關于墻壁插座的USB PD快充應用，PI可提供成熟的技術方案供客戶選擇。墻壁插座盒內部空間受限，充電器的體積也要做的很小。同時插座盒內部沒有高效的熱量散發路徑，極高的效率和高熱穩定性則成為必須。PI采用PowiGaN技術的InnoSwitch3系列高集成芯片非常適合在墻壁插座內部使用，其所支持的獨特均流架構亦適用于多口方案。PowiGaN氮化鎵技術可以降低初級開關的導通損耗和開關損耗。
電源使用INN3270C PowiGaN開關芯片，支持5-20V輸出，輸出功率為60W，支持5V6.5A、9V5A、15V3A、20V3A輸出，滿載輸出效率高于94%，通過變壓器設計以及選擇合適的有源器件和偏置電壓來優化效率，在50℃環境溫度下器件溫度低于100℃，待機功率小于40mW，TYPE-C接口，具備過流、過壓和過熱保護功能等。額外增加的與SR MOSFET并聯的肖特基二極管可以略微提高效率。在次級MOSFET導通開始期間以及次級電流達到零或次級MOSFET關斷之前，該二極管導通而不是MOSFET體二極管導通。這些轉換延遲是有必要的，因為可以避免與初級MOSFET的交叉導通。
