sangjuen 老師的圖紙有幾個問題： 第一無前級保護，一旦MOS壞前級也會跟著壞。
第二：短路后需要15秒或更長的時間等待，第三沒有“呻吟”提示。呵呵！總的來說圖紙不錯要量產(chǎn)必須要改進。下面就是我改進了的一臺，燒了我8只1200V 12A的MOS管啊心里痛啊。去山里電了一下呵呵不錯。MOS輸出我電腦我以前做了許多，sangjuen的算是比較簡單的電路了，我在總結(jié)：肯定的說比硅后極好，不耗電 距離也寬了，魚也不那么跑了。
sangjuen 的圖紙我也做了一臺 改進了幾個地方！
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@11455355
圖是不錯的，只是有成功圖不一定抄出成功的機。15年不壞JJ圖要短路后等待再開機時間短，和可控硅并聯(lián)的47UF就要減容量，小容量放電時間更短，復(fù)位等待時間也短了。要根據(jù)自己JJ的輸出電壓來計算驅(qū)動電源分壓比，原圖高壓700V。自己做的JJ可能電壓低導(dǎo)致斬波MOS驅(qū)動不足，自己JJ高壓太高可能導(dǎo)致18V穩(wěn)壓管被燒然后MOS驅(qū)動電壓過高，柵極擊穿。抄板不是照搬，還要結(jié)合自己的情況才能設(shè)計更合理。
15年不壞JJ圖紙還有拓展空間，改變555的外圍電路，增加1個可調(diào)電阻，實現(xiàn)脈寬頻率都可調(diào)。
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@yy1643
11n1201200v11A180Wk1489 1000V 12A200Wk1120 1000V 8A 150W我也燒了很多管子，電壓在400V以下時一切正常，短路自動保護，超過600V很容易燒mos，而且只燒mos其它元件都沒壞，就是正常開機時損壞的，現(xiàn)在懷疑是開機瞬間電壓過高而擊穿mos，但想不通的是我后級空載才700多伏，還有做成功的嗎？能幫我分析下原因嗎？
還有個可能，你MOS的驅(qū)動電壓取值如何？是不是太高，輸出電壓高，驅(qū)動分壓值也高，MOS驅(qū)動電壓一般20來V，超過就掛，你的驅(qū)動電壓是否和15年不壞JJ一樣有18V穩(wěn)壓二極管作為保護MOS柵電壓不超標(biāo)的設(shè)計？
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@yy1643
回13帖：mos驅(qū)動用的就是18V，實際測量也是18伏，都是在開機瞬間損壞，不是短路，就是正常接燈試驗，現(xiàn)在燒了很多管子了，還是沒找到原因，但是發(fā)現(xiàn)了個現(xiàn)象，有時開機瞬間，變壓器有“吱吱”聲，并且這時如果用數(shù)字萬用表測，1000v檔就超量程了，我懷疑就是這一瞬間的高壓造成的？可是又想不通，空載才700多伏，為什么啟動瞬間會有這么高的電壓，是否由于負(fù)載太重，而導(dǎo)致頻率降低電壓急劇升高？非常謝謝您的解答
應(yīng)該是前極驅(qū)動電路的問題，但具體說不上來
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@yy1643
回13帖：mos驅(qū)動用的就是18V，實際測量也是18伏，都是在開機瞬間損壞，不是短路，就是正常接燈試驗，現(xiàn)在燒了很多管子了，還是沒找到原因，但是發(fā)現(xiàn)了個現(xiàn)象，有時開機瞬間，變壓器有“吱吱”聲，并且這時如果用數(shù)字萬用表測，1000v檔就超量程了，我懷疑就是這一瞬間的高壓造成的？可是又想不通，空載才700多伏，為什么啟動瞬間會有這么高的電壓，是否由于負(fù)載太重，而導(dǎo)致頻率降低電壓急劇升高？非常謝謝您的解答
你接多大的燈泡,我也做了一臺IGBT后級,500V以下沒問題保護都有正常,就是750這后就會燒IGBT了,我用的是25N120的IGBT,到現(xiàn)在我都不知道是什么回事,我的是這樣燒的,要接一個200W燈泡起動的那一瞬間燒掉的,后回改用了2個200W的燈泡串聯(lián)也不行,用3個串聯(lián)就沒問題,起動后改為2個200W燈泡串聯(lián)就可以,電流也才10A,到現(xiàn)在想也想不明白
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@啊彬
你接多大的燈泡,我也做了一臺IGBT后級,500V以下沒問題保護都有正常,就是750這后就會燒IGBT了,我用的是25N120的IGBT,到現(xiàn)在我都不知道是什么回事,我的是這樣燒的,要接一個200W燈泡起動的那一瞬間燒掉的,后回改用了2個200W的燈泡串聯(lián)也不行,用3個串聯(lián)就沒問題,起動后改為2個200W燈泡串聯(lián)就可以,電流也才10A,到現(xiàn)在想也想不明白[圖片]
在輸出+750伏后加一電感，讓上升電流從無到最高有5-10US的緩沖，那你的保護就好做了，讓保護電路有足夠時間，那樣會少很多的問題
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@yy1643
謝 11455355大師回復(fù)回18貼：3個200W串時很容易燒，再加串2000w電爐不容易燒，從這點分析又好像還是由于負(fù)載太重而導(dǎo)致的電壓突升，有點矛盾，負(fù)載重為什么電壓還會突升呢？回19貼：水阻低可以降低取樣電阻啊
看來是啟動初期的電壓異常引起MOS過壓擊穿，從這幾點去考慮：
1：有沒有設(shè)計閉環(huán)反饋電路？有可能該電路元件取值不當(dāng)造成啟動異常。
2：3525不良，換個不同批次的實驗下。
3：3525外圍電路仔細(xì)看看，有沒不合理的地方？
負(fù)載重不可能導(dǎo)致電壓升高，反而負(fù)載輕輸出電壓才高。
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