無損吸收，阻擋反向恢復電流的。

是否是說在MOSFET導通期間，減少L8上端的電壓和二極管右邊的電壓之間的壓差（大電解的電壓），盡可能的減少反向恢復電流？但是CR3下面的二極管和CR2還是有反向電流的。

對于L8的取值可有什么要求？

謝謝，我找到了詳細說明文件。

是Q1零電壓關斷的無損吸收電路。

Q1關斷時，L6對C51進行充電，C51上的電壓由零逐漸上升，同時L8通過CR2為C11充電，C11上電壓也一樣由零逐漸上升；這時使得Q1可以零電壓關斷；當C51與C11上的電壓和達到385V時，L6、L8通過DR3，L6與C11為負載供電。當C51上的電壓升至385V時，C11的電流泄放為零，此時C11兩端電壓也為零。

Q2開啟的工作流程分析略。

分析的很不錯。。

學習了。。