很多年輕工程師對分立器件應(yīng)用上的很多問題，最近部門邀請英飛凌的技術(shù)做了個(gè)內(nèi)部培訓(xùn)，相信很多不熟悉電源設(shè)計(jì)的朋友都有類似的問題，這里摘錄部分與大家分享（摘錄同事整理的資料，有出入的地方請指點(diǎn)。歡迎大家多分享點(diǎn)MOS管使用經(jīng)驗(yàn)）：
1. 導(dǎo)通電阻
對大部份的應(yīng)用而言，導(dǎo)通時(shí)所造成的導(dǎo)通損耗占整體MOSFET損耗的大部份，因此各家廠商均想辦法降低MOSFET的導(dǎo)通電阻。MOSFET的最低導(dǎo)通電阻從1996 年的12mΩ降到今天的1mΩ以下。目前，英飛凌公司最新一代25V/30V的OptiMOS MOSFET最低額定導(dǎo)通電阻為1mΩ，如此低的導(dǎo)通電阻大幅地減少了導(dǎo)通損耗，提高了應(yīng)用電路的功率密度。（在低電壓功率晶體管中，封裝電阻在整體導(dǎo)通電阻中所占比例較大，因此英飛凌最新的幾款MOSFET主要以CanPAK、SuperSO8和S308新型封裝為主,效率達(dá)93%以上，滿負(fù)載>90%）。
2 高速切換/低切換損耗及驅(qū)動損耗
柵極電荷為造成切換損耗及驅(qū)重?fù)p耗之主要成因。較低的柵極驅(qū)動損耗，可以使得驅(qū)動電路的負(fù)載降低約30%以上。而且較快的切換還可以改善EMI。英飛凌新一代25V/30V的MOS管切換的上升下降時(shí)間均不低于5納秒。
3 高效能
業(yè)界常用優(yōu)質(zhì)系數(shù)(Figure Of Merit，FOM)(FOM=RDSON×Qg)以導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積值做為比較，可以客觀的角度來評估MOSFET性能的優(yōu)劣。在導(dǎo)通電阻相同的情況下，英飛凌號稱全新OptiMOS 25V/30V器件的柵極電荷，比采用最接近的溝槽工藝制造的器件低35%，而其輸出電荷比最佳的橫向MOSFET器件低一半。
4 高功率/低熱阻
MOSFET所能承受的最大功率損耗，是由硅片的接觸面到外殼間的熱阻所決定的，因此要達(dá)到高功率并減少導(dǎo)通電阻的目的，除了改良開發(fā)新的MOSFET 或工藝技術(shù)外，封裝的方式亦扮演著重要的角色。英飛凌主流的封裝方式為Super SO-8、CanPAKT相對傳統(tǒng)的SO-8封裝大幅減少熱阻，并減少在焊接點(diǎn)及接觸點(diǎn)的電阻外，進(jìn)而降低等效導(dǎo)通電阻和組件本身的寄生電感
