1， 一般情況下，同功率的開關(guān)電源與線性電源相比，_____。
A, 體積大，效率高 B，體積小，效率低 C, 體積不變，效率低 D, 體積小，效率高
2，大功率開關(guān)電源常用變換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)形式是_____。
A, 反激式 B, 正激式 C, 自激式 D, 他激式 X#i3Zf T%\[;c [
3, 一般來說，提高開關(guān)電源的頻率，則電源_____。
A, 同體積時，增大功率 B, 功率減小，體積也減小 C, 功率增大， 體積也增大 D, 效率提高， 體積增大7],v_(s-~d K
4， 肖特基管和快恢復(fù)管常作為開關(guān)電源的____。n I.h-K s
A, 輸入整流管 B, 輸出整流管 C, 電壓瞬變抑制管 D, 信號檢波管-| ]#I.Qz6t4V.I`
5， 肖特基管與快恢復(fù)管相比，____。
A, 耐壓高 B, 反向恢復(fù)時間長 C, 正向壓降大 D, 耐壓低， 正向壓降小|R!hXk V#{k(X
6， GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，那些是開關(guān)電源中變壓器常用的驅(qū)動元件？____。k$J*KW1V.n Sm
A, GTO和GTR B, TRIAC 和IGBT C, MOSFET和IGBT D，SCR和MOSFET
7， 開關(guān)電源變壓器的損耗主要包括：____。ak8mWV
A, 磁滯損耗、銅阻損耗、渦流損耗 B, 磁滯損耗、銅阻損耗、介電損耗
C, 銅阻損耗、渦流損耗、介電損耗 D, 磁滯損耗、渦流損耗、介電損耗
8，開關(guān)電源變壓器的初級漏感測量方法是___。
A, 次級開路，測初級電感 B, 初級開路，測次級電感C, 次級短路，測初級電感*C8| ?X~2M&p;N
D, 初級短路，測次級電感"z d.Ia c6_
9，開關(guān)電源變壓器的激磁電感測量方法是___。
A, 次級開路，測初級電感 B, 初級開路，測次級電感C, 次級短路，測初級電感'{*X(o O{D{,y$`
D, 初級短路，測次級電感
10，變壓器初次級間加屏蔽層的目的是_____。
A, 減小初次間分布電感引起的干擾 B, 減小初次間分布電容引起的干擾
C, 提高效率 D, 增大絕緣能力9J-_-|8G*tqQ;|
11，減小開關(guān)驅(qū)動管的損耗主要途經(jīng)是_____。 b R T+_ b4W?gl
A, 選用低導(dǎo)通電阻的驅(qū)動管 B, 提高驅(qū)動管的驅(qū)動信號的邊沿陡度
C, 提高開關(guān)頻率 D, A和B及減小開關(guān)頻率5z~6PZj0e2L1a8G
12，已知功率管的管芯至管殼的熱阻為1.2℃/W,管殼至散熱器的熱阻為2.0℃/W, 散熱器至自由空氣的熱阻為10℃/W,環(huán)境溫度為70℃，如功率管的損耗為6W，工作半小時后，管芯溫度大約為___。
A, 149.2℃ B 79.2℃ C, 70℃ D, 102℃
13，220VAC輸入的電源，輸入對外殼、輸入對輸出的工頻耐壓試驗(yàn)值一般是_____。 l"h/Wh)RBB q \F
A,500V、1000V B, 1500V、2500V C, 2500V,1500V D,1000V,1500V
14， 電容的損耗包括漏電損耗和介電損耗，其中介電損耗是主要損耗，損耗角____。
A, 越大，損耗越小 B,越小，損耗越小 C,是消耗有功功率與視在功率之比 D, 是無功功功率與視在功率之比
15，電感飽和是指_____。z?v g%e uI"J9WD
A, 通過的磁通隨電流變化而變化 B, 電抗不變 C, 電抗減小 D,電抗增大 6bSw%T6J'xD
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16，電感、磁環(huán)、磁珠的應(yīng)用區(qū)別主要是____。
A, 電感用于濾波、磁環(huán)套在流有較大電流的導(dǎo)線上抗射頻干擾、磁珠用于信號線抗射頻干擾 s9jUY8I oADR
B, 電感用于濾波、磁珠套在流有較大電流的導(dǎo)線上抗射頻干擾、磁環(huán)用于信號線抗射頻干擾N+c x&y3w]
C, 磁環(huán)用于濾波、磁珠套在流有較大電流的導(dǎo)線上抗射頻干擾、電感用于信號線抗射頻干擾I9b!zz?us"c
D, 磁珠用于濾波、磁環(huán)套在流有較大電流的導(dǎo)線上抗射頻干擾、電感用于信號線抗射頻干擾Z7m4H1y`Cg;m;z)q
17，真空放電管、壓敏電阻、TVS管分別用于____瞬時過壓保護(hù)。 y9Tjk|!~Iv
A, 電子元器件、電子設(shè)備、電氣設(shè)備 B,電子設(shè)備、電氣設(shè)備、電子元器件
C, 電氣設(shè)備、電子元器件、電子設(shè)備 D,電氣設(shè)備、電子設(shè)備、電子元器件
18，EMS測試中，IEC61000標(biāo)準(zhǔn)中浪涌電壓、電快速脈沖的脈寬/邊沿要求是___。 AU&z s ncKE
A, 50μS/5μS 50nS/5nS B, 50μS/5nS 50nS/5nS \\ E?cBS
C, 100μS/1μS 100nS/10nS D, 5μS/5nS 100nS/10Ns
19, 220VAC電源輸入濾波器共模阻抗與差模阻抗相比, _____.
A, 共模阻抗與差模阻抗基本相同 B, 共模阻抗小于差模阻抗0p/J&lgiU5p+In-{
C, 共模阻抗大于差模阻抗 D, 共模阻抗等于差模阻抗的平方 {_9` M rJxd
20, 模擬電路地與數(shù)字電路地一點(diǎn)共地的目的是___.eJ/OAa$`5sL
A, 減小數(shù)字電路地線電流 B, 減小模擬電路受到的輻射干繞 %@ smV\9p^;uY.I
C, 增大模擬電路與數(shù)字電路的共地阻抗D, 減小模擬電路與數(shù)字電路的共地阻抗j x%x0LZ2W5K+L
21, 分布式電壓閉環(huán)開關(guān)電源并聯(lián)運(yùn)行, 每臺電源在電壓給定值不變的情況下,電壓—電流靜態(tài)特性應(yīng)為____. t+]&P`*`M
A, 硬特性(即恒壓特性) B, 降特性(即隨電流增大電壓下降) n(w)c#X-wF'oV'K
C, 升特性(即隨電流增大電壓增大) D, 無要求
22, PID調(diào)節(jié)方式中,I和D的作用分別是____.-mwi.q5aDW
A, 消除靜態(tài)誤差和提高動態(tài)性能 B,提高動態(tài)性能和消除靜態(tài)誤差
C, 減小調(diào)節(jié)時間和消除靜態(tài)誤差 D, 減小超調(diào)量和消除靜態(tài)誤差
23, 一運(yùn)算放大器的開環(huán)增益為80DB, 如不考慮其他誤差因素,要求用該放大器一級放大某信號, 誤差小于0.5%, 則閉環(huán)放大增益K應(yīng)____.aIl9Rc
A, K >=100 B, K>=50 C, 50<=K<=100 D, K<=50
24, 開關(guān)電源中反饋用的傳輸光耦,對其CTR值要求是____.B l4F6h R_
A, 越大越好 B, 越小越好 C, 有一定的范圍 D, 無所謂
25, 如果是NRZ編碼,當(dāng)通訊波特率較高且距離較遠(yuǎn)時, 總線兩端需要接端接電阻,該電阻取值依據(jù)為___.$Hs(q5LTLn;tgS
A, 按總線驅(qū)動器的直流負(fù)載能力取 B, 按干擾噪聲程度取
C, 取該波特率(頻率)對應(yīng)的通信電纜的波阻抗值 D, 取該波特率對應(yīng)通信電纜的分布電容的容抗值
1。普通二極管和電力電子用的二極管在結(jié)構(gòu)上有什么區(qū)別？提示：psn結(jié)構(gòu)，s層的作用是什么？可以從雜質(zhì)摻雜濃度來分析。
2。在現(xiàn)代開關(guān)器件中，經(jīng)常可以看到punch through技術(shù)的應(yīng)用。請介紹一下這種技術(shù)的原理和它的優(yōu)點(diǎn)（相比起沒有使用此技術(shù)的器件）。
3。IGBT有“電導(dǎo)調(diào)制”的特點(diǎn)，應(yīng)此igbt在大電流，較低頻率的應(yīng)用場合較MOSFET更有優(yōu)勢。何謂電導(dǎo)調(diào)制？
4。thyristor和gto結(jié)構(gòu)上大同小異，但后者卻能夠?qū)崿F(xiàn)主動關(guān)斷。請介紹一下生產(chǎn)工藝上的差異。
5。在大電流應(yīng)用場合，有時需要多管并聯(lián)。現(xiàn)在可供選擇的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并聯(lián)，哪些不可以？原因是什么？
6。在常用的dcdc converter中，如buck converter 或boost converter，二極管的反相恢復(fù)時間對能量損耗的影響很大。為改善損耗，請給出兩種方法。提示：新器件雞拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
正激與反激的根本區(qū)別有那些？
