這個電路的工作原理是:6N137為高速光耦Vcc和Vdd為電源正極,分別為5V和18V,Dl為5.1V的穩(wěn)壓管.當(dāng)輸入脈沖為低電平時,C點(diǎn)為高電平,B點(diǎn)亦為高電平,在MOSFET的柵極和源極之間加上+13V的驅(qū)動電壓,驅(qū)動MOSFET導(dǎo)通;當(dāng)輸入脈沖為高電平時,C點(diǎn)為低電平,B點(diǎn)亦為低電平,但由于穩(wěn)壓管DI的存在,將在MOSFET的柵極和源極之間加上一5V的關(guān)斷電壓,關(guān)斷MOSFET.RG為驅(qū)動電路的柵極電阻,抑制驅(qū)動時的浪涌電流,同時抑制誤觸發(fā).
    在正常工作時,MOSFET導(dǎo)通,漏極電流VD處于低電平,A點(diǎn)電位通過二極管回流至VD點(diǎn),因?yàn)槁O處于低電位,所以A點(diǎn)也處于低電位狀態(tài),而C點(diǎn)電平高低和輸入相同,所以異或門XOR的輸出電平高低與輸入相同,不對電路產(chǎn)生影響.當(dāng)MOSFET過流時,漏極電壓VD迅速上升,VD承受反壓截止,由R1、C2的充電作用,A點(diǎn)電位開始升高,直到使異或門XOR輸出低電平(因?yàn)榇藭rC點(diǎn)也為高電平),使得B點(diǎn)變?yōu)榈碗娖?從而使MOSFET承受一5V的反壓而可靠關(guān)斷,并處于截止?fàn)顟B(tài),限制了過電流.
不知道上面分析的對不對,但我有一點(diǎn)不理解:在正常工作時,MOSFET導(dǎo)通,為什么VD處于低電平?不是mosfet的S極不是還和穩(wěn)壓管連著嗎,并沒有和地連著啊