如題,DCM、CCM均可。
以輸入全電壓,輸出電壓12V-20v,輸出電流3A這個(gè)參數(shù)為例。或者也可以討論一下在什么輸出參數(shù)下才能做到。
如題,DCM、CCM均可。
以輸入全電壓,輸出電壓12V-20v,輸出電流3A這個(gè)參數(shù)為例。或者也可以討論一下在什么輸出參數(shù)下才能做到。
這96+定得很高,實(shí)現(xiàn)有點(diǎn)困難。我先列出反激電源主要損耗點(diǎn)(從大到小排列)簡(jiǎn)要提出一些對(duì)策,供大家討論:
1:變壓器損耗 由于反激電源特殊性,變壓器損耗比正激大
2.初級(jí)開(kāi)關(guān)管損耗
對(duì)策:a采用臨界工作模式(與RCC工作模式一樣)并且把最小占空比設(shè)計(jì)為0.5,可實(shí)現(xiàn)初級(jí)ZVZCS開(kāi)通,ZVS關(guān)閉;次級(jí)整流管zcs。
b選擇低RdsMOS管,例如COOLMOSFET,降低導(dǎo)通損耗
3.次級(jí)整流管損耗
4.吸收電路損耗 不可采用RCD吸收電路 ,無(wú)源無(wú)損吸收電路是首選
5.控制電路損耗 選用BiCMOS工藝控制IC,仔細(xì)設(shè)計(jì)外圍電路
效率達(dá)到90+目前能夠?qū)崿F(xiàn),96+還有很長(zhǎng)的路要走,降低變壓器損耗需采用優(yōu)質(zhì)磁芯和復(fù)雜的繞線工藝,采用有源箝位正激可能是個(gè)更好的選擇