請教阻容吸收的問題
這個(gè)一般也沒有固定公式,與拓樸及電流大小都有關(guān)系,有的書上給出脈寬=2.3RC,也不能照搬。在MOS管硬關(guān)斷也就是非零電流關(guān)斷下,那么此時(shí)這個(gè)電容有兩個(gè)用處,一是吸收關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰,二是減緩MOS管DS間電壓降低速度,減小硬關(guān)斷損耗。關(guān)斷時(shí),電流會給電容兩端充電,通過充電時(shí)間來決定電容大小。時(shí)間一般在1us以內(nèi)(如在全橋中,上下管的死區(qū)時(shí)間一般都在這個(gè)時(shí)間內(nèi)),由It=CU 就可以得出電容大小。如220整流后的300V母線供電的全橋,如峰值電流為10A,那么在關(guān)斷時(shí),10A的電流要在1us內(nèi)將電容充到300V。而電阻的作用是防止在MOS管開啟時(shí)電容對MOS管放電形成很大的脈沖電流。如果是非零電壓開啟,電容是上的電將通過MOS管放,而MOS管的通態(tài)電阻很小,因此會形成很大的瞬間電流,造成MOS管較大的損耗,串聯(lián)一個(gè)電阻減小脈沖電流。一般取電阻使放電流不大于MOS管額定電流,但又要保證在一定時(shí)間內(nèi)將電容上電放完,因此,脈寬=2.3RC就是由此而來的。如果是零電壓開啟,那就不用R了,因?yàn)樵贛OS管開啟前電容上的電早已被放完了。RC的選取還要考慮到損耗問題,在非零電壓開啟(如反激正激等)時(shí),C上面的能量全部會放到R上,R上的功率損耗W=0.5CU2*Fr(F為開關(guān)頻率)。因此選擇時(shí)要多方面考慮。如果電流較大的情況下(非零電壓開啟,硬關(guān)斷),由于RC的時(shí)間問題,可以在R的兩端關(guān)快速二極管,使在剛關(guān)斷時(shí)通過二極管的旁路作用加快吸收,再者可以在RD兩端再并一個(gè)C,加快吸收,這個(gè)電容容值是主吸收電容的十分之一到五十分之一。以上都是我個(gè)人的一些經(jīng)驗(yàn)用看法,有不妥之處請指教。
有道理