開關性能優越開關速度快：寬禁帶材料如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的電子遷移率高，使得 PI 的寬禁帶產品開關速度比傳統硅基產品快很多。例如，InnoMux - 2 系列作為 1700V 氮化鎵開關 IC，能實現更快的開關轉換，大大提高了電源的工作頻率，有助于減小電源中磁性元件的尺寸和重量。
開關損耗低：PI 的寬禁帶產品在開關過程中，由于寬禁帶材料的特性，能夠實現更軟的開關切換，減少了開關過程中的能量損耗。像 InnoSwitch3 - EP 1250V IC 采用 PowiGaN 共源共柵架構，利用氮化鎵的低導通電阻和快速開關特性，有效降低了開關損耗，提高了電源效率。
效率更高高溫性能好：寬禁帶材料具有更高的熱導率和耐高溫性能，PI 的寬禁帶產品在高溫環境下仍能保持較好的性能，減少了因溫度升高導致的效率下降。例如，在電動汽車的高溫工作環境中，PI 的碳化硅產品 InnoSwitch3 - AQ 1700V 能在 30V - 1000V 的廣泛工作電壓范圍內保持高效率，為汽車的輔助電源系統提供穩定可靠的電力。
導通電阻低：PI 的寬禁帶產品導通電阻比傳統硅基產品低得多，這意味著在電流通過時，產生的熱量更少，功率損耗更低。以氮化鎵產品為例，其導通電阻可低至毫歐級別，相比傳統硅基產品大幅降低，從而提高了電源的整體效率。
功率密度大高頻工作能力強：由于寬禁帶產品的開關速度快，能夠在更高的頻率下工作，使得 PI 的寬禁帶產品可以使用更小的磁性元件和電容等無源器件。例如，在手機快充適配器中，采用 PI 的氮化鎵技術可以在保持輸出功率不變的情況下，將適配器的體積縮小一半以上，大大提高了功率密度，方便用戶攜帶和使用。
集成度高：PI 的寬禁帶產品通常具有較高的集成度，將多個功能模塊集成在一個芯片中，減少了外部元件的數量，從而減小了整個電源系統的體積和重量。如 InnoSwitch 系列產品集成了開關管、控制器等多個部件，實現了高度集成化，有助于提高功率密度。
可靠性高耐壓能力強：寬禁帶材料具有較高的擊穿電場強度，PI 的寬禁帶產品能夠承受更高的電壓。例如，InnoMux - 2 系列作為業界首款 1700V 氮化鎵開關 IC，以及 InnoSwitch3 - AQ 1700V 碳化硅產品，都具有較高的耐壓能力，能夠在高電壓環境下穩定工作，提高了電源系統的可靠性和穩定性。
抗輻射能力強：寬禁帶材料具有較好的抗輻射性能，PI 的寬禁帶產品在一些惡劣的電磁環境或輻射環境中，仍能保持正常的工作性能，適用于航空航天、軍事等對可靠性要求極高的領域。
