對于智能家居方案開發設計,小型化、集成化、高效率都是未來趨勢,氮化鎵參數優勢在功率器件中的廣泛應用正是順應了這樣的趨勢。PI高集成度的InnoSwitch3反激式開關電源IC適用于小尺寸應用,InnoSwitch3具有輸入AC電壓檢測,提供輸入浪涌保護,空載功耗的影響<2mW;內部集成了650V/725V/750V功率開關管;采用同步整流驅動,減少二極管導通時間,增加SR FET導通時間,實現最佳效率;采用PI專利的開關和控制技術,效率極高,損耗極低;利用高速FluxLink耦合技術代替光耦,使用壽命更長。
下面是產品實物圖,引入GaN方案后相較于傳統的Si MOSFET,氮化鎵開關管在RDS(ON) 、開關損耗、總損耗等方面的表現都更出色,無需復雜的散熱設計,產品走向小型化。
氮化鎵開關管的開關損耗更低:
氮化鎵開關管的開關損耗更低:
氮化鎵器件的總損耗大大低于MOSFET: