EAS-單脈沖雪崩擊穿能量

如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標(biāo)定了器件可以容忍的瞬時(shí)過沖電壓的安全值，其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。

定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會(huì)定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。

L 是電感值，iD為電感上流過的電流峰值，其會(huì)突然轉(zhuǎn)換為測量器件的漏極電流。電感上產(chǎn)生的電壓超過MOSFET擊穿電壓后，將導(dǎo)致雪崩擊穿。雪崩擊穿發(fā)生時(shí)，即使 MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，電感上的電流同樣會(huì)流過MOSFET器件。電感上所儲(chǔ)存的能量與雜散電感上存儲(chǔ)，由MOSFET消散的能量類似。

MOSFET并聯(lián)后，不同器件之間的擊穿電壓很難完全相同。通常情況是：某個(gè)器件率先發(fā)生雪崩擊穿，隨后所有的雪崩擊穿電流(能量)都從該器件流過。

 EAR -重復(fù)雪崩能量

重復(fù)雪崩能量已經(jīng)成為“工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)”，但是在沒有設(shè)定頻率，其它損耗以及冷卻量的情況下，該參數(shù)沒有任何意義。散熱(冷卻)狀況經(jīng)常制約著重復(fù)雪崩能量。對于雪崩擊穿所產(chǎn)生的能量高低也很難預(yù)測。

額定EAR的真實(shí)意義在于標(biāo)定了器件所能承受的反復(fù)雪崩擊穿能量。該定義的前提條件是：不對頻率做任何限制，從而器件不會(huì)過熱，這對于任何可能發(fā)生雪崩擊穿的器件都是現(xiàn)實(shí)的。在驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)的過程中，最好可以測量處于工作狀態(tài)的器件或者熱沉的溫度，來觀察MOSFET器件是否存在過熱情況，特別是對于可能發(fā)生雪崩擊穿的器件。

以上部分是抄別人的.

以下是我自己的觀點(diǎn):

MOSFET在從截止到完全導(dǎo)通過程中,牽涉到MOSFET管的耐受力:

1,電壓

2,電流

3,MOSFET內(nèi)部消耗的總能量

當(dāng)然還有很多其它參數(shù),比如電壓上升率等.

A:     MOSFET在從截止到完全導(dǎo)通過程中所能承受的最大功耗小于或等于Eas.

B:     MOSFET在正常導(dǎo)通工作時(shí)所能承受的最大功耗小于或等于Ear.

理由:Eas 或Ear最后都是轉(zhuǎn)換成熱能,MOSFET的損壞是由于局部熱點(diǎn)而損壞,而導(dǎo)通或從截止到完全導(dǎo)通MOSFET內(nèi)部消耗的能量同樣轉(zhuǎn)換成熱能。

歡迎拍磚!

只要討論A和B兩個(gè)觀點(diǎn)。

姓名:唐云雄

Email:  tang01@yeah.net

 2010年1月6日

 根據(jù)拍磚情況加以說明:

Eas 是能量單位,它是功率與時(shí)間的積分,如果時(shí)間很長,這個(gè)能量對MOSFET就沒有問題.

Ear也是能量單位,它也是功率與時(shí)間的積分.所以說在沒有頻率限制情況下無多大意義.

同時(shí),Eas和Ear都是外部的能量,而問題卻是內(nèi)部所能承受的能量.如何把兩者聯(lián)系起來是該兩個(gè)問題的關(guān)鍵,所以得給出時(shí)間或頻率限制.

修正如下:

A:     MOSFET在從截止到完全導(dǎo)通過程中所能承受的最大功耗小于或等于Eas.

注A:時(shí)間在較短時(shí)間內(nèi)(MOSFET內(nèi)部熱量來不及傳到外部),比如說t小于200uS.時(shí)間太長失去單次開關(guān)討論的意義.

B:     MOSFET在正常導(dǎo)通工作時(shí)所能承受的最大功耗小于或等于Ear.

注B:開關(guān)頻率與MOSFET廠家給出的頻率一樣.

謝謝拍磚!