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反激式電源中電磁干擾及其抑制 (sunyun推薦)[完整]

反激式電源中電磁干擾及其抑制 (sunyun推薦)[完整]
摘要:在介紹Flyback反激式DC/DC電源及其性能的基礎上,主要討論了該電源中的網側諧波及其抑制,開關緩沖電路,光耦隔離等問題.
關鍵詞: 噪 聲 ;干擾 ;高次諧波;電磁干擾.

1 電路介紹反激式電源原理圖如圖1所示.



輸入為交流85~200V,經功率二極管整流橋變為直流,作為DC/DC反激變換器的輸入,輸出為三組直流:5V、15V、20V,另外還有一輔助電源5V,用來給光耦NEC2501供電.控制電路為反饋控制,開關選用TOPSwitch電源芯片(TOP223).TOPSwitch為三端離線式PWM電源集成控制器,它將PWM控制器與功率開關MOSFET合為一體,采用TO-220或8腳DIP封裝,除D、C2腳外,其余6腳連在一起作為S端.本電路中TOP223采用UDS>700V的MOSFET,fs=100kHz.在這個Flyback反激式電源中,變壓器原邊繞組33匝,副邊有四組:6匝(對應于輸出Uo2=5V)、11匝(對應于輸出Uo3=15V)、12匝(對應于輸出Uo1=20V)、6匝(對應于輔助電源U=5V).在副邊,WY1和WY2為穩壓器件,WY1輸入在≥8V時,輸出可穩在5V;WY2輸入≥18V時,輸出可穩在15V.2EMI分析

開關電源工作時,其內部的電壓和電流波形都是在非常短的時間內上升和下降的,所以開關電源本身就是一個噪聲發生源.開關電源的干擾按噪聲干擾源種類可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種.使電源產生的干擾不至于對電子系統和電網造成危害的根本辦法就是采用耗能電路來削弱噪聲發生源,或者切斷電源噪聲和電子系統、電網之間的耦合途徑.

2.1網側高次諧波電流

2.1.1高次諧波電流的危害參照圖1,交流輸入電壓Vi經功率二極管整流橋變為正弦脈動電壓,被電容C1平滑后成為直流,但電容電流的波形不是正弦波而是脈沖波.如圖2所示.



由圖2中電流波形可知,電流中含有高次諧波.大量電流諧波分量倒流入電網,對電網造成諧波污染,一方面,產生“二次效應”,即電流經過線路阻抗造成諧波電壓降,反過來使電網電壓(原來是正弦波)也發生畸變;另一方面,會造成電路故障,如線路和配電變壓器過熱,諧波電流會引起電網LC諧振,或高次諧波電流流過電網的高壓電容,使之過流、過熱而爆炸等.另外,由于電流是脈沖波,使電源輸入功率因數降低.因此,必須想辦法解決它.2.1.2高次諧波電流的抑制1)最簡單的辦法是在整流橋與電容C1之間接入電感線圈L,用其阻止對電容C1較大的充電電流.L對交流呈現感抗為ωL,電容充電電流的平均值常與放電直流電流值相等,則峰值電流被限制,導通角變大(′>).如圖3所示.



2)若線圈電感足夠大,則電流導通角可達到180°,電流近似正弦波,功率因數趨于1.但是,在實際應用中,如果電感值太大,那么其體積重量隨之變大,從而影響了電源的小型化,而且整流電壓隨著負載變化較大,因此,線圈L也不能太大.本電路中共模扼流圈L2可起到電感的作用,其等效電感為L,則可抑制電容電流的高次諧波.

3)本電路中采用共模扼流圈L2(如圖1所示)

(1)對開關電源二根進線而言,存在共模干擾(二根線上受干擾信號相對參考點大小、方向相同)和差模干擾(二根線上受干擾信號相對參考點大小相等、方向相反).共模扼流圈如圖4所示.



--在差模干擾信號作用下,干擾源產生的電流i,在磁芯中產生方向相反的磁通,磁芯中等于沒有磁通,線圈電感幾乎為0,因此不能抑制差模干擾信號.

--在共模干擾信號作用下,兩線圈產生的磁通方向相同,有相互加強的作用,每一線圈電感值為單獨存在時的兩倍.因此,這種繞法的電磁線圈對共模干擾有強的抑制作用.

本電路中在電網與整流橋之間插入一共模扼流圈,該扼流圈對電網頻率的差模網側電流呈現極低的阻抗,因而對電網頻率的壓降極低;而對電源產生的高頻共模噪聲,等效阻抗較高,因而可以得到希望的插入損耗.

(2)扼流圈L2與電容C10、C1組成低通濾波器扼流圈L2的等效電感為L,以電源端作為輸入,電網方向作為輸出,則電路圖如圖5所示.





2.2開關緩沖電路

由于開關的快速通斷,開關電流、電壓波形為脈沖形式,產生噪聲污染,既增大了電源輸出的紋波,又影響電源的性能,因此,要想辦法抑制.

本電路中,輸入為交流85~200V,經整流橋后電容上的電壓約為此交流有效值的1.2~1.4倍,最大時為Ucm=200×1.4=280V.另外,變壓器副邊折合到原邊的電壓Up=Us×33/6,Us取副邊第一繞組(5V繞組)的電壓.考慮到WY1輸入≥8V,取10V,則Up=Us×33/6=10×33/6=55V.那么開關關斷時所要承受的總電壓Ut=Ucm+Up=280+55=335V.可見對開關的過壓保護是必要的.本Flyback電源中采用TOPSwitch開關,其內部有過壓保護和緩沖電路.為保險起見,在電路中還是加入了外部的過壓保護電路(R21和C21).

1)未加緩沖電路和加入緩沖電路之后開關管電壓Ut和電流i及功耗Pt的波形如圖7所示.由圖7可知,加RC緩沖電路后,開關電壓上升速率減慢,變小,噪聲減弱,抑制了EMI.另外,開關功耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.

緩沖電路中的R21是在開關開通,電容C21放電時起到限流作用,避免對管子的沖擊.

2)對于開關開通時的電流沖擊,因為有變壓器原邊線圈Np電感的限流,因此本電路中沒有加限流電感.

2.3光耦隔離

由于控制電路對噪聲敏感,一旦有噪聲,將會引起控制電路中的控制信號紊亂,而嚴重影響電源的工作.為了保證開關電源的正常工作,要求控制電路必須具有高精度和高穩定性,為此,必須將主電路與控制電路隔離.本電路中,用NEC2501將電源中的兩部分進行電隔離:一部分是作為控制電路電源的變壓器副邊輔助電源,另一部分是主電路.這樣就防止了噪聲通過傳導的途徑傳入到控制電路中.



3 為更好抑制EMI對電路的一些改進

本電路中主要的EMI是電源噪聲對電網的干擾.可將原來的共模扼流圈L2與電容C10、C1組成的濾波電路,改善為如圖8所示電路,則L1、L2、C1可除去差模干擾,L3、C2、C3可除去共模干擾.L1、L2的磁芯為不易飽和的材質.C1可選陶瓷電容,耐壓必須考慮輸入電壓的最大可能值,通常選用0.22~0.47μF.L3是共模扼流圈.選定C=C2=C3,截止頻率f0,則可根據
全部回復(68)
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蘭波
LV.8
2
2003-06-27 09:46
頂!!將上面的文章補充完畢.
感謝sunyun的推薦...

如果大家有什么好文章,發表起來有些麻煩,可以發給我:webmaster@powersupply.net.cn 我的QQ:37367239 謝謝!!
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ulan
LV.2
3
2003-07-14 14:27
能否幫忙啊!
我看到你發表了一些關于開關電源方面的文章,不知你是否熟悉開關電源這個行業中的研發人員,請幫忙推薦,我在上海為一家歐美企業找這方面的人,謝謝幫忙!
ulanyu@hotmail.com
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shuyun
LV.6
4
2003-07-14 15:57
@ulan
能否幫忙啊!我看到你發表了一些關于開關電源方面的文章,不知你是否熟悉開關電源這個行業中的研發人員,請幫忙推薦,我在上海為一家歐美企業找這方面的人,謝謝幫忙!ulanyu@hotmail.com
您是指我嗎?
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cmg
LV.9
5
2003-07-16 09:44
這篇文章基本上不值一看,還有些錯誤.
如:上面說在管的DS端加RC可使開關損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實是恰恰相反,會使管子因開通峰值電流超過絕對最大值而損壞(因管子有過熱保護,不會過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會加大很多,而不是減小,這都是一些常識性的東西.共模扼流圈L2
圖中共模電感為環型,其等效差模電感是很小的,對差模干擾的抑制作用幾乎為零,而不是上面的公式計算
一個比較好的方法是用4窗口共模電感,人為增加其差模量.光耦對EMI沒有任何影響.有空我給大家聊聊EMI.
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cmg
LV.9
6
2003-07-16 09:50
管理員,我剛才發了一個貼,是否定此文章的,
又丟失了信息,請將我的名字加上.
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ulan
LV.2
7
2003-07-16 13:31
@shuyun
您是指我嗎?
請shuyun回復我!
我是請你幫忙的人,能否幫在上海的周邊的地區推薦作開關電源的人呢?我的要求是:本科2年以上工作經驗,當然更高級的研發人員我也需要的!不知你在上海嗎?請聯系我!ulanyu@hotmail.com
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shuyun
LV.6
8
2003-07-16 16:08
@ulan
請shuyun回復我!我是請你幫忙的人,能否幫在上海的周邊的地區推薦作開關電源的人呢?我的要求是:本科2年以上工作經驗,當然更高級的研發人員我也需要的!不知你在上海嗎?請聯系我!ulanyu@hotmail.com
以前在上海激光研究所光通電源事業部,現在杭州!
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shuyun
LV.6
9
2003-07-16 16:09
@cmg
管理員,我剛才發了一個貼,是否定此文章的,又丟失了信息,請將我的名字加上.
希望您能發上來! 大家一起討論!!
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shuyun
LV.6
10
2003-07-16 16:10
@shuyun
希望您能發上來!大家一起討論!!
這篇文章我也是轉載的!
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shuyun
LV.6
11
2003-07-17 11:50
@cmg
這篇文章基本上不值一看,還有些錯誤.如:上面說在管的DS端加RC可使開關損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實是恰恰相反,會使管子因開通峰值電流超過絕對最大值而損壞(因管子有過熱保護,不會過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會加大很多,而不是減小,這都是一些常識性的東西.共模扼流圈L2圖中共模電感為環型,其等效差模電感是很小的,對差模干擾的抑制作用幾乎為零,而不是上面的公式計算一個比較好的方法是用4窗口共模電感,人為增加其差模量.光耦對EMI沒有任何影響.有空我給大家聊聊EMI.
您說的這些,有的我贊成,有的確與事實相差甚遠!!!
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shuyun
LV.6
12
2003-07-17 12:01
@cmg
這篇文章基本上不值一看,還有些錯誤.如:上面說在管的DS端加RC可使開關損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實是恰恰相反,會使管子因開通峰值電流超過絕對最大值而損壞(因管子有過熱保護,不會過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會加大很多,而不是減小,這都是一些常識性的東西.共模扼流圈L2圖中共模電感為環型,其等效差模電感是很小的,對差模干擾的抑制作用幾乎為零,而不是上面的公式計算一個比較好的方法是用4窗口共模電感,人為增加其差模量.光耦對EMI沒有任何影響.有空我給大家聊聊EMI.
我來說說!
{上面說在管的DS端加RC可使開關損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實是恰恰相反,會使管子因開通峰值電流超過絕對最大值而損壞(因管子有過熱保護,不會過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會加大很多,而不是減小,這都是一些常識性的東西.共模扼流圈L2 }
您說的這些,我表示反對,正因為是常識才會被很多人忽視!
另:加RC之后 管子 損耗會加大很多嗎? 象您這么說開關管的吸收就須去掉了!!
更正:不是管子損耗會加大很多, 而是吸收電路本身有損耗!!!
希望您多提一些有意義的東西!!
本人很希望與您談談!!
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cmg
LV.9
13
2003-07-17 16:35
@shuyun
我來說說!{上面說在管的DS端加RC可使開關損耗變小,使管子不致因過流過熱而損壞.事實是恰恰相反,會使管子因開通峰值電流超過絕對最大值而損壞(因管子有過熱保護,不會過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會加大很多,而不是減小,這都是一些常識性的東西.共模扼流圈L2}您說的這些,我表示反對,正因為是常識才會被很多人忽視!另:加RC之后管子損耗會加大很多嗎?象您這么說開關管的吸收就須去掉了!!更正:不是管子損耗會加大很多,而是吸收電路本身有損耗!!!希望您多提一些有意義的東西!!本人很希望與您談談!!
哈哈,不信.
實際情況是管子損耗加大,吸收電路損耗也很大:你忽視了一個情況:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的電阻也很大(100度,13歐姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP開通瞬間是電壓電流相交的時候,而這時C放電,在TOP上的瞬態損耗很高.我做過無數次的實驗,也幫很多人解決過這個問題,不信你就試一下.
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ulan
LV.2
14
2003-07-17 17:02
@shuyun
以前在上海激光研究所光通電源事業部,現在杭州!
shuyun能幫我介紹在上海的人嗎?
我現在希望能得到你的幫助,你告訴我你的聯系方式嗎?請發到我的郵箱!ulanyu@hotmail.com
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shuyun
LV.6
15
2003-07-17 17:03
@cmg
哈哈,不信.實際情況是管子損耗加大,吸收電路損耗也很大:你忽視了一個情況:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的電阻也很大(100度,13歐姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP開通瞬間是電壓電流相交的時候,而這時C放電,在TOP上的瞬態損耗很高.我做過無數次的實驗,也幫很多人解決過這個問題,不信你就試一下.
你說的也不無道理!
我指的是反激變換器并沒有針對TOP電路!
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shuyun
LV.6
16
2003-07-18 10:54
@cmg
哈哈,不信.實際情況是管子損耗加大,吸收電路損耗也很大:你忽視了一個情況:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的電阻也很大(100度,13歐姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP開通瞬間是電壓電流相交的時候,而這時C放電,在TOP上的瞬態損耗很高.我做過無數次的實驗,也幫很多人解決過這個問題,不信你就試一下.
看來我得跟您談談高頻電磁學的基礎理論!!
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tinyhe
LV.6
17
2003-07-18 16:43
@shuyun
看來我得跟您談談高頻電磁學的基礎理論!!
期待shuyun兄談談高頻電磁學
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c3
LV.6
18
2003-07-18 18:25
@cmg
哈哈,不信.實際情況是管子損耗加大,吸收電路損耗也很大:你忽視了一個情況:要使RC起到抑制EMI的作用,R值不能太大,但TOP223本身的電阻也很大(100度,13歐姆),跟R值相比已不能忽略,另外,TOP開通瞬間是電壓電流相交的時候,而這時C放電,在TOP上的瞬態損耗很高.我做過無數次的實驗,也幫很多人解決過這個問題,不信你就試一下.
吸收電路是必須的.
“加RC之后 管子 損耗會加大,”不對,雖然加RC可能會使得損耗增大(只是有這種可能),如果吸收電路加的好,絕對不會使得損耗增大,
我近期在一個降壓電路中加了吸收,就使得MOS管的損耗減少了,不加的時候,MOS的DS波形一片雜亂,而且散熱器溫升比較快,加了吸收后,散熱器溫升慢了,而且波形也很好,快近似理想的波形了.
抑制EMI的作用,肯定有了,di/dt,dv/dt,大的話,EMI肯定也大,加了吸收后,會減小dv/dt的特別是關斷的時候,試驗證明效果明顯.
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cmg
LV.9
19
2003-07-18 19:03
@shuyun
看來我得跟您談談高頻電磁學的基礎理論!!
不妨談一下.
本人在EMI的原理及抑制方法,變壓器的工藝和EMI,漏感的關系等方面有多年的經驗和理論基礎,希望有高人交流.
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cmg
LV.9
20
2003-07-19 08:58
@c3
吸收電路是必須的.“加RC之后管子損耗會加大,”不對,雖然加RC可能會使得損耗增大(只是有這種可能),如果吸收電路加的好,絕對不會使得損耗增大,我近期在一個降壓電路中加了吸收,就使得MOS管的損耗減少了,不加的時候,MOS的DS波形一片雜亂,而且散熱器溫升比較快,加了吸收后,散熱器溫升慢了,而且波形也很好,快近似理想的波形了.抑制EMI的作用,肯定有了,di/dt,dv/dt,大的話,EMI肯定也大,加了吸收后,會減小dv/dt的特別是關斷的時候,試驗證明效果明顯.
你的問題說明你原來的電源就工作在不正常狀態.
用你工作在不正常狀態的電源來反駁我這句話是沒有道理的.
對TOP來說(這篇文章是以TOP來說的),損耗肯定會加大,因為開通損耗大了,因為TOP的關斷速度太快,所以RC對TOP的關斷損耗沒有影響.
但對普通的反激變換器來說,要綜合考慮,加RC后開通損耗加大,但關斷損耗減小,所以管子的綜合損耗要具體評估一下.但無論如何,加RC后電源的效率會降低,這也是為EMI付出的代價.
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2003-07-19 18:35
@shuyun
以前在上海激光研究所光通電源事業部,現在杭州!
上海光通電源事業部?
上海光通電源事業部是我和上海光通共同投資組建的.我并沒有聽說有人轉移到杭州!請跟我聯系.
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2003-07-19 18:37
@ulan
shuyun能幫我介紹在上海的人嗎?我現在希望能得到你的幫助,你告訴我你的聯系方式嗎?請發到我的郵箱!ulanyu@hotmail.com
人才交流
本公司緊缺開關電源技術人員.大哥尋尋覓覓這么長時間,能不能與我們交流一下人才信息!我們有大量歐美訂單,等著你的合作信息
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shuyun
LV.6
23
2003-07-21 17:19
@德創電源
上海光通電源事業部?上海光通電源事業部是我和上海光通共同投資組建的.我并沒有聽說有人轉移到杭州!請跟我聯系.
您是陶總還是鄭總?
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ridgewang
LV.8
24
2003-07-23 18:01
@cmg
管理員,我剛才發了一個貼,是否定此文章的,又丟失了信息,請將我的名字加上.
CMG,你看看這樣行不行?
根據你的理論,在RC吸收回路中串個二極管,把它做成放電阻止形緩沖電路 既:RCD緩沖電路如何?
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cmg
LV.9
25
2003-07-24 08:46
@ridgewang
CMG,你看看這樣行不行?根據你的理論,在RC吸收回路中串個二極管,把它做成放電阻止形緩沖電路既:RCD緩沖電路如何?
我只是說明這篇文章的很多東西是錯誤的,不要害了大家.
其他技術方面的問題以后會解釋.
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shuyun
LV.6
26
2003-07-24 09:36
@cmg
管理員,我剛才發了一個貼,是否定此文章的,又丟失了信息,請將我的名字加上.
希望您能發上來! 大家一起討論!!
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shuyun
LV.6
27
2003-07-24 09:41
@cmg
我只是說明這篇文章的很多東西是錯誤的,不要害了大家.其他技術方面的問題以后會解釋.
您知道這篇文章的原作是誰!
只要您能將其錯誤處,指出我相信他們會感到高興的!!
您上面說的并不能說明什么!
期待!!
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ridgewang
LV.8
28
2003-07-24 09:59
@cmg
我只是說明這篇文章的很多東西是錯誤的,不要害了大家.其他技術方面的問題以后會解釋.
未必!
把它做成放電阻止形緩沖電路 只是保險而已!但增加了成本(多了一直二極管)!,其實不必如此.只要按照電源的工作頻率,和占空比,仔細設置R,C的參數,保證在開關管開通前該R、C吸收電路處于放電狀態,而且放電電壓小于一定的值就行了(即已經放得差不多了),這樣就不會造成你所說的“管子因開通峰值電流超過絕對最大值而損壞(因管子有過熱保護,不會過熱損壞),另外,加RC之后管子損耗會加大很多,而不是減小”.你說是嗎?
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cmg
LV.9
29
2003-07-24 10:43
@shuyun
您知道這篇文章的原作是誰!只要您能將其錯誤處,指出我相信他們會感到高興的!!您上面說的并不能說明什么!期待!!
這篇文章的原作是誰并不重要!!
也許是某某大人物,但這又有什么?南航電源的博導(只有一個人,能猜出是誰)看了我們反激電源的資料后也慨嘆:“原來我們教給學生的一些東西是錯誤的”,Synqor(做DC/DC的都知道這家公司,他第一個把散熱片拿掉,使“磚”成了一個藝術品)的CEO(Martin,電源權威)我也當面反駁他EMI的問題,他反而很謙虛的聽取意見.你一會“你說的也不無道理!”,一會又“您上面說的并不能說明什么! ”,我不知道你要講什么?我們自己有EMI的設備,幾乎每個星期都在幫人做實驗改進EMI,難道反駁一下此文作者還不可以嗎?.作者是誰可以告訴我,可以探討,到目前為止還沒有人能對EMI做定量的分析,只能定性,有個別做定量分析的人都注明:可能與實際會有很大的差別.因為EMI與電源的布版,器件分布參數,變壓器工藝都有極大的關系.只能做定性分析,用定性分析的結果來指導測試修改.
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shuyun
LV.6
30
2003-07-24 12:03
@cmg
這篇文章的原作是誰并不重要!!也許是某某大人物,但這又有什么?南航電源的博導(只有一個人,能猜出是誰)看了我們反激電源的資料后也慨嘆:“原來我們教給學生的一些東西是錯誤的”,Synqor(做DC/DC的都知道這家公司,他第一個把散熱片拿掉,使“磚”成了一個藝術品)的CEO(Martin,電源權威)我也當面反駁他EMI的問題,他反而很謙虛的聽取意見.你一會“你說的也不無道理!”,一會又“您上面說的并不能說明什么!”,我不知道你要講什么?我們自己有EMI的設備,幾乎每個星期都在幫人做實驗改進EMI,難道反駁一下此文作者還不可以嗎?.作者是誰可以告訴我,可以探討,到目前為止還沒有人能對EMI做定量的分析,只能定性,有個別做定量分析的人都注明:可能與實際會有很大的差別.因為EMI與電源的布版,器件分布參數,變壓器工藝都有極大的關系.只能做定性分析,用定性分析的結果來指導測試修改.
您誤會了!
我只是想要您找出這篇文章真正的錯誤處! 供大家參考! 即使是錯的我相信對大家還是會有幫助的,
絕不會想您說的  (我只是說明這篇文章的很多東西是錯誤的,不要害了大家.) 那樣!!!
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shuyun
LV.6
31
2003-07-24 12:45
@cmg
這篇文章的原作是誰并不重要!!也許是某某大人物,但這又有什么?南航電源的博導(只有一個人,能猜出是誰)看了我們反激電源的資料后也慨嘆:“原來我們教給學生的一些東西是錯誤的”,Synqor(做DC/DC的都知道這家公司,他第一個把散熱片拿掉,使“磚”成了一個藝術品)的CEO(Martin,電源權威)我也當面反駁他EMI的問題,他反而很謙虛的聽取意見.你一會“你說的也不無道理!”,一會又“您上面說的并不能說明什么!”,我不知道你要講什么?我們自己有EMI的設備,幾乎每個星期都在幫人做實驗改進EMI,難道反駁一下此文作者還不可以嗎?.作者是誰可以告訴我,可以探討,到目前為止還沒有人能對EMI做定量的分析,只能定性,有個別做定量分析的人都注明:可能與實際會有很大的差別.因為EMI與電源的布版,器件分布參數,變壓器工藝都有極大的關系.只能做定性分析,用定性分析的結果來指導測試修改.
聲明:
“原來我們教給學生的一些東西是錯誤的”,您說的這句話從教育學的角度看是錯誤的!!
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