低壓輸入的時候，電流應力比較大。損耗也會比較大。你測一下MOS的溫度。

另外，最大占空比在多少？測一下低壓輸入的時候，MOS的波形看看。

我也是想看看這個狀態下的波形，是不是占空比太大得話容易出現問題？上次有人說如果把次級線圈增加一圈的話，提高輸出電壓，降低占空比會有效果。

到時測下PWM波形看看，占空比究竟如何。現在正在聯系供貨商，看看有否40N1200的管子替代。麻煩的是不帶D的啊。又碰到IGBT一直缺貨啊。

是不是管子的電流應力不夠。

期待波形。有可能是power on的時候溫度瞬間過高

先上個圖看下吧。

雙管正激如何要用這么高耐壓的管子？耐壓高的管子其內阻會更大，導通損耗也會大。你的輸入電壓并不高呀，500V的管子余量已經很大了，用47N60C3的coolMOS試試吧

就上些波形圖吧       

變壓器參數來啦：初級￠1.80漆包線繞2X15T,電感量720uH。次級2.26X6.4mm扁銅絲包線8T,電感量210uH。

IGBT型號：G30N60A4(不帶D)

哦，工作頻率66k。輸出電壓要求是40v80a的。

你的變壓器工作頻率是多少？￠1.80漆包線的集膚效應會非常明顯

有沒有測試線包溫度？

大師你好：變壓器工作頻率就是66k，變壓器廠家改為銅帶繞制了。溫度沒有測，因為變壓器用環氧導熱膠固定在旁邊的腔室中了。下面的波形應該是空載時的變壓器次級輸出波形。

不要叫我大師，跟論壇其他網友一樣叫我冰版吧

低壓部分帶不起負載，可以看看初級電流環路是否有動作，變壓器是否飽和趨勢或現象，還有就是你的IGBT電流應力是否有足夠的余量

變壓器最好用多股線繞制，因為功率較大，一般都是直接引線，所以繞制工藝反而更簡單

等待新購管子的過程中，呵呵。現在又懷疑，是不是由于低輸入電壓情況下，脈寬太寬，電流太大，造成變壓器磁飽和，然后炸管。準備測量初級電流波形看看。

原來電路中，在變壓器初級有個電流互感器的，準備在互感器次級測量下電壓波形，即是變壓器初級電流波形。是不是這樣呢？

哈哈，成本可以承受，空間不能承受。原來就用兩個IGBT,TO247封裝的。

變壓器參數：初級￠1.80漆包線繞2X15T,電感量720uH。次級2.26X6.4mm扁銅絲包線8T,電感量210uH。EE70。電感參數：EE70，2.5X7.5毫米扁銅絲包線12匝，加電感量為420uH。輸出電壓，40V80A.

成本能接受還有辦法，你的空間現在還有多少富余？改回兩個或者裝大一點封裝的能放下不？如果不行的話就麻煩了，要動大手術。。。