1126336990.xls
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RCC電路、變壓器設計軟體!
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@stone-power
1127361860.xls增加了部分提示
作了一些提示,卻又刪去了一部分不必要刪去的內容,何意?
我覺得當初的那份表格數據還比較完整,如果能對RCC中一些關鍵元件的參數規格確定作了個來龍去脈作一個公式或經驗值推導,功勞可就不小了.比如EMC電路,輸入級部分的變壓器,嵌位電路的元件,開關管、開關管的發射極電阻,控制管(控制開關管的三極管)基極電阻(從控制管到開關管的發射極的電阻),啟動電阻,保險電阻.反饋繞組的整流電容,零電壓檢測元件(電阻與電容),光耦及光耦外圍元件,安全電容,次極整流,整流穩波系數,穩壓及外圍電路等等,都做一個明確的說明.這樣對RCC的設計者可謂幫了一個大忙了.
我覺得當初的那份表格數據還比較完整,如果能對RCC中一些關鍵元件的參數規格確定作了個來龍去脈作一個公式或經驗值推導,功勞可就不小了.比如EMC電路,輸入級部分的變壓器,嵌位電路的元件,開關管、開關管的發射極電阻,控制管(控制開關管的三極管)基極電阻(從控制管到開關管的發射極的電阻),啟動電阻,保險電阻.反饋繞組的整流電容,零電壓檢測元件(電阻與電容),光耦及光耦外圍元件,安全電容,次極整流,整流穩波系數,穩壓及外圍電路等等,都做一個明確的說明.這樣對RCC的設計者可謂幫了一個大忙了.
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@siyixing
作了一些提示,卻又刪去了一部分不必要刪去的內容,何意?我覺得當初的那份表格數據還比較完整,如果能對RCC中一些關鍵元件的參數規格確定作了個來龍去脈作一個公式或經驗值推導,功勞可就不小了.比如EMC電路,輸入級部分的變壓器,嵌位電路的元件,開關管、開關管的發射極電阻,控制管(控制開關管的三極管)基極電阻(從控制管到開關管的發射極的電阻),啟動電阻,保險電阻.反饋繞組的整流電容,零電壓檢測元件(電阻與電容),光耦及光耦外圍元件,安全電容,次極整流,整流穩波系數,穩壓及外圍電路等等,都做一個明確的說明.這樣對RCC的設計者可謂幫了一個大忙了.
有些表格是隱藏,凸顯主題,軟件主要是設計變壓器,對其他元件無計算,可以的話聯絡我:0752-2710453 凌生
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@stone-power
有呀,有什么需要幫助,請發貼
這是別人的設計方法,你看和你的方法有什么不同?
在RCC設計中,一般先設定工作頻率,如為50K,然後設定工作DUTY在90V入力,最大輸出時為0.5
假設設計一功率為12V/1A
1. 最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.
2. 出力電力Pout = Vout × Iout = 12V×1.3A = 15.6W
3. 入力電力 Pin = Pout/∩=22.3W(RCC效率∩一般設在65%~75% , 取70%)
4. 入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=22.3/85*1.2=0.22( Vin(DCmin) = Vac(Inmin)×1.2)
5. T=1/swF=1/50K=20uS Ton=Toff=10uS
6. Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.22*2/0.5=0.88
7. 一次側電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.88=1159uH取1160uH
8. 選擇磁芯,根據磁芯規格,選擇EI28. Ae=0.85CM^2 動作磁通=2000~2800取2000(當然,這是很保守的作法)
9. Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.88*1160*100)/(0.85*2000)=60Ts
10. Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=7.6 取8Ts
11. 輔助電壓取5V(電晶體) 如功率管使用MOSFET則應設為11V
12. Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=2.94 取3Ts
故變壓器的構造如下:
Lp=1160uH
Np=60Ts
Ns=7Ts
Nb=3Ts
采用三明治繞法.
在RCC設計中,一般先設定工作頻率,如為50K,然後設定工作DUTY在90V入力,最大輸出時為0.5
假設設計一功率為12V/1A
1. 最大輸出電流為定格電流的1.2~1.4倍,取1.3倍.
2. 出力電力Pout = Vout × Iout = 12V×1.3A = 15.6W
3. 入力電力 Pin = Pout/∩=22.3W(RCC效率∩一般設在65%~75% , 取70%)
4. 入力平均電流Iin=Pin/Vdc(INmin)=22.3/85*1.2=0.22( Vin(DCmin) = Vac(Inmin)×1.2)
5. T=1/swF=1/50K=20uS Ton=Toff=10uS
6. Ipk=Iin入力平均電流*2/DUTY=0.22*2/0.5=0.88
7. 一次側電感量Lp=Vin(DCmin)*Ton/Ipk=102*10/0.88=1159uH取1160uH
8. 選擇磁芯,根據磁芯規格,選擇EI28. Ae=0.85CM^2 動作磁通=2000~2800取2000(當然,這是很保守的作法)
9. Np=Ipk*Lp*K/Ae*▲Bm=(0.88*1160*100)/(0.85*2000)=60Ts
10. Ns=(Vout+Vf)*Np/Vin(DCmin)=7.6 取8Ts
11. 輔助電壓取5V(電晶體) 如功率管使用MOSFET則應設為11V
12. Vin(DCmin)/Np=Vb/Nb----Nb=2.94 取3Ts
故變壓器的構造如下:
Lp=1160uH
Np=60Ts
Ns=7Ts
Nb=3Ts
采用三明治繞法.
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@xiaodong
初步看了一下,覺得非常不錯.如果再加上其它原理性的東西,那此帖就真的是RCC的精化帖了.現有一個疑問,在算次級匝數時為什么要多乘一個1.02?在算初級匝數時為何要乘一個1.01?
頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂
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@網絡情人
頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂頂
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