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5V2A的效率

最近要做一款5V2A的電源,輸入是176-264VAC,想問下大家效率能做到多少,

   比如用RCC方案,效率能做到多少??

   用集成MOS的芯片,效率又能做到多少??

   還有一種就是用ACT30,效率能做到多少??

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acbelpe
LV.6
2
2010-09-25 08:12
你是想用RCC還是IC集成MOS
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2010-09-25 08:25

RCC的效率很差,5V2A大概做到70%~73%就已經不錯了,而且對關鍵元件選材很苛刻,否則,生產不良率很高的。RCC也有分Mosfet及BJT開關的。

集成MOSFET的IC,效率會高些,可以做到76%~80%不等。

ACT30幾乎淘汰了,BJT不好選哦,且最容易炸機。同時做10W夠嗆了。

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2010-09-25 08:45
@benjamin_zhouyinghua
RCC的效率很差,5V2A大概做到70%~73%就已經不錯了,而且對關鍵元件選材很苛刻,否則,生產不良率很高的。RCC也有分Mosfet及BJT開關的。集成MOSFET的IC,效率會高些,可以做到76%~80%不等。ACT30幾乎淘汰了,BJT不好選哦,且最容易炸機。同時做10W夠嗆了。

對于5V 2A用集成MOSFET的IC做到76%~80%有懷疑,除非不計成本的去做,否則合理的效率應該在70%~75%。

次級肖特基的壓降是個大頭,初級MOSFET的開關損耗,導通損耗,Transformer的損耗,吸收電路的損耗,啟動,反饋以及EMI電路的損耗等,加起來應該不小;當然如果舍得成本的話,這些損耗是可以降低的。

以前做過相似的案子,如果我沒記錯的話,樣機效率大概76%-77%,量產的一般在74%-75%;當然,也可能是我的水平有限

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2010-09-25 08:52
@acbelpe
你是想用RCC還是IC集成MOS

空間問題,用IC集成的估計放不下去,,

  所以可能選擇為RCC電路

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2010-09-25 08:53
@benjamin_zhouyinghua
RCC的效率很差,5V2A大概做到70%~73%就已經不錯了,而且對關鍵元件選材很苛刻,否則,生產不良率很高的。RCC也有分Mosfet及BJT開關的。集成MOSFET的IC,效率會高些,可以做到76%~80%不等。ACT30幾乎淘汰了,BJT不好選哦,且最容易炸機。同時做10W夠嗆了。
我們這的總工程師說能做80%,但不是RCC電路。。用集成MOS的IC
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2010-09-25 08:56
@心中有冰
對于5V2A用集成MOSFET的IC做到76%~80%有懷疑,除非不計成本的去做,否則合理的效率應該在70%~75%。次級肖特基的壓降是個大頭,初級MOSFET的開關損耗,導通損耗,Transformer的損耗,吸收電路的損耗,啟動,反饋以及EMI電路的損耗等,加起來應該不小;當然如果舍得成本的話,這些損耗是可以降低的。以前做過相似的案子,如果我沒記錯的話,樣機效率大概76%-77%,量產的一般在74%-75%;當然,也可能是我的水平有限

冰版主那么謙虛,

  現(xiàn)在有個5V2A的案子,客戶的技術要求是效率要大于80%,而且板子的空間不足,,把EE16的變壓器放上后,放個DIP-8的IC都放不下了,,還要求過3C,,所以發(fā)帖問下大家,效率能不能達到。。

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2010-09-25 09:13
@yqjwy_2008
冰版主那么謙虛, 現(xiàn)在有個5V2A的案子,客戶的技術要求是效率要大于80%,而且板子的空間不足,,把EE16的變壓器放上后,放個DIP-8的IC都放不下了,,還要求過3C,,所以發(fā)帖問下大家,效率能不能達到。。

EE16的變壓器在輸出5V 2A,頻率怎么也得跑150K以上,這個時候鐵損與銅損將非常大,做到80%的效率幾乎不可能

而且你這個體積小,要做這個效率,更是天方夜譚,你們總工說能做,就讓他做吧!你可以到時看笑話,看他到時怎么收場。

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2010-09-25 09:26
@心中有冰
EE16的變壓器在輸出5V2A,頻率怎么也得跑150K以上,這個時候鐵損與銅損將非常大,做到80%的效率幾乎不可能而且你這個體積小,要做這個效率,更是天方夜譚,你們總工說能做,就讓他做吧!你可以到時看笑話,看他到時怎么收場。[圖片]

可問題是,這個單是我接的,這個案子也自然落在我頭上了

   到時候都不知道怎么跟客戶解釋,,因為技術規(guī)格要求作為合同的附件

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2010-09-25 09:38
@yqjwy_2008
可問題是,這個單是我接的,這個案子也自然落在我頭上了[圖片]  到時候都不知道怎么跟客戶解釋,,因為技術規(guī)格要求作為合同的附件
你可以這么跟客戶解釋:5V2A做80%的效率本身就不是一件容易的事情,再加上體積的限制,所以,這個效率肯定是做不到。
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2010-09-25 09:43
@yqjwy_2008
我們這的總工程師說能做80%,但不是RCC電路。。用集成MOS的IC

你們總工是做電源的嗎,為何對RCC有偏見?

不要小看RCC電路,其實RCC做好了,比一般的IC做出來的電源效果要好得多,因為RCC本身就是一個軟開關電源,一般可以做到ZVS開通,所以在效率與EMI方面有很好的表現(xiàn)

但話說回來,真正能將RCC玩好的人沒有幾個

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yqjwy_2008
LV.8
12
2010-09-25 09:50
@心中有冰
你們總工是做電源的嗎,為何對RCC有偏見?不要小看RCC電路,其實RCC做好了,比一般的IC做出來的電源效果要好得多,因為RCC本身就是一個軟開關電源,一般可以做到ZVS開通,所以在效率與EMI方面有很好的表現(xiàn)但話說回來,真正能將RCC玩好的人沒有幾個

嗯,是的。他QQ資料上寫的有5年開關電源的經驗,,我來這個公司才1個月,到底具體怎么樣,我心里還沒個低。。

       不過公司現(xiàn)在用的都是國產的IC、MOS,,像12N60、20N60都用國產的,現(xiàn)在準備兩套方案,一套是RCC的,另一套就是用集成MOS的IC,將IC放在另一塊小板上。。

  頭大

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2010-09-25 10:04
@yqjwy_2008
嗯,是的。他QQ資料上寫的有5年開關電源的經驗,,我來這個公司才1個月,到底具體怎么樣,我心里還沒個低。。      不過公司現(xiàn)在用的都是國產的IC、MOS,,像12N60、20N60都用國產的,現(xiàn)在準備兩套方案,一套是RCC的,另一套就是用集成MOS的IC,將IC放在另一塊小板上。。 頭大

哇,5年就能做總工,佩服,難道是博士?

善意提醒:IC做在小板上插于PCB上,到時EMI處理起來是個頭疼的問題

 

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2010-09-25 10:27
@yqjwy_2008
嗯,是的。他QQ資料上寫的有5年開關電源的經驗,,我來這個公司才1個月,到底具體怎么樣,我心里還沒個低。。      不過公司現(xiàn)在用的都是國產的IC、MOS,,像12N60、20N60都用國產的,現(xiàn)在準備兩套方案,一套是RCC的,另一套就是用集成MOS的IC,將IC放在另一塊小板上。。 頭大
 國產的MOS能行嗎
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liuhou
LV.9
15
2010-09-25 10:30
@心中有冰
哇,5年就能做總工,佩服,難道是博士?善意提醒:IC做在小板上插于PCB上,到時EMI處理起來是個頭疼的問題 
5年就能做總工,不一般的牛人。
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houran77
LV.6
16
2010-09-25 10:54

嘿嘿,最近客戶在我這定做5V2A電源,也是176V-264V輸入,體積要求的估計比你的還小點。現(xiàn)在剛搭出試驗電路,效率約80%,加點測量誤差,恰好卡邊。沒你那么幸運,還能用上EE16的磁芯,我用的EE13的磁芯做的變壓器。輸出10W的時候,功率機上顯示的在12.4-12.7W之間波動,雖然損耗只有2.5W左右,主要的器件最高都到70度了,環(huán)境溫度約25度,看來做正式樣機的時候,性能還得想辦法改進才行。

信息只能提供這么多了,看對你有沒有參考價值。畢竟客戶是花錢雇我來做設計的,具體的東西是不能外傳的,畢竟協(xié)議上有明確規(guī)定。

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2010-09-25 11:17
@houran77
嘿嘿,最近客戶在我這定做5V2A電源,也是176V-264V輸入,體積要求的估計比你的還小點。現(xiàn)在剛搭出試驗電路,效率約80%,加點測量誤差,恰好卡邊。沒你那么幸運,還能用上EE16的磁芯,我用的EE13的磁芯做的變壓器。輸出10W的時候,功率機上顯示的在12.4-12.7W之間波動,雖然損耗只有2.5W左右,主要的器件最高都到70度了,環(huán)境溫度約25度,看來做正式樣機的時候,性能還得想辦法改進才行。信息只能提供這么多了,看對你有沒有參考價值。畢竟客戶是花錢雇我來做設計的,具體的東西是不能外傳的,畢竟協(xié)議上有明確規(guī)定。

這位老兄更牛,EE13做10W,還能上80%的效率,佩服

工作頻率多少?肖特基的溫度只有70度?也就是說溫升只有70-25=45度?強烈懷疑中

請說明使用的是什么肖特基,熱阻多少,輸出滿載的時候肖特基的壓降是多少?數(shù)據(jù)能說明一切問題。

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houran77
LV.6
18
2010-09-25 12:25
@心中有冰
這位老兄更牛,EE13做10W,還能上80%的效率,佩服工作頻率多少?肖特基的溫度只有70度?也就是說溫升只有70-25=45度?強烈懷疑中請說明使用的是什么肖特基,熱阻多少,輸出滿載的時候肖特基的壓降是多少?數(shù)據(jù)能說明一切問題。

樓上的兄弟,不可能的事多著呢!

我現(xiàn)在在公司設計石油行業(yè)的高溫電源的,環(huán)境溫度在175度,可以把功率做到輸出12W,體積在為   長 41mm*寬42mm*高13mm  現(xiàn)在的15W電源還在改造之中。終極目的是要做到185度,15W。

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2010-09-25 12:57
@houran77
樓上的兄弟,不可能的事多著呢!我現(xiàn)在在公司設計石油行業(yè)的高溫電源的,環(huán)境溫度在175度,可以把功率做到輸出12W,體積在為  長41mm*寬42mm*高13mm 現(xiàn)在的15W電源還在改造之中。終極目的是要做到185度,15W。

我只是懷疑你說的參數(shù),沒有說不可能!做技術就是需要有強烈的懷疑精神。

對于你說的175度的環(huán)境溫度,我也是有點懷疑,這個時候電源的整體溫升多少?變壓器的磁芯溫度又是多少?

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2010-09-25 13:00
@houran77
樓上的兄弟,不可能的事多著呢!我現(xiàn)在在公司設計石油行業(yè)的高溫電源的,環(huán)境溫度在175度,可以把功率做到輸出12W,體積在為  長41mm*寬42mm*高13mm 現(xiàn)在的15W電源還在改造之中。終極目的是要做到185度,15W。

附上TDK的數(shù)據(jù):

TDK不同磁芯材質的居里溫度。

 

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yqjwy_2008
LV.8
21
2010-09-25 15:53
@houran77
嘿嘿,最近客戶在我這定做5V2A電源,也是176V-264V輸入,體積要求的估計比你的還小點。現(xiàn)在剛搭出試驗電路,效率約80%,加點測量誤差,恰好卡邊。沒你那么幸運,還能用上EE16的磁芯,我用的EE13的磁芯做的變壓器。輸出10W的時候,功率機上顯示的在12.4-12.7W之間波動,雖然損耗只有2.5W左右,主要的器件最高都到70度了,環(huán)境溫度約25度,看來做正式樣機的時候,性能還得想辦法改進才行。信息只能提供這么多了,看對你有沒有參考價值。畢竟客戶是花錢雇我來做設計的,具體的東西是不能外傳的,畢竟協(xié)議上有明確規(guī)定。

不知兄弟用的是什么方案??EE13做10W,變壓器中加了屏蔽沒有??效率能做到80%,。你也是牛人

  如果方便的話可以站內短信給我

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yqjwy_2008
LV.8
22
2010-09-25 15:55
@asd348262342
[圖片] 國產的MOS能行嗎

國產的MOS  10A以下的,在乎成本的還有可以用一用,,但是大于10A的我建議最好用進口的。。。

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zvszcs
LV.12
23
2010-09-25 16:00
@houran77
樓上的兄弟,不可能的事多著呢!我現(xiàn)在在公司設計石油行業(yè)的高溫電源的,環(huán)境溫度在175度,可以把功率做到輸出12W,體積在為  長41mm*寬42mm*高13mm 現(xiàn)在的15W電源還在改造之中。終極目的是要做到185度,15W。
我最高的只做到150度啊,175度,暈,電容難選啊
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zvszcs
LV.12
24
2010-09-25 16:01
@zvszcs
我最高的只做到150度啊,175度,暈,電容難選啊
芯片難選,磁芯難選
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liuhou
LV.9
25
2010-09-25 16:20
@yqjwy_2008
不知兄弟用的是什么方案??EE13做10W,變壓器中加了屏蔽沒有??效率能做到80%,。你也是牛人[圖片] 如果方便的話可以站內短信給我[圖片]
EE13做10W,的確是厲害,不知變壓器溫度怎樣。
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zvszcs
LV.12
26
2010-09-25 16:24
@zvszcs
芯片難選,磁芯難選

我沒講是EE13做的哦

 

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gx0317220
LV.2
27
2010-09-25 16:44
@liuhou
EE13做10W,的確是厲害,不知變壓器溫度怎樣。

絕對不可能!

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2010-09-25 16:45
@zvszcs
芯片難選,磁芯難選

不僅僅是這兩個元件,所有的元件都面臨著高溫的考驗,用常規(guī)的元器件肯定做不到

打個比方吧,MOSFET的結溫一般不超過155度,當環(huán)境溫度為175度時,那么MOS管即使內部不發(fā)熱,都要掛了,所以,必須用特殊工藝制作

既然有80%的效率,以正常工作時MOS管的溫升30度來算,那么MOS管的溫度就有205度,假設MOSFET的熱阻非常小,外殼到內部芯片以5度算,那么MOS管的結溫都將達到210度

但能耐這么高溫度的MOS管,應該比較難找,至少我還不知道

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2010-09-25 16:50
@心中有冰
不僅僅是這兩個元件,所有的元件都面臨著高溫的考驗,用常規(guī)的元器件肯定做不到打個比方吧,MOSFET的結溫一般不超過155度,當環(huán)境溫度為175度時,那么MOS管即使內部不發(fā)熱,都要掛了,所以,必須用特殊工藝制作既然有80%的效率,以正常工作時MOS管的溫升30度來算,那么MOS管的溫度就有205度,假設MOSFET的熱阻非常小,外殼到內部芯片以5度算,那么MOS管的結溫都將達到210度但能耐這么高溫度的MOS管,應該比較難找,至少我還不知道
還有忘了說一點,如果溫度超過200度,錫不好的話,估計都要開始融了,如果工業(yè)應用中來點振動,可能會造成虛焊
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yqjwy_2008
LV.8
30
2010-09-25 17:16
@gx0317220
絕對不可能!

世上沒有絕對的事,,只是相對來說的。。。

   要相信中國的品牌李寧————一切皆有可能!

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liuhou
LV.9
31
2010-09-25 19:21
@yqjwy_2008
世上沒有絕對的事,,只是相對來說的。。。  要相信中國的品牌李寧————一切皆有可能!
呵呵,有意思。
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