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關于IGBT/MOSFET驅動峰值電流的問題

小弟請教有經驗的前輩,要使IGBT/MOSFET能快速開關,必須提供足夠的驅動峰值電流,一般驅動芯片(VCC=15V)的輸出都接了10歐左右的限流電阻,如果驅動大功率的IGBT(需要3~4A驅動峰值電流),這個限流電阻可否省略?請各位不吝賜教!
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gz.daheng
LV.8
2
2010-01-30 18:07
我是新手!

回答點僅供參考。(有錯誤引起想笑的請去沒人的地方)

回答:只能是阻值大小選擇,最好別省去。(詳細請參考有關廠家資料)

RG阻值正規的生產廠在IGBT資料都有詳細說明,當然,具體阻值最好在電路構件調整中稍加修正。
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2010-01-30 20:12
@gz.daheng
我是新手!回答點僅供參考。(有錯誤引起想笑的請去沒人的地方)回答:只能是阻值大小選擇,最好別省去。(詳細請參考有關廠家資料)RG阻值正規的生產廠在IGBT資料都有詳細說明,當然,具體阻值最好在電路構件調整中稍加修正。

加驅動電阻的目的是為了保護被驅動的管子,防止大的電流損傷管子.同時,利用限流電阻還可以控制管子的開啟時間.

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2010-01-31 09:57
@我是技術宅
加驅動電阻的目的是為了保護被驅動的管子,防止大的電流損傷管子.同時,利用限流電阻還可以控制管子的開啟時間.
謝謝各位,再請教一個問題,如果驅動峰值電流達到4A的話,那么限流電阻是不是要用大功率電阻啊?
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hardisli
LV.2
5
2010-01-31 17:12
MOSFE和IGBT的驅動電阻的大小選擇主要是考慮開通和關斷時的VDS和IDS上升和下降時間,在最大的dV/dt允許的情況下,盡量選擇小的驅動電阻可以加快開通速度,減少損耗,由于MOSFET和IGBT的G極內阻很小,一般要加個驅動電阻,更加細致的設計需要將開通和關斷電阻分開設計,以使開通和關斷速度都做到最大,同時不會損壞管子,可以去算下開關時間。dv/dt做到20V/ns基本上是現在許多管子的極限。


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2010-01-31 18:48
@hardisli
MOSFE和IGBT的驅動電阻的大小選擇主要是考慮開通和關斷時的VDS和IDS上升和下降時間,在最大的dV/dt允許的情況下,盡量選擇小的驅動電阻可以加快開通速度,減少損耗,由于MOSFET和IGBT的G極內阻很小,一般要加個驅動電阻,更加細致的設計需要將開通和關斷電阻分開設計,以使開通和關斷速度都做到最大,同時不會損壞管子,可以去算下開關時間。dv/dt做到20V/ns基本上是現在許多管子的極限。
從該MOSFET的PDF文檔上看,它的導通電阻為18毫歐,外接1歐的限流電阻也行,如果用10V電壓驅動的話,那么驅動峰值電流可以達到10A,下面是MOSFET的開關特性參數,請各位幫小弟看看。如果驅動芯片的輸出電壓為12V,輸出峰值電流上限為4A的話,限流電阻取3歐應該可以吧?但是問題是電阻的功率怎么選擇,有沒有經驗值可供參考呢?請各位大蝦幫忙指點一下!

 

點擊放大) 
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2010-02-03 10:55
@kuernikewa
[圖片]從該MOSFET的PDF文檔上看,它的導通電阻為18毫歐,外接1歐的限流電阻也行,如果用10V電壓驅動的話,那么驅動峰值電流可以達到10A,下面是MOSFET的開關特性參數,請各位幫小弟看看。如果驅動芯片的輸出電壓為12V,輸出峰值電流上限為4A的話,限流電阻取3歐應該可以吧?但是問題是電阻的功率怎么選擇,有沒有經驗值可供參考呢?請各位大蝦幫忙指點一下![圖片] (點擊放大) 
小弟初學,請各位大蝦幫忙看看吧!
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2010-02-03 15:00
@kuernikewa
小弟初學,請各位大蝦幫忙看看吧!

一般選擇至少2W以上的金屬膜電阻 ,使用多的是3W的電阻。驅動電阻要求耐沖擊電流,寄生電感小。

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gz.daheng
LV.8
9
2010-02-03 15:12
@liuxing925
一般選擇至少2W以上的金屬膜電阻,使用多的是3W的電阻。驅動電阻要求耐沖擊電流,寄生電感小。
還有最好幾只并聯.
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LV.1
10
2010-02-04 11:10
@gz.daheng
還有最好幾只并聯.
對,并聯可以減小電感。

同時柵極電阻可以將功率耗散從驅動管轉移到自己。
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kuernikewa
LV.3
11
2010-02-24 22:53
@
對,并聯可以減小電感。同時柵極電阻可以將功率耗散從驅動管轉移到自己。
謝謝各位指點!
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hvic
LV.4
12
2010-02-25 12:12
@liuxing925
一般選擇至少2W以上的金屬膜電阻,使用多的是3W的電阻。驅動電阻要求耐沖擊電流,寄生電感小。
太夸張了吧, 電流只是峰值而已,就是一瞬間有這么大的電流,電阻也有短脈沖時功率參數,比如0.25W的電阻,短脈沖時能耐好幾瓦,

有條件查查你用的電阻的數據手冊。

還有一個要注意,驅動芯片本身輸出也是有內阻的。
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braverider
LV.4
13
2010-02-25 19:36
@liuxing925
一般選擇至少2W以上的金屬膜電阻,使用多的是3W的電阻。驅動電阻要求耐沖擊電流,寄生電感小。

門極電阻不需要這么大的功率,因為只有觸發瞬間的峰值電流很大,一般用125mW的普通電阻就可以了。



同時這個電阻是為了防止由于雜散參數引起的振蕩,從而損壞開關管。



通過這個電阻可以控制開關管的開通和截止時間。公式為 ton=2.2RgCiss. Ciss:MOSFET的輸入電容(pF). Rg:門極電阻。

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kuernikewa
LV.3
14
2010-02-28 18:44
@braverider
門極電阻不需要這么大的功率,因為只有觸發瞬間的峰值電流很大,一般用125mW的普通電阻就可以了。同時這個電阻是為了防止由于雜散參數引起的振蕩,從而損壞開關管。通過這個電阻可以控制開關管的開通和截止時間。公式為ton=2.2RgCiss.Ciss:MOSFET的輸入電容(pF).Rg:門極電阻。

謝謝

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stayreal
LV.1
15
2020-04-10 16:42
@braverider
門極電阻不需要這么大的功率,因為只有觸發瞬間的峰值電流很大,一般用125mW的普通電阻就可以了。同時這個電阻是為了防止由于雜散參數引起的振蕩,從而損壞開關管。通過這個電阻可以控制開關管的開通和截止時間。公式為ton=2.2RgCiss.Ciss:MOSFET的輸入電容(pF).Rg:門極電阻。
請問一下,計算中ton的單位是什么?
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