如何計算MOSFET管的驅動電流?
請問各位兄臺,如何計算MOSFET管的驅動電流?
全部回復(10)
正序查看
倒序查看
怎么,我發現這個公司前面有個0.5的系數呢?哪位兄弟解釋解釋.
驅動功率:
P=WF=0.5C F=0.5* *F*Q/U =0.5*F*QU
Q-----柵源電荷
U-----柵源電壓
F-----驅動信號頻率
因此得出結論: 驅動信號相同的情況下,驅動功率取決于Q.
驅動電流的計算,我查到的資料是這樣的,我也計算過,下面是轉貼,我不確定到底是否正確.
在計算柵極驅動電流時,最常犯的一個錯誤就是將MOSFET的輸入電容(CISS)和CEI混為一談,于是會使用下面這個公式去計算峰值柵極電流.
I = C(dv/dt)
實際上,CEI的值比CISS高很多,必須要根據MOSFET生產商提供的柵極電荷(QG)指標計算.
QG是MOSFET柵極電容的一部分,計算公式如下:
QG = QGS + QGD + QOD
其中:
QG--總的柵極電荷 140
QGS--柵極-源極電荷 28
QGD--柵極-漏極電荷(Miller)74
QOD--Miller電容充滿后的過充電荷
可以看到,為了保證MOSFET導通,用來對CGS充電的VGS要比額定值高一些,而且CGS也要比VTH高.柵極電荷除以VGS等于CEI,柵極電荷除以導通時間等于所需的驅動電流(在規定的時間內導通).
用公式表示如下:
QG = (CEI)(VGS)
IG = QG/t導通 t導通=86+16=102ns QG=140nc
則IG = QG/t導通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
UC384X系列芯片驅動存在問題.
驅動功率:
P=WF=0.5C F=0.5* *F*Q/U =0.5*F*QU
Q-----柵源電荷
U-----柵源電壓
F-----驅動信號頻率
因此得出結論: 驅動信號相同的情況下,驅動功率取決于Q.
驅動電流的計算,我查到的資料是這樣的,我也計算過,下面是轉貼,我不確定到底是否正確.
在計算柵極驅動電流時,最常犯的一個錯誤就是將MOSFET的輸入電容(CISS)和CEI混為一談,于是會使用下面這個公式去計算峰值柵極電流.
I = C(dv/dt)
實際上,CEI的值比CISS高很多,必須要根據MOSFET生產商提供的柵極電荷(QG)指標計算.
QG是MOSFET柵極電容的一部分,計算公式如下:
QG = QGS + QGD + QOD
其中:
QG--總的柵極電荷 140
QGS--柵極-源極電荷 28
QGD--柵極-漏極電荷(Miller)74
QOD--Miller電容充滿后的過充電荷
可以看到,為了保證MOSFET導通,用來對CGS充電的VGS要比額定值高一些,而且CGS也要比VTH高.柵極電荷除以VGS等于CEI,柵極電荷除以導通時間等于所需的驅動電流(在規定的時間內導通).
用公式表示如下:
QG = (CEI)(VGS)
IG = QG/t導通 t導通=86+16=102ns QG=140nc
則IG = QG/t導通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
UC384X系列芯片驅動存在問題.
0
回復
@lzgjxh
怎么,我發現這個公司前面有個0.5的系數呢?哪位兄弟解釋解釋.驅動功率: P=WF=0.5CF=0.5**F*Q/U=0.5*F*QUQ-----柵源電荷 U-----柵源電壓F-----驅動信號頻率因此得出結論:驅動信號相同的情況下,驅動功率取決于Q.驅動電流的計算,我查到的資料是這樣的,我也計算過,下面是轉貼,我不確定到底是否正確.在計算柵極驅動電流時,最常犯的一個錯誤就是將MOSFET的輸入電容(CISS)和CEI混為一談,于是會使用下面這個公式去計算峰值柵極電流. I=C(dv/dt) 實際上,CEI的值比CISS高很多,必須要根據MOSFET生產商提供的柵極電荷(QG)指標計算. QG是MOSFET柵極電容的一部分,計算公式如下: QG=QGS+QGD+QOD 其中: QG--總的柵極電荷140 QGS--柵極-源極電荷28 QGD--柵極-漏極電荷(Miller)74 QOD--Miller電容充滿后的過充電荷可以看到,為了保證MOSFET導通,用來對CGS充電的VGS要比額定值高一些,而且CGS也要比VTH高.柵極電荷除以VGS等于CEI,柵極電荷除以導通時間等于所需的驅動電流(在規定的時間內導通).用公式表示如下: QG=(CEI)(VGS) IG=QG/t導通 t導通=86+16=102ns QG=140nc則IG=QG/t導通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)UC384X系列芯片驅動存在問題.
頂
0
回復
@lzgjxh
怎么,我發現這個公司前面有個0.5的系數呢?哪位兄弟解釋解釋.驅動功率: P=WF=0.5CF=0.5**F*Q/U=0.5*F*QUQ-----柵源電荷 U-----柵源電壓F-----驅動信號頻率因此得出結論:驅動信號相同的情況下,驅動功率取決于Q.驅動電流的計算,我查到的資料是這樣的,我也計算過,下面是轉貼,我不確定到底是否正確.在計算柵極驅動電流時,最常犯的一個錯誤就是將MOSFET的輸入電容(CISS)和CEI混為一談,于是會使用下面這個公式去計算峰值柵極電流. I=C(dv/dt) 實際上,CEI的值比CISS高很多,必須要根據MOSFET生產商提供的柵極電荷(QG)指標計算. QG是MOSFET柵極電容的一部分,計算公式如下: QG=QGS+QGD+QOD 其中: QG--總的柵極電荷140 QGS--柵極-源極電荷28 QGD--柵極-漏極電荷(Miller)74 QOD--Miller電容充滿后的過充電荷可以看到,為了保證MOSFET導通,用來對CGS充電的VGS要比額定值高一些,而且CGS也要比VTH高.柵極電荷除以VGS等于CEI,柵極電荷除以導通時間等于所需的驅動電流(在規定的時間內導通).用公式表示如下: QG=(CEI)(VGS) IG=QG/t導通 t導通=86+16=102ns QG=140nc則IG=QG/t導通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)UC384X系列芯片驅動存在問題.
寫的好!很詳細
0
回復
@lzgjxh
怎么,我發現這個公司前面有個0.5的系數呢?哪位兄弟解釋解釋.驅動功率: P=WF=0.5CF=0.5**F*Q/U=0.5*F*QUQ-----柵源電荷 U-----柵源電壓F-----驅動信號頻率因此得出結論:驅動信號相同的情況下,驅動功率取決于Q.驅動電流的計算,我查到的資料是這樣的,我也計算過,下面是轉貼,我不確定到底是否正確.在計算柵極驅動電流時,最常犯的一個錯誤就是將MOSFET的輸入電容(CISS)和CEI混為一談,于是會使用下面這個公式去計算峰值柵極電流. I=C(dv/dt) 實際上,CEI的值比CISS高很多,必須要根據MOSFET生產商提供的柵極電荷(QG)指標計算. QG是MOSFET柵極電容的一部分,計算公式如下: QG=QGS+QGD+QOD 其中: QG--總的柵極電荷140 QGS--柵極-源極電荷28 QGD--柵極-漏極電荷(Miller)74 QOD--Miller電容充滿后的過充電荷可以看到,為了保證MOSFET導通,用來對CGS充電的VGS要比額定值高一些,而且CGS也要比VTH高.柵極電荷除以VGS等于CEI,柵極電荷除以導通時間等于所需的驅動電流(在規定的時間內導通).用公式表示如下: QG=(CEI)(VGS) IG=QG/t導通 t導通=86+16=102ns QG=140nc則IG=QG/t導通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)UC384X系列芯片驅動存在問題.
請問兄臺,最后的這個計算方法得到正確性驗證了嗎?
0
回復