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30W PFC L6562 調試時出現的問題

 

小生在用6562做個30WPFC時出現一問題不解,100-150V低壓時PFC帶載不起。查出來是VCC供電不足。把圖中C5從103加大到333可以解決問題。但是加大后R14上溫度很高。整機效率也就下來了。

所以在此請教下各位,針對VCC供電不足這個問題,是否我的PFC電感參數有問題。我的匝比參數是130T:16T   L=2mm。

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shayu1000
LV.8
2
2011-03-30 09:30
有沒有把穩壓管摘掉試試看
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2011-03-30 09:34
@shayu1000
有沒有把穩壓管摘掉試試看

把穩壓管取下后。不工作。

 

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shayu1000
LV.8
4
2011-03-30 09:35
@luobiao168
把穩壓管取下后。不工作。 

此時的VCC多高?

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2011-03-30 09:42
@shayu1000
此時的VCC多高?
不帶載時有16V。PFC輸出有400V,一加載。VCC就掉下去了。輸出也降到了PFC不工作時的AC*1.41的電壓。
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2011-03-30 09:46
@luobiao168
不帶載時有16V。PFC輸出有400V,一加載。VCC就掉下去了。輸出也降到了PFC不工作時的AC*1.41的電壓。

電容加到333就可以。但R14的損耗大了。是不是PFC電感匝比要調。

現在NP/NS=8.6666

 

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ballastt
LV.6
7
2011-03-30 09:52
@luobiao168
電容加到333就可以。但R14的損耗大了。是不是PFC電感匝比要調。現在NP/NS=8.6666 

C29加大實驗一下,兩個180K 的可以降低到150K(啟動能快點)

加大匝比 ,還不如把100歐姆的電阻減小到30歐姆左右,幾個并聯。

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2011-03-30 09:53

適當增大R14,啟動會慢吧,也許可以,因為正常工作,R14上不斷耗電

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ballastt
LV.6
9
2011-03-30 09:59
@luobiao168
電容加到333就可以。但R14的損耗大了。是不是PFC電感匝比要調。現在NP/NS=8.6666 
還有一個方法就是MOS的驅動電阻變成300歐姆以上,但一定要加一個反向放電的二極管,否者MOS會飛掉。
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luobiao168
LV.6
10
2011-03-30 10:02
@weirongshi
適當增大R14,啟動會慢吧,也許可以,因為正常工作,R14上不斷耗電
C29曾加大試過。沒用。 180K也試過的。/    100R換33R試過。 MOS 驅動也試過個47R的。都沒作用才發的貼。
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ballastt
LV.6
11
2011-03-30 10:11
@luobiao168
C29曾加大試過。沒用。180K也試過的。/   100R換33R試過。MOS驅動也試過個47R的。都沒作用才發的貼。

MOS   驅動,加大到390歐姆,一定加反向二極管。同時,100R=>>10歐姆,1W的。

一定不要單個試了,就說不行。在就是10NF不行還有15NF 的。不要飛到33NF

無負載,能啟動,是因為整流橋后面的電容,在無負載的時候,他的電壓時1.4*VIN。

帶載的時候,電容上電壓下降。輸出的電源電壓不夠。你先把外圍的參數調到最好。盲目的加大匝比,損耗會更大。

如果功率因數能滿足的話,整流橋后面的電容可以考慮用更大一點的電解。

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luobiao168
LV.6
12
2011-03-30 10:42
@ballastt
MOS  驅動,加大到390歐姆,一定加反向二極管。同時,100R=>>10歐姆,1W的。一定不要單個試了,就說不行。在就是10NF不行還有15NF的。不要飛到33NF無負載,能啟動,是因為整流橋后面的電容,在無負載的時候,他的電壓時1.4*VIN。帶載的時候,電容上電壓下降。輸出的電源電壓不夠。你先把外圍的參數調到最好。盲目的加大匝比,損耗會更大。如果功率因數能滿足的話,整流橋后面的電容可以考慮用更大一點的電解。
驅動加到300R。驅動波形明顯變形了。都快成三角波了。
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ballastt
LV.6
13
2011-03-30 10:50
@luobiao168
驅動加到300R。驅動波形明顯變形了。都快成三角波了。

不好意思,那得看一下MOS的參數,結電容是不是很大。

可以用英飛凌的4N60,導通電阻為0.9左右。能滿足30W的要求。2元多點。

因為,6562的主要損耗,在驅動這塊,能降低最好。

電容15NF,以上參數都不行的話,只能變匝比了。

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ballastt
LV.6
14
2011-03-30 10:58
@luobiao168
驅動加到300R。驅動波形明顯變形了。都快成三角波了。

另外,你的參數是80W的參數。

而按照30W來算的話:

我粗略算了一下,整流橋后面的電容可以加大,但功率因數會變小。

電感量上限在3.3MH左右,MOS采樣電阻上限在1.2歐姆左右。

整個電路的峰值電流在1.2 安培左右。MOS 的有效值在0.4安培。

可以采用小一點的MOS。好驅動,并且價格好。

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luobiao168
LV.6
15
2011-03-30 11:12
@ballastt
另外,你的參數是80W的參數。而按照30W來算的話:我粗略算了一下,整流橋后面的電容可以加大,但功率因數會變小。電感量上限在3.3MH左右,MOS采樣電阻上限在1.2歐姆左右。整個電路的峰值電流在1.2安培左右。MOS的有效值在0.4安培。可以采用小一點的MOS。好驅動,并且價格好。

我用的是5N60,電感2mH 匝比。130:16  取樣電阻是1R ,準備把匝比改到130:14

 

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ballastt
LV.6
16
2011-03-30 11:36
@luobiao168
我用的是5N60,電感2mH匝比。130:16  取樣電阻是1R,準備把匝比改到130:14 

走錯方向了,匝比該減小!次級增加!

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luobiao168
LV.6
17
2011-03-30 11:44
@ballastt
走錯方向了,匝比該減小!次級增加!
我是想把匝比加大。把C15是加大。
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luobiao168
LV.6
18
2011-03-30 14:08
@luobiao168
我是想把匝比加大。把C15是加大。

先別沉

 

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