數(shù)就會降下來了。

另外求峰值電流的公式是這樣的吧：2*Po/（η*Vin*D）

而且你的效率也太高了吧？5W產(chǎn)品的國際標(biāo)準(zhǔn)5級能效應(yīng)該是68.17%，而不是80%那么高。

請高手也指教一下。呵呵~

2*(5V+0.4V)*1A*1.2/0.8中的(5V+0.4V)應(yīng)該為5V，后面的0.4V是肖特基的正向電壓嗎？不用加0.4V了。

Bm可以取0.35T試下。我們公司也是用EE13設(shè)計(jì)的5V/1A適配器的。用的匝數(shù)為:Np=156Ts，Ns=12Ts，Nv=37Ts  已經(jīng)量產(chǎn)了N百萬個(gè)了

你那個(gè)的頻率做的是多少？

上面的那位兄弟都已量產(chǎn)了N個(gè)百萬了啊

我用你說的Bm取0.35，效率取0.75，頻率取65K，算出來的Np正好和你說的156相符，可算出來的Ns就對不到了，你的是12匝，可我算的是8匝，這怎么前面的都對到了，可后面的又對不到了呢，還有你算的還有一個(gè)是VCC的繞組吧，怎么有37匝啊，我算的過程如下，你幫我看看那里算的不對好嗎！

Ip=2Po/Dmax*效率*Vdcmin=2*5V*1A*1.2/0.5*0.75*100=0.32A

Lp=Dmax*Vdcmin/Fs*Ip=0.5*100/65KHZ*0.32=2.4mH

Np=Lp*Ip/Bm*Ae=2.4mH*0.32A*10的負(fù)3次方/0.35*0.14平方厘米*10的負(fù)4次方=156T

Ns=Np*Vo/Vf=156*5/100=7.8T

為什么前面的156T都正好和你的實(shí)際相符，可后面的算出來卻不是你的12匝，只算到了8T,相差這么多，我是那里算的不對呢，請老師指點(diǎn)！

老是就不敢當(dāng)，我還是小菜菜一個(gè)。略懂點(diǎn)皮毛，拿出來共同探討一下：

你用的公式：“Ip=2Po/Dmax*效率*Vdcmin=2*5V*1A*1.2/0.5*0.75*100”中的1.2是什么值來的？輸出功率不就是5V*1A了嗎？后面還加個(gè)1.2我就看不出來是什么了。

還有你算的次級匝數(shù)中的公式：“Ns=Np*Vo/Vf=156*5/100”公式倒沒錯(cuò)，但是帶入的數(shù)值就不對了，Vo不是5V，而是5V+0.5V（輸出整流管的正向電壓，參考值0.5），而且反射電壓Vf也不一定是100V，這個(gè)反射電壓Vf你可以根據(jù)MOS管的耐壓來取值，反射電壓Vf取得越大，你的MOS管承受的電壓應(yīng)力就越大，你現(xiàn)在取值為100V的話，MOS管的余量可能就不足了！

回得挺快的嘛，呵呵~那個(gè)變壓器的匝數(shù)是我們公司以前的工程師設(shè)計(jì)的，具體的計(jì)算過程沒有了，不過我具體去測試了一下，很多條件跟你的設(shè)置有所不同哦，我根據(jù)你說的標(biāo)準(zhǔn)，搞了表格玩玩，剛好就是這個(gè)變壓器的匝數(shù)，你可以參考一下，詳見附件。5W產(chǎn)品變壓器設(shè)計(jì)表 

我之前說的是算輸出功率的時(shí)候不加肖特基的正向電壓，而不是說次級繞組上的電壓。

反射電壓Vf和輸入電壓最小值Vinmin不是同一概念的。反射電壓Vf是變壓器次級輸出電壓折算到初級的電壓，算法是 =NP/NS*（Vo+V肖特基）。輸入電壓最小值Vinmin與次級繞組電壓（Vo+V肖特基）并不跟匝比成正比。

錯(cuò)了，要先算NS才能算NP

愿聽詳解，這我還的確不知道，看論壇上也沒有這種說法啊，講講道理。

其實(shí)還有一種最簡單的方法，就是先次級Ns在骨架上繞滿一層，看看一共能繞多少圈，即Ns就可以確定了，再根據(jù)MOS的耐壓值，求出反射電壓Vf，之后就可以根據(jù)匝比關(guān)系Np/Ns=Vf/（Vo+Vd）算出初級匝數(shù)了！這個(gè)方法很簡單，但是因?yàn)樽儔浩鞒跫壐兄禌]有確定，所以要接到電路板上測試，看看是否磁芯飽和，如果飽和，再慢慢磨磁芯，直到磨到磁芯不飽和為止！

你這個(gè)表很實(shí)用，首先對你給于的解釋表示感謝，但我還是不明，其望進(jìn)一步請教：看資料上占空比D不是等于Vf/Vf+Vinmin的嗎？那你那份表格中的占空比0.325和反射電壓Vf等于73V兩個(gè)值都是事先設(shè)定的了，如果上面的占空比公式成立的話，那就只能事先設(shè)定占空比或反射電壓其中的一個(gè)，另一個(gè)就按比例出來了啊，如果上面的公式成立的話，那你表中的兩個(gè)值就矛盾了啊，如下：如果你設(shè)定反射電壓為73V,那D=73V/73V+104V=0.412了？怎會是0.325呢？

表格中其它的計(jì)算都和我看論壇理解的差不多了，就這里有矛盾了，能不能給我解釋一下！

哦還有一個(gè)疑問：工作在DCM和CCM兩種模式下計(jì)算的結(jié)果除了電感量不一樣外，好象匝數(shù)都是一樣的啊，有沒有問題啊，如是正確的話那不是CCM的區(qū)別就只是磁芯氣隙的不同了。

呵呵，我的問題是不是很多啊，希望你能幫我理清這個(gè)變壓器計(jì)算的思路啊，先謝謝了啊！

呵呵~昨晚下班了沒上網(wǎng)了。你看得很仔細(xì)，其實(shí)這個(gè)問題我也覺得有疑問，你說的占空比D=Vf/Vf+Vinmin，應(yīng)該是從伏秒平衡得來的吧？即Vinmin*Ton=Vf*Toff。用這個(gè)公式可以導(dǎo)出Vf=Vin*D/(1-D)=104*0.325/0.675=50V. 我覺得上面公式好像有問題，而用我們公認(rèn)的公式Vf/(Vo+Vd）=Np/Ns得出Vf=（Np/Ns）*（Vo+Vd）=（156/12）*（5+0.5）=71.5V,這兩個(gè)結(jié)果都不一樣！奇怪吧？呵呵~其實(shí)我也沒解，我只是覺得上面的那個(gè)伏秒平衡的公式有問題，請哪位高手為我解疑一下。（里面的占空比D=0.325是我實(shí)際測出來的數(shù)值，不會有錯(cuò)的，事實(shí)勝于雄辯嘛，嘿嘿~）

其實(shí)我做這個(gè)表格的時(shí)候只是針對DCM做的，而CCM我沒怎么考慮。我用公式推導(dǎo)的時(shí)候就出來了那個(gè)表格，為什么兩種模式的匝數(shù)會一樣呢？我也請教了一下我這邊的工程師，他們也沒解（可能他們都是憑經(jīng)驗(yàn)玩的吧），不知道論壇的哪個(gè)大俠可以幫我解釋一下呢？小生先謝了！呵呵~

我用公式算的DCM初級匝數(shù)才是=電感量*峰值電流/Bm*Ae，因?yàn)榇藭r(shí)初級電流波形是三角形，起始電流為0，而CCM的初級電流波形為梯形，起始電流不是0，所以我用公式算的初級匝數(shù)是電感量*電流變化量/Bm*Ae。

扯淡，變壓器的設(shè)計(jì)及計(jì)算方法都不清楚