電路的電流采樣電阻0.5歐及IR9530(內阻0.3歐)在1.3A時的壓降已達1V有多,電池的恒壓4.2V,加起來已超過5V,尚未計及作線性調節的MOSFET管應預留的管壓降及線路損耗的壓降等.建議將5V電壓提高到6V左右.

提高電壓是最好的辦法

是呀,我也這樣認為,但是我做的是煤礦上的礦燈充電器,它的充電架只能輸出5V,我們有沒有辦法在充電架上做文章了,只有在電路想辦法了.

我曾經把0.5歐的電阻換成0.1歐的,但是充電電流只增大了幾十個MA,我好郁悶呀,現在想著是不是MOS管這里給限制住了.
還望你多多指教!

我查過IRF9530的導通電阻在0.3歐時的VGS要求為-10V,顯然你的VGS電壓達不到上述要求.解決辦法可試圖找VGS小到滿足要求的管子試試.

我也這樣想,但是我怎么看到的是-2到-4V呀?我測得的VDS已經-4.5V了,是不是我的英語學的不好,給弄錯了,我傳上來你幫我看一下,謝謝!
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我還真的沒有自己選元件,這些東西以前都是別人選好的,我用就行了,現在我才開始發愁了,嗚嗚~~~~

這是它的PDF文檔
1116053060.pdf

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你說的是不是這個,這個應該是最大參數吧?

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這是在IR公司IRF9530資料上摘錄的部分技術參數.

Rdson=0.3是在Vgs=-10V條件下測的,現在你的只有4.5V,內阻應該遠比0.3歐大,換個管子試試.

謝謝!我也查過了,就是這個原因,我的功率源只有5V 2A,我們還想用線性MOS管,但是我不了解這個東西,你能夠給我推薦幾款這樣的MOS管嗎?

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我是被這個東西誤導的,請問這個是什么參數呀?
是不是導通的最高電壓(負值)呀?

如果
成本要求不高的話,可以在加個升壓電路來驅動MOS

這也就是我的問題所在了,本來還考慮到用DC DC轉換電路的,但是被經理給PASS掉了,我估計沒戲,苦呀~~~~~

柵臨界電壓,即管子開始導通(ID＝250uA時)的VGS電壓.
若成本許可,可不用MCU改用專用的開關型鋰電充電芯片.

1116214765.pdf
試試這個,也許有點幫助

這注意很不錯,我也考慮過,但是里面還有瓦斯報警等東西,老總的意思是把充電控制和瓦斯報警作在一個單片機內,這樣可以節省成本,還可以節省空間(我們的空間很小的),

CPU有很多腳空,取一個輸出方波,倍壓到9V,MOS用N型的(<0.1歐姆的大把)/0.5歐姆改到0.1歐姆

方案可靠慮以下幾種:
1、0.5歐改0.1歐,P-MOSFET改低導通電壓、低導通內阻N-MOSFET,主回路選粗導線;
2、DC/DC升壓2576、2596或其它;
3、加專用開關型鋰電芯片;

"取一個輸出講ǎ堆溝?V,"這是什么意思呀????
充電控制只是單片機的一個功能,到時候把所有功能全部做在里面,管腳就不富裕了,不然的話我們就不用這個型號的片子了

1、0.5歐改0.1歐,這個我測試過,根據現在的電路,它的影響很小,換后影響采樣的精度,但是有必要的話,我會這樣做的.
2、DC/DC升壓;這個就看電路的工作狀態了,但是不會因為MOSFET而添加的


3.P-MOSFET改低導通電壓、低導通內阻N-MOSFET,
這個就需要大家幫忙,你能夠給我提供幾個MOSFET參考的型號嗎?

大家幫我選擇一下,謝謝了

MOSFET的驅動電路阻抗太大了吧?占空比肯定上不去,你嘗試一下在MOSFET一直處于導通狀態下 最大充電電流吧.如果這樣都不行 就是你的充電電壓太低或 電路中其他元件的分壓太大了.
你采用的PIC單片機所能提供的驅動頻率最多有多高?
單片機的價格如何?
AVR的MEGA48 可以代替,功能更強大!價格只要7元
你可以作成開關型降壓電路,MOSFET后面加上電感、電容和續流二極管,充電電流的波動也會小.現在的電路你能夠實現充電電壓的采集么?如何實現恒流恒壓充電過程?

PIC單片機提供的PWM驅動頻率是4K
單片機的價格我還不太清楚,我們經理指定的,考慮到瓦斯報警方面的程序和測試的方便程度,有可能以后換成71．
我現在的電路實現充電電壓和電流的采集都沒有問題．PWM用一定占空比波形可以實現恒流恒壓充電．
在MOSFET一直處于導通狀態下 最大充電電流是900MA(電池空載電壓是3.2V),
我認為我現在電路MOSFET的驅動電壓太低造成MOSFET不完全導通,致使MOSFET的內阻太大,充電電流上不去,所以我要么提高我的充電電壓,要么換一個5V以下MOS管就能夠完全導通的MOSFET了．

不知道我的判斷是否正確?

謝謝!

給你推薦個MOS.
1116245589.pdf

你可用RT9501來做,.這個可以做到.包括恒流,恒壓充電都做在一起了.

你看一下MOSFET的性能指標就行了 5V應該可以導通了
你在完全導通狀態下 都不能提供大電流 那就不是驅動頻率的事情了
是充電回路中 除電池組以外 其他分壓太多了

試試這個TPC8103(P-MOSFET,要注意限制功率,防止燒管),為了得到更負的VGS,建議將三級管Q1改為小功率MOSFET,
將R8短路,MCU輸出加上拉電阻,0.5歐改0.1歐.這是網上查找的P-MOSFET,不是唯一的,僅供參考,你亦可在網上查到許多.
TPC8103.pdf

你可以看看21和23帖,這是我的實驗結果,和對電路的問題分析,
除了電池就只有0.5歐的電阻了,談不上其他的元件分呀,5V真的小了．

謝謝!
9926,我在鋰電池保護板中要用,這個東西還不知道在西安能不能夠買到．

謝謝!
我看了,估計效果不明顯,完全導通的VGS還是高呀