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MOSFET與IGBT的區(qū)別

經(jīng)常看到別人使用MOSFET和IGBT來設(shè)計(jì)開關(guān)電源,小功率的采用MOSFET,大功率的使用IGBT,粗略的知道MOSFET飽和導(dǎo)通壓降較小,但是具體有啥區(qū)別還真不知道,不知道哪位達(dá)人說下???
全部回復(fù)(4)
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2009-04-23 11:05
電壓超過300V后,MOSFET的導(dǎo)通壓降迅速變大,損耗變大,這種情況改用IGBT做開關(guān)器件最好
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回復(fù)
2009-04-23 15:06
IGBT是絕緣柵雙極晶體管.MOSFET是功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管.前者是復(fù)合器件,后者是單極型器件.但它們都是電壓控制型器件,也稱場(chǎng)控器件.兩者在正向?qū)ńY(jié)數(shù),器件控制方式,正反向阻斷電壓,門極信號(hào),結(jié)溫,安全工作區(qū),延遲時(shí)間,存儲(chǔ)時(shí)間------等方面均相同或近似.而后者有更高的開關(guān)頻率,可>100KHZ
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aoe123
LV.1
4
2009-04-26 09:27
多謝兩位回復(fù),還想知道的更多,
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2009-04-27 11:47
@aoe123
多謝兩位回復(fù),還想知道的更多,
還想知道哪方面的東西呢?
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