據說是：在CCM下防止震蕩時 Mosfet電流倒流~

如何倒流，能否細說。。。

又看了看，分析：

的確是防止MOSFET電流倒流，主要是發生在當漏感和電容較大時，振蕩幅值到低于0時，而不應該是發生在CCM模式。。。

不很明白，學習下

你的第一句話有點問題，你自己再仔細想想

還有就是加入這個二極管之后，電源的整體效率是提高了還是降低了？

謝謝冰版，應該是電感。對于效率沒有實測，不大清楚。。。估計測也測不出來。。。

斑竹聰明，我的筆誤，是DCM ，呵呵~

請問你說的LC振蕩是哪個L和哪個C??？

這個諧振是一次側電感量L和FET漏源極間的寄生電容Cds產生的。如果在D極加個二極管，根本無法諧振了啊，諧振是能量從L傳遞給C，然后C再傳遞給L?，F在加了個二極管，能量直接都給Cds了，所以就出現下面的圖，Cds的電壓很高，把VDS的電壓給拉高了。

是的,但設計者怎么去考慮呢?

對于DCM這個VDS波形的后段振蕩，應該是漏感上初級勵磁電感與電路的雜散電容（包括變壓器的分布電容）以及MOSFET的Coss諧振

還有一個疑問就是，為何說效率測試不出來？

雜散電容是有的，這個我沒有考慮到。

可“漏感上初級勵磁電感”整么去理解呢？你是指勵磁電感嗎？

上圖為反激變壓器等效圖，我認為振蕩的電感是LS+LP。也就是我們測到的原邊電感。。。

sorry，少打了一個字

應該是是“漏感加上初級勵磁電感”

冰版沒有用過這中電路嗎？這個在LED驅動芯片中好像挺多的哦，PI最新出的L-PH推薦電路里也有這個二極管啊！我只是不知道成熟產品為什么要加，不加在什么時候會出現什么問題。。。

問題是諧振電容不完全是Cds呀？

變壓器的雜散電容呢？

這個準諧振，不是二極管的功勞，

是類似“谷底”檢測，然后發出指令的結果~

這個跟諧振沒有關系，大家仔細看帖。這這是普通的反激式DCM模式的開關電源。加入二級管電路我也只是在做LED項目中看到有LED芯片給出這樣的電路圖。那個谷底應該只是碰巧測到的。。。。

上一個PI的電路圖：

就沒人用過嗎？納悶了。。。沒用過，大家可以分析下啊，或者我上面的分析對嗎？

冰版，這里應該只有Lm來影響這個吧。

這個振蕩，在DCM模式下才有，CCM沒有。和變壓器漏感沒有關系吧。

漏感只是和尖峰那里的振蕩有關？