這樣600V和2000V左右，直接試吧，

我一個(gè)20a的和你這一樣是1200伏左右，這硅很好

我一個(gè)20a的和你這一樣是1200伏左右，這硅很好

標(biāo)稱50A1000v的硅，實(shí)際800v的國(guó)產(chǎn)硅，工業(yè)用

謝謝大家，看來(lái)可以使用，我的后極輸出只有650V左右，看來(lái)沒(méi)有問(wèn)題。

好方法，有時(shí)間一定試試，可惜的是我沒(méi)有搖表

我的前極只有300W左右，如果不加硅保護(hù)電路，輸出偶爾短路不會(huì)燒吧？我就是想用一個(gè)大硅，希望輸出短路也不會(huì)燒那樣

可能觸發(fā)電流有點(diǎn)大。

這東東化了不少工夫加工式這樣，想做個(gè)單硅電路？樓主八成是白忙了。

這個(gè)又重，小功率電烙鐵又難焊接的元球怎樣安裝？這種工業(yè)用的硅需要200MA的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)驅(qū)動(dòng)，所以一般常規(guī)的單硅驅(qū)動(dòng)電路是無(wú)效的。必須用專用的振蕩器和變壓器。還是扔了吧。

說(shuō)到可控硅我在這里爆光一下“上海正易電子電器有限公司”的偽劣產(chǎn)品。 

我們一直來(lái)是用上海整流器廠的，質(zhì)量可靠穩(wěn)定。下圖是二家廠同一個(gè)規(guī)格產(chǎn)品的一個(gè)對(duì)比。可以從外表看出“偷工減料”嚴(yán)重。

 

是新來(lái)的采購(gòu)不懂購(gòu)買了這批垃圾，上機(jī)電流稍大《約35A》就全爆了《標(biāo)定是100A》。

燒了就是燒了，何為全爆了呢？原因是基座和管帽的接合處沒(méi)有鉚焊。只是插接，隨意用手都可以拔下來(lái)。燒毀時(shí)內(nèi)部發(fā)熱，所以全部炸開(kāi)了。 

 



垃圾貨！上海中易。害人的產(chǎn)品！上海中易。

謝謝指教，不過(guò)焊接這塊倒是沒(méi)有問(wèn)題，硅的底部我倒是鉆了兩個(gè)小孔，并攻好了M4的螺紋，直接用螺絲上在電路板上面。至于大師說(shuō)的驅(qū)動(dòng)電流倒是讓我覺(jué)得為難。我前幾天去買了幾個(gè)TYN1225，感覺(jué)很垃圾，買回來(lái)測(cè)量它的G/K兩極間的正反向電阻達(dá)到了186歐，不知道是不是正常的（我以前看到一個(gè)帖子里面說(shuō)質(zhì)量好的1225的G/K兩極的正反向電阻只有10多歐）。后來(lái)我發(fā)現(xiàn)我還有一個(gè)這樣的50A的硅，所以就想用這個(gè)來(lái)做會(huì)不會(huì)好點(diǎn)，這個(gè)50A的G/K兩極間的電阻只有47歐。

工業(yè)用的可控硅GK極電阻都很小，所以需要大的觸發(fā)電流。一般小功率可控硅的GK極電阻相比之下要大得多，GK極電阻大不是代表垃圾，高阻抗卻可以小電流驅(qū)動(dòng)。所以TYN1225用在普通單硅電路上可以觸發(fā)成功。工業(yè)硅則不能。

順便提醒一下。在可控硅基座打孔攻絲要小心了。正式品牌的工業(yè)用可控硅的硅芯晶片是相當(dāng)大的，幾乎占滿空間。上面的圖片中可以看到，這個(gè)是假貸所以芯子小。

明白了，再次感謝大師的熱誠(chéng)講解，我以前一直認(rèn)為G/K電阻是關(guān)系單向可控硅的質(zhì)量好壞。不過(guò)有一點(diǎn)很奇怪，我們公司很多點(diǎn)焊機(jī)，每個(gè)點(diǎn)焊機(jī)都有一個(gè)大的可控硅模塊，我親自測(cè)試過(guò)很多，比如都是90A/1600V的國(guó)產(chǎn)可控硅G/K電阻是55～60歐左右，而日本進(jìn)口的就只有10～18歐。

用DB3試試，我一直這樣用的，

觸發(fā)電流不必介意，單硅電路一般沒(méi)有影響。

觸發(fā)不可靠，加大觸發(fā)電容到0.47。

非常感謝，過(guò)幾天我試試。不過(guò)還是有一個(gè)問(wèn)題沒(méi)有搞清楚。昨天我測(cè)了兩種1225，同一個(gè)廠家的，一個(gè)是全新的G/K電阻是183歐，一個(gè)是拆機(jī)件G/K電阻是16歐。大師可以告訴我這兩種阻值的哪一種好一點(diǎn)啊？