圖?

1579621249111197.pdf
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這是原理圖和板圖,看有什么問題沒有?

我是沒法看清你的PCB圖,但你這種要特別注意走線引起的干擾.

斗膽說幾句.PCB板設(shè)計得很漂亮,但PCB圖上的絲印確實(shí)不清楚,看起來很吃力,只好猜.
關(guān)注到輸入輸出電容,如果SCH圖的元件都是正確的用SMD陶瓷電容并聯(lián)(PCB圖上也看不出極性),我想問題可能由此產(chǎn)生的:并聯(lián)后的電容等效電阻ESR過小了,導(dǎo)致整個系統(tǒng)不穩(wěn).LINEAR的數(shù)據(jù)表介紹上也建議輸入輸出可以采用SMD陶瓷電容并聯(lián)電解電容的方式.如果由于高度的限制,可以嘗試換一些鉭電容并陶瓷電容的方法試一試.雖然全SMD陶瓷電容并聯(lián)對于設(shè)計排版PCB方便,但結(jié)果并不是我們期望的.
如果方便,能否告知輸出紋波多少?效率達(dá)到多少?PCB實(shí)際的尺寸有多大?謝謝!

非常感謝您的提示,謝謝.
輸出紋波要求150mV,效率85%(實(shí)測目前為95%左右),pcb為四分之一磚.

呵呵,效率什么定得怎么低啊?應(yīng)該不是極端條件下的效率吧?你實(shí)測95%的效率是在什么輸入條件下測得的?升壓?降壓?升降壓相等?我曾嘗試做過與你尺寸基本相同的,只是輸出電壓沒有這么高,沒敢用鉭電容(怕失效率太高,有短路或者燃燒的危險,帶保險絲的又不容易購買)更不敢全部只用SMD陶瓷電容(原因同上),所以高度就高多了.你的板在25度時的溫升多少?我的在40度左右,紋波我的在200mV左右.

在24V輸入時,升壓狀態(tài),目前具體的溫升還沒有測試過,帶2A負(fù)載時感覺溫度還可以,帶載多了就不行了,在低端輸入時,后面兩個MOSFET溫度很高,且最后MOSFET旁的那個二極管很容易燒壞,不知道后面的那個二極管選多大的好,今天用了個12CWQ03FN的管子都給燒了.

如果是工作在升壓狀態(tài),我們的效率就差不多了,我做的板在運(yùn)行穩(wěn)定后在96.3左右,當(dāng)然,我沒有測試其他的輸入電壓,只做了12V輸入的,當(dāng)處于升壓狀態(tài),效率都基本相似,在輸出24V/4.2A(也就100W左右),在12V輸出的情況下,效率能達(dá)到97.6左右/70W負(fù)載(四舍五入的話,就能達(dá)到LINEAR所廣告的98%效率了,不知道LINEAR是不是就是怎么干的:)).紋波在恒頻狀態(tài)下,只有60mV左右,降壓的效率就低一些,在93~94之間,例如6V/10A,溫升都在40度左右.不知道你指的后面2個是不是LINEAR數(shù)據(jù)表圖例的代號C\D的控制管,是的話表明管子的運(yùn)行狀態(tài)是正確的,12CWQ03FN顯然是錯誤的,30V的峰值耐壓(這點(diǎn)上一定要留意,至少要選擇40V的耐壓)在MOS振鈴處理得很好的情況下,24V輸出電壓的情況下都用不了10分鐘,你28V的輸出電壓下,估計能挺3~5分鐘.針對溫度的問題,你可以臨時上幾個低ESR的電解電容試驗(yàn)一下,太低的ESR不單會造成系統(tǒng)不穩(wěn)還會造成MOSFET上的應(yīng)力過大.

非常感謝您的支持,您說的太對了.
我在調(diào)試的過程中,壞了好幾個3780,損壞情況各不相同,出現(xiàn)在震蕩或刪除短路時,有兩三個芯片壞的是SW1或SW2處對地有擊穿的現(xiàn)象,還有個是TG1和SW1間出現(xiàn)了擊穿現(xiàn)象,從幾個芯片壞的情況看,壞的都是自舉驅(qū)動部分.不知道具體原因?
還有我想咨詢下,LTC3780做28.2V輸出是不是有點(diǎn)牽強(qiáng)啊?

還想問下,你的電感用多少uH的?電感計算時,是分別計算buck和boost情況下電感量,然后取其小的嗎?對此,我有點(diǎn)暈.

LTC3780做28.2V輸出應(yīng)該沒有問題的,LINEAR的數(shù)據(jù)表已說明了.電感感量并不是最大的問題,相信誰也不會隨便找一個感量的電感裝上去,問題在于電感的飽和電流.頻率我也是用200K的,電路沒有設(shè)計的那么復(fù)雜,沒有輸入濾波電感,基本與LINEAR的DEMO原理圖一樣,連元件的選擇都基本照搬的(PCB改進(jìn)定型后才改選其他元件).也曾在試制的初試階段碰到這樣那樣問題,搞不定,參考了LINEAR的DEMOPCB圖,并仿做了板,不知道是什么地方?jīng)]有仿制正確,紋波和噪音都很大,溫升也比較大,但電路基本能正常工作了.做了很多板都存在類似問題,下決心重改,現(xiàn)在經(jīng)過多次改進(jìn)的板不僅尺寸小(原來仿制的尺寸要在50*50mm),原來存在的問題也都解決了,當(dāng)然代價是時間和精力.從你描述的SW1或SW2擊穿現(xiàn)象,TG1和SW1間出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象,除了布線間距問題,基板材質(zhì)問題,我覺得你應(yīng)該留意這幾個短路的腳的波形,SW1或SW2都是DI/DT的節(jié)點(diǎn)處,布線不合理造成MOS振鈴過大,結(jié)果都有可能將造成SW1或SW2瞬態(tài)電壓過高造成擊穿等故障.但最主要的問題關(guān)鍵是地的處理要合適,無論任何DC-DC變換器的關(guān)鍵都應(yīng)該是地線回路的布局,DI/DT節(jié)點(diǎn)布線不合理(一定范圍內(nèi))只會造成紋波大,EMI大,MOSFET等相關(guān)元件容易損壞,而地線布置的不合理將出現(xiàn)非常多的問題,嚴(yán)重的電路都無法工作.就我個人的經(jīng)驗(yàn)所限,我無法看出別人的布線是否合理,殺牛殺屁股,各有各的章法,所以,很多的問題需要自己去實(shí)驗(yàn)自己找高手指點(diǎn)了.

恩,謝謝.

不客氣.祝你進(jìn)展順利!

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有進(jìn)展嗎?我抽空試了一下,在輸入8V,輸出24V,100W負(fù)載的情況下(紋波在200mV左右),效率降到了93左右,電感發(fā)熱超過45度,要到52度左右了,MOSFET的溫升在45度以內(nèi),可以接受.在輸入24V,輸出24V,100W負(fù)載的情況下(紋波在180mV左右),效率超過98,在98.2~3左右,看來12V輸入時的效率還有改進(jìn)的空間-如果有必要的話.

(⊙v⊙)嗯,目前跟你試的差不多,只是效率上比你那低1%.

呵呵,看哪天有空我也將電解全部改陶瓷電容試試.

最大2A,那么輸出功率要50幾瓦,要注意在低端輸出時電源能夠提供的最大電流是多少,還有就是電感的選擇很重要.

謝謝您的寶貴建議.

我要做5V升28V的，請問樓主電感量應(yīng)該怎么計算呢，英文資料中給的實(shí)例計算好像數(shù)據(jù)都對不上，愁死了

兩年前的貼子了，還是頂一下看。最近我在用LTC3780，輸入18~30V，輸出25V。使用中不時會有LTC3780損壞的情況，損壞的芯片都是TG1、SW1對地?fù)舸，F(xiàn)在不知是何原因造成的。