
IGBT開通時集電極和發(fā)射級電壓為3左右伏不變(不過流的情況下),看來是錯的.
全橋串聯(lián)逆變,調(diào)頻調(diào)功.當上臂截止后,電流從下臂的二極管流過,此時集電極電壓為負值.經(jīng)死區(qū)后,下臂開始導(dǎo)通,但此時電壓為負值.電流開始換向后,此時IGBT起了導(dǎo)通作用,理論上,IGBT集電極和發(fā)射級電壓維持飽和壓降不變,事實上,IGBT剛留過電流時,飽和壓降最高,測量結(jié)果為證.

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@wangjinchao
首先柵極電壓15伏,然后流過正向電流,按理說起始電流小,壓降應(yīng)該低.壓降應(yīng)該從低到高,但事實上相反.
剛查過資料,此種情況稱為類飽和.如果真是這樣,驅(qū)動模塊擎住保護電壓3-5伏豈不是亂說.
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值.這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下,在負載電流從組合封裝的反向并聯(lián)二極管轉(zhuǎn)換到 IGBT的集電極的瞬間,VCE電壓會上升.
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值.這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下,在負載電流從組合封裝的反向并聯(lián)二極管轉(zhuǎn)換到 IGBT的集電極的瞬間,VCE電壓會上升.
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@wangjinchao
剛查過資料,此種情況稱為類飽和.如果真是這樣,驅(qū)動模塊擎住保護電壓3-5伏豈不是亂說.這種延遲引起了類飽和(Quasi-saturation)效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值.這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下,在負載電流從組合封裝的反向并聯(lián)二極管轉(zhuǎn)換到IGBT的集電極的瞬間,VCE電壓會上升.
再附上一段網(wǎng)上介紹片段:
在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的開通過程中,從斷態(tài)到通態(tài)(即飽和態(tài))的過程中要經(jīng)過一個準飽和區(qū).因為結(jié)的準飽和狀態(tài)而增加的壓降與直流線電壓幾乎沒有任何關(guān)系.盡管該壓降值比直流線電壓小得多,但是因為對于高壓快速IGB了來說,其時間常數(shù)相當大,所以造成的損耗也比較大.標準的零電流開關(guān)(ZCS)或零電壓開關(guān)(ZVS)電路不能避免這些損耗.我們將對穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT在電感負載硬開關(guān)時的電壓尾部進行仔細分析.解析化的結(jié)果將與2D(維)模擬及測量的結(jié)果進行對比,并進一步探討電壓拖尾與結(jié)附近摻雜分布的關(guān)系.為了使電感和變壓器的體積和重量最小化,就必須提高開關(guān)頻率.這一點對于高電壓尤其重要.下面表明當開關(guān)頻率超過數(shù)千赫茲時,通態(tài)壓降將不再是靜態(tài)時的值,通態(tài)損耗也將比所預(yù)想之值大出許多
在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的開通過程中,從斷態(tài)到通態(tài)(即飽和態(tài))的過程中要經(jīng)過一個準飽和區(qū).因為結(jié)的準飽和狀態(tài)而增加的壓降與直流線電壓幾乎沒有任何關(guān)系.盡管該壓降值比直流線電壓小得多,但是因為對于高壓快速IGB了來說,其時間常數(shù)相當大,所以造成的損耗也比較大.標準的零電流開關(guān)(ZCS)或零電壓開關(guān)(ZVS)電路不能避免這些損耗.我們將對穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT在電感負載硬開關(guān)時的電壓尾部進行仔細分析.解析化的結(jié)果將與2D(維)模擬及測量的結(jié)果進行對比,并進一步探討電壓拖尾與結(jié)附近摻雜分布的關(guān)系.為了使電感和變壓器的體積和重量最小化,就必須提高開關(guān)頻率.這一點對于高電壓尤其重要.下面表明當開關(guān)頻率超過數(shù)千赫茲時,通態(tài)壓降將不再是靜態(tài)時的值,通態(tài)損耗也將比所預(yù)想之值大出許多
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@wangjinchao
再附上一段網(wǎng)上介紹片段:在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的開通過程中,從斷態(tài)到通態(tài)(即飽和態(tài))的過程中要經(jīng)過一個準飽和區(qū).因為結(jié)的準飽和狀態(tài)而增加的壓降與直流線電壓幾乎沒有任何關(guān)系.盡管該壓降值比直流線電壓小得多,但是因為對于高壓快速IGB了來說,其時間常數(shù)相當大,所以造成的損耗也比較大.標準的零電流開關(guān)(ZCS)或零電壓開關(guān)(ZVS)電路不能避免這些損耗.我們將對穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT在電感負載硬開關(guān)時的電壓尾部進行仔細分析.解析化的結(jié)果將與2D(維)模擬及測量的結(jié)果進行對比,并進一步探討電壓拖尾與結(jié)附近摻雜分布的關(guān)系.為了使電感和變壓器的體積和重量最小化,就必須提高開關(guān)頻率.這一點對于高電壓尤其重要.下面表明當開關(guān)頻率超過數(shù)千赫茲時,通態(tài)壓降將不再是靜態(tài)時的值,通態(tài)損耗也將比所預(yù)想之值大出許多
從來沒有碰到你這樣的情況.
看看我們機器的VCE波形吧,只要看電壓波形就可以知道是否工作在ZCS狀態(tài)下,當然要憑經(jīng)驗來看.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/606791247013976.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
看看我們機器的VCE波形吧,只要看電壓波形就可以知道是否工作在ZCS狀態(tài)下,當然要憑經(jīng)驗來看.

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@igbtsy
從來沒有碰到你這樣的情況.看看我們機器的VCE波形吧,只要看電壓波形就可以知道是否工作在ZCS狀態(tài)下,當然要憑經(jīng)驗來看.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/79/606791247013976.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
從此圖判斷有點懸,不知波形底部前端稍微下凹的地方是否作為zvs的憑證.另外,從該圖難以顯示出我的波形,只因為分辨率太低.建議從連接igbt的集電極上的快速二機管的正極取信號.不知你的擎住判別的電壓是多少?
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@wangjinchao
再附上一段網(wǎng)上介紹片段:在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的開通過程中,從斷態(tài)到通態(tài)(即飽和態(tài))的過程中要經(jīng)過一個準飽和區(qū).因為結(jié)的準飽和狀態(tài)而增加的壓降與直流線電壓幾乎沒有任何關(guān)系.盡管該壓降值比直流線電壓小得多,但是因為對于高壓快速IGB了來說,其時間常數(shù)相當大,所以造成的損耗也比較大.標準的零電流開關(guān)(ZCS)或零電壓開關(guān)(ZVS)電路不能避免這些損耗.我們將對穿通(PT)型和非穿通(NPT)型IGBT在電感負載硬開關(guān)時的電壓尾部進行仔細分析.解析化的結(jié)果將與2D(維)模擬及測量的結(jié)果進行對比,并進一步探討電壓拖尾與結(jié)附近摻雜分布的關(guān)系.為了使電感和變壓器的體積和重量最小化,就必須提高開關(guān)頻率.這一點對于高電壓尤其重要.下面表明當開關(guān)頻率超過數(shù)千赫茲時,通態(tài)壓降將不再是靜態(tài)時的值,通態(tài)損耗也將比所預(yù)想之值大出許多
說的對!在IGBT柵極的開通臨界點避免不了這個過程.igbt硬開通更為明顯.所以過流檢測要有一個盲區(qū).
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@wangjinchao
要準確識別集電極電壓升高是否是過流現(xiàn)象還真困難,至少全過程更不易.在反向二機管到igbt的換流過程中,隨著電流增大,集電極電壓還會上升.有趣的是:igbt電流上升了,集電極電壓下降了.不知你是如何處理的?
既然檢測集電極電壓作過流保護有誤區(qū),即使檢測到了,做到了保護,IGBT已受到大電流的沖擊,受到了致命的打擊,何苦還要用集電極檢測保護的方法?
用電流互感器的方法優(yōu)點是顯然的(門限電流值很小,過工作電流一點點就可以動作),還有附帶的門極開路、短路檢測保護功能.
按理,橋式電路路只要有一只管子內(nèi)門極開路或短路,該IGBT不導(dǎo)通,該路橋臂中沒有電流,理論上過流保護不動作,事實上用電流互感器法是動作的,這是意外的收獲.
用電流互感器的方法優(yōu)點是顯然的(門限電流值很小,過工作電流一點點就可以動作),還有附帶的門極開路、短路檢測保護功能.
按理,橋式電路路只要有一只管子內(nèi)門極開路或短路,該IGBT不導(dǎo)通,該路橋臂中沒有電流,理論上過流保護不動作,事實上用電流互感器法是動作的,這是意外的收獲.
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@igbtsy
既然檢測集電極電壓作過流保護有誤區(qū),即使檢測到了,做到了保護,IGBT已受到大電流的沖擊,受到了致命的打擊,何苦還要用集電極檢測保護的方法?用電流互感器的方法優(yōu)點是顯然的(門限電流值很小,過工作電流一點點就可以動作),還有附帶的門極開路、短路檢測保護功能.按理,橋式電路路只要有一只管子內(nèi)門極開路或短路,該IGBT不導(dǎo)通,該路橋臂中沒有電流,理論上過流保護不動作,事實上用電流互感器法是動作的,這是意外的收獲.
想來集電極保護應(yīng)該有其應(yīng)用,曾經(jīng)一個變頻器的電機負載上并聯(lián)了一個0.1uf的電容,變頻器隨即可靠保護.在橋式串聯(lián)回路,集電極保護是響應(yīng)上下臂直通的.此時電流不經(jīng)過主諧振回路.不知要用幾只互感器,串在哪個回路里?
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