佩服你的想法,但你的算算你需要多大的電容才能保證諧振電壓不超過MOS管的VDS,同時,該電容過大的話,在MOS管開通的時候相當(dāng)于通過MOS管直接短路,你想會發(fā)生什么?

雙端正激的可也不用復(fù)位搖組.

呵呵,不錯,這個常識我也知道,雙端正激磁芯是用初級續(xù)流二極管復(fù)位的.

沒問題啊,諧振復(fù)位不就是這個嘛,很多用的啊,可以加原邊mos上,也可以加副邊整流二極管上.

高手!有無相關(guān)資料?

...給個郵箱我發(fā)給你

正激ZVS軟開關(guān)就是醬紫滴……
電壓應(yīng)力比較大,變頻控制.
輕載軟布下來,重載電壓嚴(yán)重飆升.
諧振時間隨負(fù)載變化較大(ds間并聯(lián)較大電容時能有所改善).
你可以自己搭一個玩玩.
用3845就可以.在3845的利用drive腳額外驅(qū)動一個小MOS來鉗位住震蕩器,調(diào)整DS電容或震蕩器周期,使之相互匹配.
效率不錯,就是電壓太高.折騰不起.
反激也可以試試.

可否直接采用QR反激的芯片來應(yīng)用到正激上?

具體型號是什么呢?

NCP1205, OB2203?

還有一種想法,就是復(fù)位繞組放在次級,用反激的接法接次級輸出電容,復(fù)位的時候磁芯能量不是返回輸入電容,而是進(jìn)入輸出電容

在初級繞組上加RCD吸收,可不用復(fù)位繞組,當(dāng)然效率要比用復(fù)位繞組低.

頂

NCP1205的Demag腳內(nèi)部電路不知道,故此對于它是如何判斷電感電流過零的機(jī)理不能確知.估計(jì)是通過檢測輔助繞組的耦合電壓,當(dāng)這個電壓為零時,就認(rèn)為電感電流完全斷續(xù).如果這樣,初步看來恐怕不能很好的應(yīng)用在正激電路中.
因?yàn)檎ね負(fù)鋸?fù)位的目的是使得激磁電流所引起的磁芯磁化消退,以便下一周期重復(fù)磁化.而反激電路卻并不需要單獨(dú)的復(fù)位過程.因?yàn)樵诟边叾O管導(dǎo)通的時候?qū)嶋H上就是在是磁芯復(fù)位.
就源邊來看,正激電路要處理的問題有二,一是磁芯復(fù)位,二是漏感能量泄放.而反激拓?fù)鋭t主要處理漏感能量就可以了.磁芯復(fù)位過程實(shí)際上就是能量傳遞的過程.反射電壓其實(shí)就是正激電路里邊的磁芯復(fù)位電壓.
至于復(fù)位繞組能量釋放到副邊,這樣做可能會面臨一點(diǎn)點(diǎn)不變.那就是對于確定的輸出電壓會將復(fù)位電壓鉗位.這樣會進(jìn)一步限制占空比,尤其是輸入電壓變化比較大的時候.如果輸出電壓變化也比較大,那問題還會惡化.
實(shí)際上,某些ZVT電路就是利用一個小的反激變壓器來將并聯(lián)在開關(guān)管兩端的電容里邊的能量(漏感能量,可能還有激磁能量)傳遞出去.這里邊既可以是源邊,也可以是副邊,或者輔助電源.
據(jù)說,(網(wǎng)上檢索到的資料,可能為同一出處)第三代有源鉗位的專利就包括這樣的改進(jìn),將復(fù)位能量耦合到副邊,提高效率.
不過我并沒有見到專利的原文.也沒有見到確切的電路圖,甚至第二三代有源鉗位的具體描述也沒有.這個代的劃分依據(jù)也不清楚.

OB的東西我對他沒有好印象.起因是我之前在論壇看到有人談?wù)撃砄B芯片,比較意動,興致勃勃的去找datasheet,卻發(fā)現(xiàn)那里都找不到.好像廠家不提供,或者只提供給大客戶.所以對于你上面提及的芯片我就不說什么了.

感謝楚天?老師的精辟分析論述,讓人學(xué)到不少,使人受益匪淺!小弟真想拜你為師!

沒錯用變頻來做,電容應(yīng)并在繞組兩端,諧震復(fù)位,DS DG電容也參加了這個過程,輕載可以軟下來,只是要犧牲功率因素,做一下拉氏變換看得很清楚,管子關(guān)斷后繞組回路電流使電容充到高負(fù)壓然后諧震回到電源電壓,這里有一個回路最小初始電流條件,這個條件必須保證,否則軟不下來,重載時初始電流變的較大,電容負(fù)壓變大,管子的耐壓3倍以上電源電壓可以,2倍電壓復(fù)磁,快!B也可取的較大.空載和重載的頻率從交流阻抗的角度理解會無窮大,但實(shí)際上是可以控制的,5/1  3/1 都可以做到,當(dāng)然比值越小越難做,這些都不是關(guān)鍵性的問題.關(guān)鍵問題是控制電路,電路要自己搭,麻煩!IC業(yè)是滯后的!
    還有一類做法是C并的較小,快速復(fù)磁后管子上保持一平臺殘余電壓,半軟半硬,撿占空比的便宜.

沒問題,可以的

可以不使用第三繞組進(jìn)行復(fù)位,還有其他的方式:RCD,LCD,有源嵌位,還有就是變壓器漏感、分布電容、極間電容進(jìn)行諧振復(fù)位等.

可以,有源箝位就是最好的例證,還有RC箝位,好多了,其中有源箝位最好.

可以啊,我們有一款電源就是像反激一樣用RCD在初級,MOS要用900V的,EI33的變壓器做7V25A啊,要用風(fēng)扇哦

好像單管正激的電壓應(yīng)力比反激還要大呢.
樓上早啊.呵呵

有幾款DC-DC模塊,正反激的都有,都沒有用吸收,功率只有10幾瓦,開關(guān)管有的是150V的 ,輸入為48V.

在正激電路中直接在MOS端加電容是不可取的,小了沒用,大了有害.如果能將復(fù)位能量引到次級而提高效率倒是不錯的選擇.

10來瓦,平面變壓器的話是漏感很小了,不用加吸收正常

LCD吸收,《開關(guān)電源設(shè)計(jì)第二版》給的例子就是正激
但是取消復(fù)位繞組之后復(fù)位電壓不確定,要延長復(fù)位時間,浪費(fèi)脈寬

可以啊,直接用RCD,如果MOSFET耐壓允許的話,不加都行.

可以不用復(fù)位繞組

復(fù)位二極管故障率較高呀,大家有遇到這種情況沒有.我們公司是用UF5408.

可以在次級增加一個反激繞組,經(jīng)二極管后與原正激繞組并聯(lián)輸出,這樣既解決了磁復(fù)位問題又提高了效率.

復(fù)位問題可以解決,不過漏感依然存在.所以源邊還是要加吸收的.如此則兩處都有元件.