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PI的1700V氮化鎵InnoMux-2 芯片在新能源中應用

長期致力于通過創新推動行業變革,尤其是在氮化鎵技術領域不斷實現突破。InnoMux-2產品采用PI獨有的PowiGaN技術和FluxLink次級側控制技術,其在1000VDC下效率高達90%,多路輸出調節精度控制在1%以內,無需后級穩壓器即可提升系統效率約10%。為太陽能逆變器、新能源汽車充電器、工業設備等高端市場提供了更具成本效益的替代方案。

PI開發的FluxLink數字隔離通信技術提供了高精度、多路輸出控制的革命性方案。這些創新不僅提升了產品效率,還顯著降低了系統復雜性,為客戶帶來更高性能和成本優勢。

氮化鎵GaN和碳化硅SiC作為下一代功率器件的核心技術,正引領行業變革。兩種材料因技術特性和成本結構的差異,定位于不同的市場應用場景,形成了互補又競爭的格局。PI研發的氮化鎵產品的主要應用領域及技術特點如下。

PI 的氮化鎵技術支持800V至1000V的高壓母線電壓,是推動電動車充電效率和續航能力提升的關鍵。通過零電壓開關(ZVS)技術和 FluxLink數字隔離通信技術,PI 不僅顯著降低充電過程中的開關損耗,還優化了系統成本和體積,為高壓電池組的充電提供了更高效、更經濟的解決方案。

InnoMux-2系列產品技術優勢及設計架構,展示了其在高壓GaN技術中的領先能力,特別是在可靠性和散熱性能上的突破。

1700V氮化鎵開關雙路輸出的典型應用板子:

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05-10 16:38

PI的另一款系列產品INNOSWITCH-AQ,為汽車應用提供了多種方案選擇,包括750V硅、900V硅、900V PowiGaN或1700V碳化硅開關。

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05-13 13:07
@奮斗的青春
PI的另一款系列產品INNOSWITCH-AQ,為汽車應用提供了多種方案選擇,包括750V硅、900V硅、900VPowiGaN或1700V碳化硅開關。

InnoMux-2采用PI獨有的PowiGaN技術和FluxLink次級側控制技術,在技術參數和性能上均實現了跨越式升級。

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飛翔2004
LV.10
4
05-15 08:57

在多路輸出應用中,PI通過ZVS技術和FluxLink技術的協同作用,不僅實現了高精度的電壓控制,還提升了系統的整體可靠性和響應速度。

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trllgh
LV.10
5
05-16 08:37
@大海的兒子
InnoMux-2采用PI獨有的PowiGaN技術和FluxLink次級側控制技術,在技術參數和性能上均實現了跨越式升級。

其在1000VDC母線電壓下效率高達90%,多路輸出調節精度控制在1%以內,無需后級穩壓器即可提升系統效率約10%。

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spowergg
LV.10
6
05-21 09:17
@飛翔2004
在多路輸出應用中,PI通過ZVS技術和FluxLink技術的協同作用,不僅實現了高精度的電壓控制,還提升了系統的整體可靠性和響應速度。

與氮化鎵晶體管類似,碳化硅MOSFET同樣具有導通電阻小,寄生參數小等特點,另外其體二極管特性也比硅MOSFET大為提升。

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only one
LV.8
7
05-23 00:25

氮化鎵GaN和碳化硅SiC作為下一代功率器件的核心技術,正引領行業變革。兩種材料因技術特性和成本結構的差異,定位于不同的市場應用場景,

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沈夜
LV.8
8
05-24 00:32

如何通過技術創新降低太陽能逆變器的成本?

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05-24 22:03

1700V一般用在哪里

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dy-nmLUWFNr
LV.8
10
05-25 09:40

這個設計的主要應用場景有哪些

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dy-nmLUWFNr
LV.8
11
05-25 09:42

非常不錯的應用案例分享

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htwdb
LV.8
12
05-25 18:56

目前在新能源行業中氮化鎵GaN和碳化硅SiC的應用比例為多少?

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tanb006
LV.10
13
05-25 19:52

干嘛不直接放在變壓器下面?這樣多浪費空間?

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dy-mb2U9pBf
LV.8
14
05-25 20:10

PI 的氮化鎵技術支持800V至1000V的高壓母線電壓,是推動電動車充電效率和續航能力提升的關鍵,今后的新能源領域會看到pi的身影。

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dy-StTIVH1p
LV.8
15
05-25 21:29

PI在這個模式下工作最大的傳輸效率可以達到多少

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dy-StTIVH1p
LV.8
16
05-25 21:35

怎么樣有效減小傳輸功耗對信號輸出的影響

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dy-TMelSvc9
LV.8
17
05-25 22:05

不斷提高信號傳輸效率對于改善性能有明顯幫助作用

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fzwwj95
LV.6
18
05-25 22:36

建議在光伏逆變器應用中采用交錯式LLC架構,結合1700V PowiGaN器件的dv/dt控制能力(典型值<50V/ns),可降低諧振回路損耗15%以上。實測數據顯示,在800VDC輸入時,采用ZVS技術可使開關損耗降低至傳統硬開關的1/3,建議通過柵極驅動電阻優化將開關頻率穩定在200-300kHz區間。

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05-27 00:01

PI 的氮化鎵技術支持800V至1000V的高壓母線電壓,是推動電動車充電效率和續航能力提升的關鍵。通過零電壓開關(ZVS)技術和 FluxLink數字隔離通信技術,這技術簡衴嗎

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千影
LV.6
20
05-30 23:57

氮化鎵技術如何推動新能源發展?

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06-06 16:48
@trllgh
其在1000VDC母線電壓下效率高達90%,多路輸出調節精度控制在1%以內,無需后級穩壓器即可提升系統效率約10%。

相比傳統硅和碳化硅(SiC)器件,GaN在導通損耗、開關速度和體積方面具有顯著優勢.

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xxbw6868
LV.10
22
06-09 13:22
@大海的兒子
相比傳統硅和碳化硅(SiC)器件,GaN在導通損耗、開關速度和體積方面具有顯著優勢.

PI通過創新的零電壓開關(ZVS)技術,將開關損耗幾乎完全消除,使得器件發熱量顯著降低.

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opingss88
LV.10
23
06-13 22:54

自動重啟動計數器由SOA模式中的開關振蕩器提供柵極控制,自動重啟動關斷時間可能會更長

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