PowiGaN功率器件設計的電源效率可以達到93%，這不僅能使工作溫度大幅降低，還有助于實現高緊湊度的反激式電源設計。

基于碳化硅（SiC）的InnoSwitch3-EP IC可提供高達70W的輸出功率，同時將實現電源所需的元件數量減少高達50%。

內部還集成同步整流和準諧振（QR）/CCM反激式控制器，可實現90%以上的效率，并使空載功耗小于15mW。

多功能反激IC系列，支持硅、氮化鎵和碳化硅等開關選項，滿足不同應用需求。

在用戶實際設計中，需要給芯片的SOURCE引腳提供足夠大的銅皮進行散熱。

需要對快充電源做過壓保護設計么

這個電源系統的主要應用領域有哪些

使用INN3699開發的快充電源，功率大，輸入電壓范圍寬，產品待機功耗比較低。集成的FluxLink技術和HIPOT隔離的反饋鏈路，反饋更簡單

如何優化 INN3699 芯片的功耗以提高性能？

它為什么沒有漏感尖峰？

信號抖動對快充電源有哪些不利影響

快充電源的信號傳輸曲線是怎么樣發生變化

使用INN3699開發的快充電源，功率大，輸入電壓范圍寬，產品待機功耗比較低。集成的FluxLink技術和HIPOT隔離的反饋鏈路，可以實現±3%的高精度輸出。精度這么高嗎

高壓之下，漏感尖峰的吸收是很考驗變壓器繞制技術的。

變壓器一致性不夠好，整批產品就會故障不斷。

INN3699支持140kHz的開關頻率，如何通過變壓器設計和PCB布局降低高頻開關損耗？

INN3699芯片非常好用

為降低INN3699在140kHz高頻開關下的損耗，建議優化變壓器設計和PCB布局：

變壓器設計：選用低損耗鐵氧體磁芯（如PC44材質），優化氣隙和繞組結構（采用三明治或交錯繞組）以減少漏感和趨膚效應，確保磁芯飽和余量充足。PCB布局：縮短功率回路路徑，使用寬銅皮走線并增加散熱面積（尤其SOURCE引腳）；采用多層板設計，分離模擬/數字地平面，最小化寄生電感和EMI噪聲。結合FluxLink技術，可進一步提升效率并控制溫升。