電路為經(jīng)典的boost電路，輸入DC12-24V，輸出DC36V，輸出功率40W；
控制芯片為TL494，
輸出接電阻負(fù)載時(shí)，輸出電壓在mosfet的開關(guān)時(shí)刻振蕩很厲害，波形見下圖
綠色信號(hào)為開關(guān)管門極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，黃色為輸出電壓。此時(shí)電壓紋波大約在1V左右。（手機(jī)拍的，不太清晰）
請(qǐng)問大俠們這是什么原因引起的？如何減小紋波？非常感謝！！
俺的boost電路紋波為何如此大（>1000mv）？跪求高手解答，在線等
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@emmanuelle
探頭帶地線夾子了；哦，謝謝指點(diǎn)，等會(huì)兒換成RC試試；剛才在二極管兩端并聯(lián)上了一個(gè)RC電路（R=6K，C=0.1uF），紋波還是很大。這是不是因?yàn)橹等〉貌缓冒?.....
RC吸收的準(zhǔn)則是R=寄生電感和電容的阻抗，C=4-10倍的寄生電容的容量，二極管換肖特基，吸收先不管，改變MOS的吸收，R的量級(jí)應(yīng)該在幾歐到幾十歐的范圍。有個(gè)確定方法，就是先不加R,直接并C,使得加C前寄生震蕩的頻率為加C后頻率的2倍，這時(shí)，所加的電容容量為寄生電容容量的3倍，然后根據(jù)F=1/(2*PI()*SQRT(L*C))算出寄生電感L,再根據(jù)R=SQRT(L/C)算出諧振回路的特征阻抗，這個(gè)R就是要加的R, C=4-10倍的寄生電容容量，C越小，R上損耗越小，但吸收效果就差一些，反之亦然。
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@xuzhx
RC吸收的準(zhǔn)則是R=寄生電感和電容的阻抗，C=4-10倍的寄生電容的容量，二極管換肖特基，吸收先不管，改變MOS的吸收，R的量級(jí)應(yīng)該在幾歐到幾十歐的范圍。有個(gè)確定方法，就是先不加R,直接并C,使得加C前寄生震蕩的頻率為加C后頻率的2倍，這時(shí)，所加的電容容量為寄生電容容量的3倍，然后根據(jù)F=1/(2*PI()*SQRT(L*C))算出寄生電感L,再根據(jù)R=SQRT(L/C)算出諧振回路的特征阻抗，這個(gè)R就是要加的R, C=4-10倍的寄生電容容量，C越小，R上損耗越小，但吸收效果就差一些，反之亦然。
謝謝大俠支招，小弟回去再試試，這幾天老師來了，一直在忙別的。沒空弄這個(gè)。
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