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LED燈電源設計構想

LED燈電源設計構想

設計指標:

1、設計的最高原則是“簡潔”。

2、功率因數>0.99。

3、電源效率>95%。

4、抗雷擊,脈沖群,電壓跌落,靜電,振動,EMI

5、過壓,過流,短路,開路,故障保護。

6、可編程功率:6W---200W

7、電腦聯(lián)網,遙控調光。

8、鋁基板,電源的重要部位溫度監(jiān)控。

9、全密罐封,打火機大小。

10、電流,電壓,功率,電能,波形,功率因數監(jiān)控。

11、環(huán)境溫度,照度監(jiān)測。

1286VAC---265VAC交流電壓輸入。

13、輸入、輸出的接線設計。

14、利于批量生產。

15、設計壽命大于20年。

16、年使用損壞率小于萬分之一。

17、設計上盡量降低成本。

18ISO9000的制造要求。

19、盡量不使用電解電容及大電感。

201011月份第一次為用戶做了幾百臺阻容降壓的LED燈以來。觀察了幾個月,使用效果還可以。決心進入LED行業(yè),認真的做個好的LED電源。畢竟以前我沒有做過開關電源的設計,許多因素難免欠考慮。在這立貼說明自己的設計想法,給同行參考以便提意見。我將從輸入輸出這2頭開始LED燈電源設計的探索之旅。

全部回復(58)
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2011-05-09 10:10

1如果產品沒有接地或接地不良,那么跨接在L、N 之間的電容CY1、CY2 就會承受L、N 之間的220V 的電壓,在CY1 CY2 的連接點(接地點)上就會有110V 的電位。漏電是由于產品在使用的時候沒有接地導致的。這種漏電對于絕大部分人來說是不會構成安全危害的,但某些對電流較敏感的人會有較強反應。

    接地阻抗測試為測試產品的接地點,對產品的外殼或金屬部份,施以一個恒流(一般電流在10-40A 之間) 電源來測試兩點間的阻抗大小,一般產品規(guī)定量測25A,阻抗不得大于0.1Ω CSA要求量測40A,以此測試,可檢測出接地點螺絲未鎖緊、接地線徑太小、 接地線斷路等問題。

     X Y 電容都是需要用安規(guī)電容。而X 電容一般是薄膜電容MKP 之類,方型外觀;多數Y 電容是陶瓷電容耐壓1KV以上。x 電容是跨接在電力線兩線(L-N)之間的電容;Y 電容是分別跨接在電力線兩線和地之間(L-E,N-E)的電容,一般是成對出現。基于漏電流的限制,Y 電容值不能太大,一般X 電容是uF 級,Y 電容是nF 級。X 電容抑制差模干擾,Y 電容抑制共模干擾。

安規(guī)電容安全等級

X1 >2.5kV 4.0kV

X2 2.5kV

X3 1.2kV ——

安規(guī)電容安全等級 絕緣類型 額定電壓范圍

Y1 雙重絕緣或加強絕緣 ≥ 250V

Y2 基本絕緣或附加絕緣 ≥150V 250V

Y3 基本絕緣或附加絕緣 ≥150V 250V

Y4 基本絕緣或附加絕緣 <150V

Y 電容的電容量必須受到限制,從而達到控制在額定頻率及額定電壓作用下,流過它的漏電流的大小和對系統(tǒng)EMC 性能影響的目的。GJB151 規(guī)定Y 電容的容量應不大于0.1uF。Y 電容除符合相應的電網電壓耐壓外,還要求這種電容器在電氣和機械性能方面有足夠的安全余量,避免在極端惡劣環(huán)境條件下出現擊穿短路現象,Y 電容的耐壓性能對保護人身安全具有重要意義。

   個人觀點:不用接地端子,電源與燈具做好絕緣!

 

2、防雷用MOV14K431、430V、連續(xù)275VAC、350VDC 155J(10/1000us) 110 J(2ms) 、710V6000A(8/20us)。

LC濾波用貼片器件,不要用大體積電感。橋堆MB6S的正向壓降0.8A時有2×1V?那MB6S的損耗有點大了(1.6W)。誰有08050.3V正向壓降的二極管或橋堆?

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2011-05-09 14:14
@sankong333
1、如果產品沒有接地或接地不良,那么跨接在L、N之間的電容CY1、CY2就會承受L、N之間的220V的電壓,在CY1和CY2的連接點(接地點)上就會有110V的電位。漏電是由于產品在使用的時候沒有接地導致的。這種漏電對于絕大部分人來說是不會構成安全危害的,但某些對電流較敏感的人會有較強反應。   接地阻抗測試為測試產品的接地點,對產品的外殼或金屬部份,施以一個恒流(一般電流在10-40A之間)電源來測試兩點間的阻抗大小,一般產品規(guī)定量測25A,阻抗不得大于0.1Ω而CSA要求量測40A,以此測試,可檢測出接地點螺絲未鎖緊、接地線徑太小、接地線斷路等問題。    XY電容都是需要用安規(guī)電容。而X電容一般是薄膜電容MKP之類,方型外觀;多數Y電容是陶瓷電容耐壓1KV以上。x電容是跨接在電力線兩線(L-N)之間的電容;Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間(L-E,N-E)的電容,一般是成對出現?;诼╇娏鞯南拗?,Y電容值不能太大,一般X電容是uF級,Y電容是nF級。X電容抑制差模干擾,Y電容抑制共模干擾。安規(guī)電容安全等級X1>2.5kV≤4.0kVⅢX2≤2.5kVⅡX3≤1.2kV——安規(guī)電容安全等級絕緣類型額定電壓范圍Y1雙重絕緣或加強絕緣≥250VY2基本絕緣或附加絕緣≥150V≤250VY3基本絕緣或附加絕緣≥150V≤250VY4基本絕緣或附加絕緣
幫頂~~~
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2011-05-09 22:39
@sankong333
1、如果產品沒有接地或接地不良,那么跨接在L、N之間的電容CY1、CY2就會承受L、N之間的220V的電壓,在CY1和CY2的連接點(接地點)上就會有110V的電位。漏電是由于產品在使用的時候沒有接地導致的。這種漏電對于絕大部分人來說是不會構成安全危害的,但某些對電流較敏感的人會有較強反應。   接地阻抗測試為測試產品的接地點,對產品的外殼或金屬部份,施以一個恒流(一般電流在10-40A之間)電源來測試兩點間的阻抗大小,一般產品規(guī)定量測25A,阻抗不得大于0.1Ω而CSA要求量測40A,以此測試,可檢測出接地點螺絲未鎖緊、接地線徑太小、接地線斷路等問題。    XY電容都是需要用安規(guī)電容。而X電容一般是薄膜電容MKP之類,方型外觀;多數Y電容是陶瓷電容耐壓1KV以上。x電容是跨接在電力線兩線(L-N)之間的電容;Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間(L-E,N-E)的電容,一般是成對出現?;诼╇娏鞯南拗疲琘電容值不能太大,一般X電容是uF級,Y電容是nF級。X電容抑制差模干擾,Y電容抑制共模干擾。安規(guī)電容安全等級X1>2.5kV≤4.0kVⅢX2≤2.5kVⅡX3≤1.2kV——安規(guī)電容安全等級絕緣類型額定電壓范圍Y1雙重絕緣或加強絕緣≥250VY2基本絕緣或附加絕緣≥150V≤250VY3基本絕緣或附加絕緣≥150V≤250VY4基本絕緣或附加絕緣

3、這幾天在學習仿真軟件,網上只能下載了multisim10.1。經常出錯死掉,它的元件庫中的LED我修改為3.1V/350mA,不知能模擬實際的LED伏安特性嗎?

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flute
LV.8
5
2011-05-10 09:59
@sankong333
3、這幾天在學習仿真軟件,網上只能下載了multisim10.1。經常出錯死掉,它的元件庫中的LED我修改為3.1V/350mA,不知能模擬實際的LED伏安特性嗎?
ding!
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2011-05-10 10:04
@sankong333
3、這幾天在學習仿真軟件,網上只能下載了multisim10.1。經常出錯死掉,它的元件庫中的LED我修改為3.1V/350mA,不知能模擬實際的LED伏安特性嗎?

用SIMPLIS可以模擬實際的LED伏安特性

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2011-05-10 16:34
@sankong333
3、這幾天在學習仿真軟件,網上只能下載了multisim10.1。經常出錯死掉,它的元件庫中的LED我修改為3.1V/350mA,不知能模擬實際的LED伏安特性嗎?

 

4、單片機初選TI,MSP430系列。先做個原理圖。

 

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2011-05-10 21:28
@whereismycat
用SIMPLIS可以模擬實際的LED伏安特性

謝,可我下載不到SIMPLIS

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2011-05-10 21:30
@sankong333
[圖片] 4、單片機初選TI,MSP430系列。先做個原理圖。 

5、單片機電路功耗3.6V/6mA,直接從橋堆后取電損耗太大;所以從LED燈串后取電。不過輸入AC電壓只能分級了:190VAC—250VAC, 80VAC---150VAC。單片機電源最大損耗

6mA×60VAC360mW。單片機電路總功耗=360mW + 3.6V×6mA +

電壓采集電路損耗250V~2/1000=63mW + 30Mo*1A~2=30 mW = 475Mw。6mA包括單片機,紅外接收頭,3線串行聯(lián)網接口,熱電阻溫度,光敏電阻,I/O等電路的電流。

Vadc, Iadc為單片機內16ADC的電壓,電流單極性采集輸入。

Tled,THJLED燈板溫度與環(huán)境溫度熱敏電阻采集輸入。單片機有內部測溫二極管。

VDR,IRD為光敏電阻,紅外遙控頭采集輸入。

HZ過零檢測,不一定需要。

VDD3.6V間有穩(wěn)壓電路。

I/O單片機到LED驅動電路的控制線4―――6根。

RXD,AND,TXD三線光隔串行聯(lián)網HE1接口,可串接上百個HE1設備,再通過HE1-TCP/IP轉換器上網。

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sankong333
LV.4
10
2011-05-11 11:41
@sankong333
5、單片機電路功耗3.6V/6mA,直接從橋堆后取電損耗太大;所以從LED燈串后取電。不過輸入AC電壓只能分級了:190VAC—250VAC,80VAC---150VAC。單片機電源最大損耗6mA×60VAC=360mW。單片機電路總功耗=360mW+3.6V×6mA+電壓采集電路損耗250V~2/1000=63mW+30Mo*1A~2=30mW=475Mw。6mA包括單片機,紅外接收頭,3線串行聯(lián)網接口,熱電阻溫度,光敏電阻,I/O等電路的電流。Vadc,Iadc為單片機內16位ADC的電壓,電流單極性采集輸入。Tled,THJ為LED燈板溫度與環(huán)境溫度熱敏電阻采集輸入。單片機有內部測溫二極管。VDR,IRD為光敏電阻,紅外遙控頭采集輸入。HZ過零檢測,不一定需要。VDD到3.6V間有穩(wěn)壓電路。I/O單片機到LED驅動電路的控制線4―――6根。RXD,AND,TXD三線光隔串行聯(lián)網HE1接口,可串接上百個HE1設備,再通過HE1-TCP/IP轉換器上網。

6、LED驅動電路方案1)。輸入交流經PFC電路后成為直流,再經由單片機控制的多路可變恒流源。PFC電路為提高效率無需穩(wěn)壓,當輸入交流為190VAC時直流=190×1.4276VDC,用單片機控制的第一路可變恒流源;接272.8V/3.1V(330mA)=88LED的燈串,即使直流電壓掉到250VDC(179VAC),只是燈串的電流變?yōu)?/span>

260 mA (88×2.85V)。即使直流電壓升為280V,只是燈串的電流變?yōu)?span>360 mA (88×3.18V)。所以輸入交流為200VAC時用第一路可變恒流源;接88LED的燈串。輸入交流為220VAC時用第二路可變恒流源;接98LED的燈串。輸入交流為240VAC時用第三路可變恒流源;接108LED的燈串。輸入交流為260VAC時用第四路可變恒流源;接118LED的燈串。這樣MOS管的功耗接近0,即使誤差在308VDC(220VAC)5V的壓降*1A也就5W,而總功率為308W,效率也有303/30898.4%。用單片機檢測輸入直流電壓來控制可變恒流源是容易做到效率99%的!誰有1W LED的燈串?做實驗。

7、LED驅動電路方案2)。不用PFC電路,不用電解電容,用單片機檢測輸入交流電壓來控制可變恒流源。但為提高功率因數路數要用多點。功率也相對方案1變小了。

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perterlong
LV.6
11
2011-05-11 18:28
傳說中的電源
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sankong333
LV.4
12
2011-05-12 11:26
@sankong333
6、LED驅動電路方案1)。輸入交流經PFC電路后成為直流,再經由單片機控制的多路可變恒流源。PFC電路為提高效率無需穩(wěn)壓,當輸入交流為190VAC時直流=190×1.4=276VDC,用單片機控制的第一路可變恒流源;接272.8V/3.1V(330mA)=88個LED的燈串,即使直流電壓掉到250VDC(179VAC),只是燈串的電流變?yōu)?60mA(88×2.85V)。即使直流電壓升為280V,只是燈串的電流變?yōu)?60mA(88×3.18V)。所以輸入交流為200VAC時用第一路可變恒流源;接88個LED的燈串。輸入交流為220VAC時用第二路可變恒流源;接98個LED的燈串。輸入交流為240VAC時用第三路可變恒流源;接108個LED的燈串。輸入交流為260VAC時用第四路可變恒流源;接118個LED的燈串。這樣MOS管的功耗接近0,即使誤差在308VDC(220VAC)有5V的壓降*1A也就5W,而總功率為308W,效率也有303/308=98.4%。用單片機檢測輸入直流電壓來控制可變恒流源是容易做到效率99%的!誰有1WLED的燈串?做實驗。7、LED驅動電路方案2)。不用PFC電路,不用電解電容,用單片機檢測輸入交流電壓來控制可變恒流源。但為提高功率因數路數要用多點。功率也相對方案1變小了。

8、當光敏電阻受到一定波長范圍的光照時, 它的阻值(亮電阻)急劇減少, 電路中電流迅速增大。 一般希望暗電阻越大越好, 亮電阻越小越好,此時光敏電阻的靈敏度高。 實際光敏電阻的暗電阻值一般在兆歐級, 亮電阻在幾千歐以下。熱敏電阻則是隨溫度變化。VREF*1KO/(R+1KO)=VIN= VREF*N/65536

R=65536*1KO/N1KO。

 

9、單片機資源有限。取消HZ周期檢測,而是通過電壓波形采集實現。取消環(huán)境溫度熱敏電阻采集輸入。只有5條單片機到LED驅動電路的I/O控制線。

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madboy21
LV.8
13
2011-05-12 12:03
@sankong333
8、當光敏電阻受到一定波長范圍的光照時,它的阻值(亮電阻)急劇減少,電路中電流迅速增大。一般希望暗電阻越大越好,亮電阻越小越好,此時光敏電阻的靈敏度高。實際光敏電阻的暗電阻值一般在兆歐級,亮電阻在幾千歐以下。熱敏電阻則是隨溫度變化。VREF*1KO/(R+1KO)=VIN=VREF*N/65536,R=65536*1KO/N-1KO。 9、單片機資源有限。取消HZ周期檢測,而是通過電壓波形采集實現。取消環(huán)境溫度熱敏電阻采集輸入。只有5條單片機到LED驅動電路的I/O控制線。

不知道說什么,做個東西出來可能會真點。

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LED電源1
LV.4
14
2011-05-13 11:50
@perterlong
[圖片]傳說中的電源
真做出來 世界都有名 半年內被抄襲 那是肯定的
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sankong333
LV.4
15
2011-05-13 15:00
@sankong333
6、LED驅動電路方案1)。輸入交流經PFC電路后成為直流,再經由單片機控制的多路可變恒流源。PFC電路為提高效率無需穩(wěn)壓,當輸入交流為190VAC時直流=190×1.4=276VDC,用單片機控制的第一路可變恒流源;接272.8V/3.1V(330mA)=88個LED的燈串,即使直流電壓掉到250VDC(179VAC),只是燈串的電流變?yōu)?60mA(88×2.85V)。即使直流電壓升為280V,只是燈串的電流變?yōu)?60mA(88×3.18V)。所以輸入交流為200VAC時用第一路可變恒流源;接88個LED的燈串。輸入交流為220VAC時用第二路可變恒流源;接98個LED的燈串。輸入交流為240VAC時用第三路可變恒流源;接108個LED的燈串。輸入交流為260VAC時用第四路可變恒流源;接118個LED的燈串。這樣MOS管的功耗接近0,即使誤差在308VDC(220VAC)有5V的壓降*1A也就5W,而總功率為308W,效率也有303/308=98.4%。用單片機檢測輸入直流電壓來控制可變恒流源是容易做到效率99%的!誰有1WLED的燈串?做實驗。7、LED驅動電路方案2)。不用PFC電路,不用電解電容,用單片機檢測輸入交流電壓來控制可變恒流源。但為提高功率因數路數要用多點。功率也相對方案1變小了。

103.4V穩(wěn)壓電源,起動,復位電路設計:3.4 V穩(wěn)壓電源搞了2天,郁悶。模擬實驗了多種方案,終于搞定!

最終結果:輸入180VAC---380VAC,輸出3.38V/6.73mA,功耗小于0.1W,紋波36mV。起動時間小于0.9秒。

終于要進入布PCB板,投樣品階段。

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chenccy
LV.4
16
2011-05-13 17:36
@LED電源1
真做出來世界都有名半年內被抄襲那是肯定的

還打火機大小,不切實際的想法.

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sankong333
LV.4
17
2011-05-13 19:59
@chenccy
還打火機大小,不切實際的想法.[圖片]

找到一種鑄造金屬盒(1分5有線網分支器),板子尺寸:22×60 mm,比打火機短20mm。擔心鋁基板6KV雷擊時的絕緣性能,用玻纖板加土制散熱罐封;不過只能布4MOS管。單面布線,有點麻煩。

剛開始通電時,單片機還沒工作(220VAC時起動時間小于0.6秒)。

所以增加MOS管驅動鎖定電路。

11、照度調光、時間調光、燈板溫度調光、網絡調光、遙控調光。

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madboy21
LV.8
18
2011-05-14 09:40
@sankong333
10、3.4V穩(wěn)壓電源,起動,復位電路設計:3.4V穩(wěn)壓電源搞了2天,郁悶。模擬實驗了多種方案,終于搞定!最終結果:輸入180VAC---380VAC,輸出3.38V/6.73mA,功耗小于0.1W,紋波36mV。起動時間小于0.9秒。終于要進入布PCB板,投樣品階段。

等眾多的好東西

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liuhanchao
LV.4
19
2011-05-16 13:09
好哇,支持!
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電子盲
LV.4
20
2011-05-17 21:47
@sankong333
找到一種鑄造金屬盒(1分5有線網分支器),板子尺寸:22×60mm,比打火機短20mm。擔心鋁基板6KV雷擊時的絕緣性能,用玻纖板加土制散熱罐封;不過只能布4路MOS管。單面布線,有點麻煩。剛開始通電時,單片機還沒工作(220VAC時起動時間小于0.6秒)。所以增加MOS管驅動鎖定電路。11、照度調光、時間調光、燈板溫度調光、網絡調光、遙控調光。

人才啊!

支持!

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sankong333
LV.4
21
2011-05-19 17:11
@sankong333
找到一種鑄造金屬盒(1分5有線網分支器),板子尺寸:22×60mm,比打火機短20mm。擔心鋁基板6KV雷擊時的絕緣性能,用玻纖板加土制散熱罐封;不過只能布4路MOS管。單面布線,有點麻煩。剛開始通電時,單片機還沒工作(220VAC時起動時間小于0.6秒)。所以增加MOS管驅動鎖定電路。11、照度調光、時間調光、燈板溫度調光、網絡調光、遙控調光。

12、單片機實現的過壓、過流、短路、開路、檢測與保護。效率,功率因數跟蹤調整。可編程的功率調整。

已投樣板,我這2年的主要工作是建房子,裝修。建筑節(jié)能應從建房子的設計就開始。主要在房子的保溫,保溫必須密封,而密封就需認真考慮換氣系統(tǒng)。保溫好的房子可做到低于30W/平方米的損耗!LED燈具我看作建筑節(jié)能的一部分。

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javike
LV.12
22
2011-05-19 20:50
有做出實物來嗎?
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sankong333
LV.4
23
2011-05-23 16:22
@javike
有做出實物來嗎?

 13、可網絡在線升級程序,增加新功能或調整方案。

PCB板到手,開始硬件測試MOS管恒流源。要全部完成估計時間要拖久;最近又有新任務。

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sankong333
LV.4
24
2011-05-23 16:29
@sankong333
[圖片] 13、可網絡在線升級程序,增加新功能或調整方案。PCB板到手,開始硬件測試MOS管恒流源。要全部完成估計時間要拖久;最近又有新任務。

 14、斷電時參數自動保存,以便來電恢復(間隔可達10年)。

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sankong333
LV.4
25
2011-05-23 16:30
@sankong333
[圖片] 14、斷電時參數自動保存,以便來電恢復(間隔可達10年)。
 15、SNP簡單網絡通訊協(xié)議。
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sankong333
LV.4
26
2011-05-23 16:37
@sankong333
[圖片] 15、SNP簡單網絡通訊協(xié)議。

4路MOS管都由單片機控制時,功率因數可做到0.96以上,效率達到95%以上。

還在改進的模擬電路:

 

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power88888
LV.6
27
2011-05-24 15:01
@sankong333
4路MOS管都由單片機控制時,功率因數可做到0.96以上,效率達到95%以上。還在改進的模擬電路:[圖片] 
這上面試出來能行,在現實開發(fā)中可能有點難喲!
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sankong333
LV.4
28
2011-05-24 21:24
@sankong333
4路MOS管都由單片機控制時,功率因數可做到0.96以上,效率達到95%以上。還在改進的模擬電路:[圖片] 

16、從軟件的角度,單片機,CPU。??煽醋魇且粋€接口:

CPU_JK(RESET,INT1,。。。INTn)。RESET,INT1,。。。INTn的標志置位與清除,跳轉入口地址是由硬件設定的。RESET類的構造:

RESETinit();初始化函數

       DD_JK();死循環(huán)或睡眠 任務調度接口

       exit();退出處理}

在單片機里,通常的編程任務都在編寫中斷函數INT()上;調度接口用得少。DD_JK()類似RESET()接口,就是所謂操作系統(tǒng)的任務調度了,什么線程,進程,多任務之類概念的根源。在UNIX等的多用戶多任務操作系統(tǒng)里,一般中斷函數不能占據太多的時間片段,通常分快速中斷函數(必須實時處理部分,設置任務位容器的相關標志,返回),慢速中斷函數實際上就是在DD_JK()里相對應的后續(xù)處理任務。任務容器的標志清除通常由相應的任務一開始的指令來清除。例,定義一個16位的任務容器

BC16 TSS;如果優(yōu)先級是按高位到低位排序,就從高位開始判斷。。。執(zhí)行任務,返回。。。死循環(huán)或睡眠等待中斷。。中斷返回,跳到DD_JK()開始地方。。。

DD_JK()是最易編寫的函數之一,我喜歡用匯編。

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2011-05-25 09:09
想法很好
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sankong333
LV.4
30
2011-06-02 22:21
@桂源電子
想法很好[圖片]
今天到深圳,請問哪有同時測功率,效率,功率因數,電壓,電流的儀器賣
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sankong333
LV.4
31
2011-06-02 22:27
@sankong333
16、從軟件的角度,單片機,CPU。??煽醋魇且粋€接口:CPU_JK(RESET,INT1,。。。INTn)。RESET,INT1,。。。INTn的標志置位與清除,跳轉入口地址是由硬件設定的。RESET類的構造:RESET{init();初始化函數      DD_JK();死循環(huán)或睡眠任務調度接口      exit();退出處理}在單片機里,通常的編程任務都在編寫中斷函數INT()上;調度接口用得少。DD_JK()類似RESET()接口,就是所謂操作系統(tǒng)的任務調度了,什么線程,進程,多任務之類概念的根源。在UNIX等的多用戶多任務操作系統(tǒng)里,一般中斷函數不能占據太多的時間片段,通常分快速中斷函數(必須實時處理部分,設置任務位容器的相關標志,返回),慢速中斷函數實際上就是在DD_JK()里相對應的后續(xù)處理任務。任務容器的標志清除通常由相應的任務一開始的指令來清除。例,定義一個16位的任務容器BC16TSS;如果優(yōu)先級是按高位到低位排序,就從高位開始判斷。。。執(zhí)行任務,返回。。。死循環(huán)或睡眠等待中斷。。中斷返回,跳到DD_JK()開始地方。。。DD_JK()是最易編寫的函數之一,我喜歡用匯編。

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;         YT 終端設備通信規(guī)范:YTRTU_SNP   Ver1.8

; 通信規(guī)范只有物理層,鏈路層,應用層;類似MODBUS協(xié)議。

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; 簡單網絡協(xié)議SNP   Ver1.2

; SNP只規(guī)范了幀數據包的第一個字節(jié); 數據包是否加密;ID號;目標,源地址,內存開始地址,長度等由256種協(xié)議規(guī)定.

;------------------------------------------------------------------------------

; BIT7--BIT4: 4位16種自定義的類型協(xié)議.

; 電表:1000, 水控: 1001, 集線器: 1010, LED終端: 1011

; BIT3: 方向位. 1-主設備發(fā)送數據幀,0-子設備響應幀.

; BIT2--BIT0:

; 1000 關閉設備.

; 1001 寫數據DTW.

; 1010 讀數據DTR.

; 1011 段擦除

; 1100 強制數據CDW. (用于周期性的由調度器發(fā)放令牌,得到令牌的子設備可暫時地成為

; 主站. 或作為路由命令等.)

; 1101 備用

; 1110 打開設備.

; 1111 備用.

; 0000 NAK(異常響應).

; 0001 事件數據請求的DTR響應YACK.

; 0010 無事件數據的DTR響應NACK.

; 0011 ACK(正確響應).

; 0100--0111 備用

;------------------------------------------------------------------------------

; 總線傳輸約定:

;------------------------------------------------------------------------------

; 主從結構的半雙工方式。通信鏈路的建立與拆除均由主站來控制。

; 幀頭為SNP;或同步字符: SYNC.

; 數據長度L:數據域的字節(jié)數。<=255, L=0表示無數據域。

; 結束符-校驗碼CS:各字節(jié)算術和。

; 設備可為硬設備或軟件設備(一段程序).

; 線路空閑狀態(tài)為1。

; 字符格式:低位先傳,后傳高位;起始位0;8位數據,一位偶校驗位,一位停止位1。

; 每個字符間無需線路空閑間隔。

; 2幀間的線路空閑間隔最少需33位。

; 傳輸規(guī)則: 只有在前一輪傳輸結束后才能開始新一輪的傳輸.

; 傳輸響應:20MS <= TD <= 500MS, TB<= 500MS。

; 差錯控制:出錯丟棄。

; 數據幀結構:SNP L PT SA  D1 D2--DL

;  SNP{                    //串行主從方式協(xié)議的主站頭.

;       BC8S  SNP_HEAD;    //SNP協(xié)議頭.

;       BC8S  SNP_L;       //數據長度.

;       BC16S SNP_SOCKET;  //端口標識.

;       BC16S SNP_SA;      //目標開始地址.

;     }

; D1---DL為L個的字節(jié)數據.

; PT為16位端口標識,用于調度或子設備地址;一個主設備可有64K個端口子設備

; 子設備也允許擁有多個端口。

; PT=65535為廣播端口,65534備用.

; SA為目的站內16位存儲器(SRAM,FLASH,EEPROM)開始地址或數據標識或其子設備地址。

; 讀寫數據長度1字節(jié)L:從D1到DL的字節(jié)數;讀時<=255, 寫時<=64, L=0表示無數據域。

;------------------------------------------------------------------------------

; 總線調度約定:

;------------------------------------------------------------------------------

; 有路由或網橋功能的設備通常都可作為調度器使用??偩€上只能有一個主調度器MLAS。

; 調度器地址碼與優(yōu)先級順序分別為:1--33。非調度器的設備同一時間只能掛65500個,

; 地址為34--65533。

; MLAS以輪循強制數據CDW方式周期性訪問總線上的設備,當設備3次無反應時,就從活動

表中去掉這些設備。

; 得到CD的設備成為主站可向總線發(fā)送信息。每周期只能發(fā)送最大長度256字節(jié)的一幀數據。

; 當MLAS退出或故障時,付調度器按優(yōu)先級依時間次序升為MLAS,例MLAS1退出,總線上有

; 2,4號付調度器。當他們發(fā)現

; 總線在預定時間無信號傳輸時,2延遲1T時間后接管MLAS。如2被設置禁止作為MLAS,

; 則4等候3T時間后接管MLAS。如這

; 時1號調度器恢復,在MLAS輪循到1號調度器時;1號向4號MLAS發(fā)寫幀,將4號MLAS設回

; 為付調度器方式,從而1號成為MLAS。

; 新入網的設備站地址為65535。MLAS輪循到65535地址有反應時,MLAS將為新設備分配地

; 址,并加入到活動表中,同時在輪循到付調度器時更新付調度器的活動表。也可通過其

; 它方式直接對MLAS設入新設備地址。

;------------------------------------------------------------------------------

; 總線路由約定:

;------------------------------------------------------------------------------

; 總線上的設備通過路由器與其它總線上設備通信;這時就必需建立連接通道。連接可通

; 過ID號服務中心的短消息,郵箱

; 等方式進行。或GSM,GPRS,TCP/IP等點到點方式實現。

; 每個設備都分配有一個唯一的8字節(jié)ID號;稱為信胞ID號。ID號可為手機號,QQ號,設

; 備號等。前面為0的字節(jié)將被忽略。

; 設備號:節(jié)點6字節(jié)MAC,另2字節(jié)為端口PT。

; 1。主站對終端設備請求幀:C=11H/12H/13H,請求讀數據,L=02H。

; 2。終端設備從站正常應答:C=91H/92H/93H,無后續(xù)數據幀,L=02H+M(數據長度)。

; 3。終端設備從站異常應答:C=D1H/D2H/D3H,從站收到非法的數據請求或無此數據。L=01H。

; 4。主站向從站請求設置數據:C=14H/15H/16H,L=02H+M(數據長度)。

; 5。終端設備從站正常應答:C=94H/95H/96H,L=00H。

; 6。終端設備從站異常應答:C=D4H/D5H/D6H,從站收到非法的數據請求或無此數據。L=01H。

; 7。錯誤信息字節(jié)ERR:D7---D0,空-費率數超-日時段數超-年時區(qū)數超-空-密碼錯-數

; 據標識錯-非法數據-空。

;==============================================================================

; MSP430系列SNP:

; 校驗口令碼:              XE  08  PTL PTH  F0  10   D1-D8   ; ACK/NAK(X3H/X0H).

; D1--D8為設備密碼; 10F0H---10F7H=本設備密碼地址; PT=XXXXH

; 有保護命令:

; SNP=XFH 廣播數據TEW:      XF  L 0XFFFF SAL SAH   D1 D2..DL  ; ACK/NAK.  X3H/X0H.

; 2. 對時命令.        XF  08 0XFFFF 80  02   D1 D2..D8   

; D1D2..D8=年月日星期時分秒 標準值.                 

; O280H---0287H=年月日星期時分秒.

; SNP=X2H 讀數據DTR:  SNP  L  PTL  PTH  SAL SAH  D1 D2..DL   ; 0X1H/0X2H D1--DL CS

; 3. 讀數據           X2   L  PTL  PTH  SAL SAH 

; NACK=X2H(無事件數據的DTR響應), YACK=X1H(有事件數據請求的DTR響應).

; 64K字節(jié),0X00000000--0X0000FFFFH,

; 4. 段擦除.          XB  02  PTL  PTH  SAL SAH         ;NACK

; SNP=X1 寫數據DTW: SNP L  PTL PTH  SAL SAH D1 D2..DL ;ACK/NAK(ACK=0X3H, NAK=0X0H)     

; 5. 寫數據         X1 L  PTL  PTH  SAL SAH D1 D2..DL 

; 注意: SRAM開始地址為0200H,不同芯片其范圍不一樣,寫命令只限于0200H以上的地址!

; 出廠時數據區(qū)A段B段都是空白點,即01000H--010FFH全0FFH,對FLASH區(qū)的寫僅當內容

; 空白時才有效,否則返回NAK!

; 大于0FE00H以上的512B地址范圍不能寫(內含主程序,通信及在線升級),程序段只限于

0FE00H以下的地址.對于非空的FLSAH區(qū)域的寫只能先做段擦除為空后,才能寫進去!因全

段擦除,所以要注意保護相鄰的數據!

; CRC為從SNP字節(jié)開始到SA的8字節(jié)幀頭16位的CRC校驗字。CS為D1-DL的校驗和。

; 差錯控制:出錯丟棄。

; SA設為地址可簡化各式各樣智能部件通信協(xié)議的編程,地址的內容表示什么樣的數據

; 可在電腦上裝相應解釋表驅動; 從而使各智能部件的后臺人機界面一致。 

;==============================================================================

; 簡單網絡協(xié)議LED-SNP

; HE1串口從站接收回應數據幀任務. 出錯丟棄該幀.

; 無保護命令:

; 打開設備:            BEH    8  PT    010F0H   D1-D8         ;B3H/B0H ,ACK/NAK

; 關閉設備:            B8H    8  PT    010F0H   D1-D8         ;B3H/B0H ,ACK/NAK

; 有保護命令:

; 讀數據DTR:           BAH    L  PT     SA      ; YACK/NACK(B1H/B2H) D1--DL CS.

; 寫數據DTW:          B9H    L  PT     SA      D1-DL         ; ACK/NAK

; 廣播寫數據TEW:       B9H    L 0FFFFH  SA      D1-DL         ; ACK/NAK

; 擦洗一段DTR:         BBH    2  PT     SA                    ; NACK(B2H).

; 廣播擦洗一段         BBH    L 0FFFFH  SA      D1-DL         ; ACK/NAK

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