GR8935內(nèi)部集成了一個脈寬調(diào)制控制器和一個650V的高壓功率MOSFET。GR8935的啟動電流很低，它的電流模式脈寬調(diào)制使得在輕載時工作在節(jié)能模式。這些特性保護(hù)了電源能輕松達(dá)到最嚴(yán)茍的能源法規(guī)要求。GR8935的集成功能包括電流檢測的邊沿消隱，內(nèi)部斜率補(bǔ)償，逐周期峰值電流限制和軟啟動。另外，在誤動作時，過流保護(hù)（OCP），過壓保護(hù)（OVP）和過載保護(hù)（OLP）能為芯片提供充分的保護(hù)。芯片內(nèi)部的gate端箝位在18V以防止功率MOSFET過壓損壞。

主要特性：

1）    電流模式脈寬調(diào)制（PWM）

2）    極低啟動電流

3）    欠壓閉鎖（UVLO）

4）    無異音噪聲節(jié)能模式控制

5）    開關(guān)頻率為50KHZ

6）    逐周期峰值電流限制

7）    內(nèi)部前沿消隱

8）    內(nèi)部斜率補(bǔ)償

9）    內(nèi)部5ms啟動

10） VCC過壓箝位

11） VCC過壓保護(hù)(OVP)

12） 過載保護(hù)（OLP）

典型應(yīng)用電路