自己頂頂,

希望盡快有人有空回答我的疑問啊:)

VDS是規格書上給你的最大額定工作電壓,在使用的時候最好不要超過這個電壓,當然了,你超過一點點也有可能會沒有問題,因為器件生產商會留有大約10%的余量的.

關斷的時候浪涌電壓不超過額定電壓就基本沒有危險,超過額定電壓而不達到擊穿電壓這時候有可能有危險,但是超過擊穿電壓就一定會雪崩擊穿.

使用的時候可以參照器件datasheet給出的SOA,使用的范圍盡量限制在SOA之內.

EAR和EAS是MOSFET的雪崩耐量的兩個值:EAS指的是單脈沖雪崩能量,EAR指的是重復脈沖雪崩能量.

在雪崩的時候,flyback產生的電壓會超過額定電壓值,因為這個時候的break voltage大于額定電壓.

關鍵詞：MOSFET

謝謝 命運寵愛

所謂的擊穿電壓是指哪個spec 參數啊?

"超過額定電壓而不達到擊穿電壓這時候有可能有危險,但是超過擊穿電壓就一定會雪崩擊穿"

你可以關注一下器件的datasheet,關于BVDSS的說明是:
VGS=0,IDSS=250uA時的VDS電壓值.

如果你有用圖示儀看BV曲線,你就知道,擊穿電壓就是器件DS上電壓達到能夠使器件內置晶體管發生導通的電壓,這個時候漏電流會迅速的變大.

為什么我們通常看Mosfet的Datasheet, Vds(contious)=V(br)dss,這兩者一般V(br)dss要高一些才對啊？

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EAS 指得是瞬間承受最大能量的接受度 , 跟MOSFET的芯粒大小 / 封裝材質 / 打線粗細 , 有相當大的關係 ..... WWW.ALFA-MOS.COM

VDS(continuous)是最大直流工作電壓。

VBRDSS給出的是最小值，實際BV會比min值高10%以上

spike超過VDS的情況不一定損壞，如果廠家100%通過雪崩測試，Ispike x VDS x Tspike <=0.1Ear 是沒有問題的