可控硅接錯了,要反過來接.

圖畫得有點問題,現在該過來了,實際使用的時候是按照現在的這個圖來做的.也就是按照上面的這個新圖發(fā)現很多問題,請大家?guī)兔?謝謝

C1容量過大,導致D2發(fā)熱,D1發(fā)熱的原因應該是IC耗電量過大引起的

如果把C1的容量變小,我也試過,也有發(fā)熱,但是如果變小的話,從穩(wěn)壓管出來的電壓加上負載電路,電壓到不了12V,,有時候是9V

請大家指點,謝謝

可以D2放在D1后面,還有C1換一般的更小陶瓷電容看看?
個人看法,不知有沒有效果

如果C1換小的話,可控硅根本驅動不起來,

現在的問題還有就是可控硅上的電壓只有200V,怎么樣能全導通,讓輸出的電壓是220V

找高手解答

C1 R1組成rc降壓電路,只要C1的電容值和D1的穩(wěn)壓值確定,那么支路電流也就是個定值了.也就是說不管負載如何變化,流過D1和D2的電流總和不變.
  D1功率確定: 首先計算出總的電流值,當電源空載時大部分電流都流向D1,確定D1的功率,要想不燙可以并聯(lián)幾個穩(wěn)壓管.D2同理計算

問題1:D1,D2發(fā)熱是由于負載太重引起的.
問題2:負載R3 2端電壓只有200V說明可控硅沒有完全導通.
問題3:壓敏電阻R4,自己燒壞,你用的是7D431K,擊穿電壓是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC
因為AC220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以選擇壓敏電阻的擊穿電壓是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,
所以建議應該選擇7D471K,或者10D471K.
問題4:用Q2的方式驅動是可以的.
問題5:雙向可控硅上的壓降太大說明你可控硅沒有完全導通.
雙向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你現在工作在1、4象限,雙向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的時候,容易損壞.
所以有條件最好能更改驅動方式,用低電平驅動雙向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去網上去看看可控硅應用10大準則.

你可以仔細看一下你的可控硅資料B136,當T2+ G+,T2-,G+的驅動電流和維持電流需要多少.
驅動電流T2+ G+,50MA,T2-,G+,100MA,維持電流T2+ G+,30MA,T2-,G+,30MA.
在加上你的IC和,Q2的驅動電流和維持電流.注意你的阻容降壓電路,必須要在100MA以上.
然后在看看你的1UF的電容,能否滿足這么大電流.(所以你去按照阻容降壓公式算一下滿足這么大的電流需要多少的電容).
所以也就可以解釋,為什么你電壓會下降,D1,D2為什么會發(fā)熱,雙向可控硅為什么沒有完全導通.

問題1:D1,D2發(fā)熱是由于負載太重引起的.
問題2:負載R3 2端電壓只有200V說明可控硅沒有完全導通.
問題3:壓敏電阻R4,自己燒壞,你用的是7D431K,擊穿電壓是430V.一般V1mA=1.5Vp=2.2VAC
因為AC220V的峰值是V1mA=1.5Vp=1.5××220V=330V,所以選擇壓敏電阻的擊穿電壓是V1mA=2.2VAC=2.2×220V=484V,
所以建議應該選擇7D471K,或者10D471K.
問題4:用Q2的方式驅動是可以的.
問題5:雙向可控硅上的壓降太大說明你可控硅沒有完全導通.
雙向可控硅的最佳工作方式是在2、3象限,你現在工作在1、4象限,雙向可控硅工作在4象限,是可控硅最弱的時候,容易損壞.
所以有條件最好能更改驅動方式,用低電平驅動雙向可控硅,使他工作在2,3象限.你可以去網上去看看可控硅應用10大準則.

你可以仔細看一下你的可控硅資料B136,當T2+ G+,T2-,G+的驅動電流和維持電流需要多少.
驅動電流T2+ G+,50MA,T2-,G+,100MA,維持電流T2+ G+,30MA,T2-,G+,30MA.
在加上你的IC和,Q2的驅動電流和維持電流.注意你的阻容降壓電路,必須要在100MA以上.
然后在看看你的1UF的電容,能否滿足這么大電流.(所以你去按照阻容降壓公式算一下滿足這么大的電流需要多少的電容).
所以也就可以解釋,為什么你電壓會下降,D1,D2為什么會發(fā)熱,雙向可控硅為什么沒有完全導通.

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