關于IGBT/MOSFET驅動峰值電流的問題
小弟請教有經驗的前輩,要使IGBT/MOSFET能快速開關,必須提供足夠的驅動峰值電流,一般驅動芯片(VCC=15V)的輸出都接了10歐左右的限流電阻,如果驅動大功率的IGBT(需要3~4A驅動峰值電流),這個限流電阻可否省略?請各位不吝賜教!
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@hardisli
MOSFE和IGBT的驅動電阻的大小選擇主要是考慮開通和關斷時的VDS和IDS上升和下降時間,在最大的dV/dt允許的情況下,盡量選擇小的驅動電阻可以加快開通速度,減少損耗,由于MOSFET和IGBT的G極內阻很小,一般要加個驅動電阻,更加細致的設計需要將開通和關斷電阻分開設計,以使開通和關斷速度都做到最大,同時不會損壞管子,可以去算下開關時間。dv/dt做到20V/ns基本上是現在許多管子的極限。


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