0V以上都可以讓可控硅自保持，雖然后級電容放電了，輸出了一個大的浪涌電流，但變壓器還在工作，通過整流電路輸出的直流高壓依然通過可控硅，沒有外力作用，可控硅永遠都不可能過零，

必須依賴LC產生的反壓，而且這個反壓電流必須強大，足夠對抗可控硅流過的來自變壓器的正向直流電流。

單硅最大的無用功就出在LC。

請 問 可 控 硅 的 104電 容 有 什 么 用

如 果 是 延 長 可 控 硅 導 通 時 間 等 于加 大 脈 寬

但 可 控 硅 導 通 時 間 不 是 決 定 104電 容 和 陰 陽 兩 級 的 維 持 電 流

而 是 決 定 LC的 反 向 電 壓

這 樣 對 嗎

104只是配合分壓電路,調頻電阻,DB3產生間歇觸發脈沖,單硅在這里永遠不能在觸發腳上實現調寬.

LC時間常數才關系到可控硅導通時間,也就是脈寬.

可控硅是單向元件，當然不會反向導通，LC產生的反壓，只是用來對沖可控硅流過的正向電流，使可控硅通過的電流為零，可控硅才能截止。對沖需要消耗2個能量，1，變壓器輸出的經可控硅流過的正向能量。2，LC產生的反壓，實際也來自變壓器。

單硅后極一般小的也有2-5UF，這個電容瞬間短路放電電流達到幾A--幾十A，所以L才熱，他承受的是瞬間的大電流。不是沒有電流，是電流巨大！足夠瞬間抵消可控硅的正向電流。

可控硅后級人人會做，簡單，元件少，容易成功，但是能吃透他原理的人太少！知道它缺點的人更少！難覓知音啊！

不想和你爭辯了，電容短路放電理論上電流可以無窮大，可是你別忘了L是個電感元件，有感抗的，使它發熱的是它的電阻值。。流過它的電流不能突變，別把它看成一段導線，只有對L放電電流達到一個穩定值它才相當于短路

哎！

閘流管和雙向可控硅 - 成功應用的十條黃金規則，因為雙向過控硅的特性是到了交流的零點，可控硅會自動關閉輸出。我們檢測零點目的就是可控硅在零點關閉輸出后，我們可以根據功率的需求選擇時間來重新觸發可控硅。

       但對于單片機弱電直接控制交流肯定是不現實的，用繼電器控制只能實現簡單的慢速的開關量控制，而如果要實現功率調節，我們就需要用光特性的固態繼電器，這種器件比較貴。而假如用光耦肯定也是不行的，因為普通的光耦是單向器件，對于交流的網電它是不能實現控制的。

       在這種情況下，我們最好的選擇就是用MOC系列的光控可控硅，用得最多的MOC3041和MOC3021，它們的前端觸發電流都是15mA，隔離電壓達到5000Vrms，適合于對電絕緣特性要求高的醫療電子行業。  

      MOC3021和MOC3041的主要區別就是MOC3041有過零檢測，MOC3021沒有過零檢測，對于有過零檢測功能的MOC3041，它每次在過零點的時候會判斷有沒有光輸入，即有沒有前置電流If，如果有If，那么在這個周期之內，它是導通的，所以它只能決定一個網電源周期內它是不是導通的，而不能決定在一個周期的某一個時刻開始導通。基于這種特性我們可以用它來實現過零控制，過零控制的缺點是控制精度低，優點是對電網沒有污染。

       對于沒有過零檢測的MOC3021來說，它在有光輸入的時刻開始到這個周期的結束它都是導通的。基于這種特性，如果我們已經檢測到了零點，我們就可以在零點的時刻開始延時一段時間來輸入前置電流If，用它來實現移相檢測。對于兩種電路我都做了相關的測試，結果與寫的一致。

你說的是那些電子愛好者，的確不足以了解RLC的二階電路是如何求解的。就會花時間在討論電感要不要磁芯這些做法。沒人關心那個電感L要多大，C要多大。負載小的時候會直通。電子論壇群系統上過電分課程的是不多。但還是有。其實四硅的電路更簡單。一階RC電路，還能在幾倍負載電阻下輸出功率恒定的特殊功效。就是說四硅機，后級2根燈管并聯和串聯，2個燈管功率綜合幾乎不變